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相似文献
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1.
Ohne Zusammenfassung
MgO CaO

Ich danke bestens Frau K. Listoová für die sorgfältige Durchführung der Versuchsreihen und Ing. S. urovi und Dr. A. Bergstein für das liebenswürdige Überlassen der Präparate.  相似文献   

2.
A study is made of the Shockley surface states in a linear chain of equal atoms, joined by alternately strong bonds. If the simple MO LCAO method is used, which considers the exchange integrals between nearest neighbours and next nearest neighbours, we get the surface states for a semi-infinite chain if the stronger bond is interrupted. The connection between Shockley and Tamm surface states is shown and the hypothesis is put forward that the condition for the existence of Shockley surface states has a generally simple physical interpretation, the validity of which is proved on the models of a semi-infinite crystal studied up to now.
, . MO LCAO, , , . , , , .
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3.
Zusammenfassung Der Einflu\ von Mikrosegregations-Substrukturen auf das plastische Verhalten von Zinkeinkristallen entspricht den allgemeinen Erwartungen in der Weise, da\ die kritische Schubspannung mit wachsender Substrukturendichte zunimmt. Der Verfestigungskoeffizient A nimmt hingegen mit wachsender Substrukturendichte ab. Dabei wird der Verfestigungskoeffizient vom Charakter der Substruktur viel empfindlicher beeinflu\t als die kritische Schubspannung. Es wird angenommen, da\ dieser Einflu\ durch unterschiedlichen Fremdstoffgehalt zustande kommt.
, . , A . , . , .


Die Autoren danken Herrn Prof. M. Valouch, der die Durchführung dieser Arbeit ermöglicht hat. Herrn P. Kratochvíl sei an dieser Stelle für zahlreiche Diskussionen aufs herzlichste gedankt.  相似文献   

4.
5.
Zusammenfassung Es werden die Ergebnisse der Messung des Einflusses der auf den Emitter bei der Messung der Exoelektronenemission mittels Geiger-Müller-ZÄhlers auffallenden positiven Ionen beschrieben und die möglichen Mechanismen der Beeinflussung der Emission diskutiert.
, -. , .
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6.
The new approximative method for calculating the frequencies of longitudinal vibrations of isotropic homogeneous rods described in part I. is used for rods of circular crosssection. Similarly to the rods of rectangular cross-section there does not exist any dead zone of frequencies.
II.
, I. (. . 366), . , , .
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7.
8.
Zusammenfassung Im vorliegenden Artikel wird die Durchlässigkeit eines beliebigen Systems homogener oder inhomogener Schichten mit beliebiger Leitfähigkeit bei senkrechtem Einfall einer elektromagnetischen Welle untersucht. Es wird bewiesen, da\ das Verhältnis der Durch-lässigkeiten beim Auftreffen der Welle von der einen und von der anderen Seite lediglich von den Leitfähigkeiten der Medien auf beiden Seiten des Systems abhängt. Falls die Leitfähigkeiten beider Medien gleich sind, sind auch die Durchlässigkeiten in beiden Richtungen gleich.
. , . , .
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9.
10.
11.
Zusammenfassung Beobachtungen der Versetzungen wurden an für optische Messungen hergestellten Platten des AgCl gemacht. Es wurde die Versetzungsdichte im Zusammenhang mit dem deformierenden Druck untersucht.
AgCl
AgCl, . .
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12.
Zusammenfassung Aus den Projektionen der Elektronendichten in drei voneinander unabhÄngigen kristallographischen Ebenen wird die Funktion (2) zusammengesetzt, die das übliche Darstellungsverfahren mit Hilfe der dreidimensionalen Fourierreihe ersetzt.
(2), .
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13.
14.
- .
On the Vavilov-erenkov radiation in uniaxial crystals
An investigation is made of the Vavilov-erenkov radiation energy in uniaxial magnetic crystals and in uniaxial crystals with double anisotropy.


: - , .

. . . .  相似文献   

15.
An approximate solution is given of the Schrödinger equation for S-states of an electron in the field of a hole, when the potential energy of the electron has the form — e2/r [1+exp (–qr].
s- , –e2/r [1+exp (–qr].
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16.
The influence of the magnetic after-effect on the rectangularity of the hysteresis loop of MgMn ferrites in two different compositions was studied; it was found that this influence is so small that it cannot be the actual cause of a rectangular hysteresis loop of such materials.
-
- . , , .
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17.
The formula derived by the author for the width of the energy gap is compared with experiment for GaSb, InAs, InSb, and InSb. GaSb semi-conductors. The agreement is good.
GaSb, InAs, InSb, InSb. GaSb. o.
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18.
19.
Ohne Zusammenfassung
ld

Abschließend danken wir Dr. Gengnagel für die fruchtbringende Diskussion und dem Forschungsinstitut für Eisenhüttenwesen in Prag für die Bereitstellung der Proben, an denen die angeführten Messungen vorgenommen wurden.  相似文献   

20.
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