一种新型的抗单粒子翻转的D触发器

介绍了两种已有的主从型边沿D触发器,它们具有很强的抗单粒子翻转能力.在此基础上提出了一种新型的抗单粒子翻转的D触发器的结构.该结构综合了上述两种结构的优点,在抗辐射性能上得到了有效的改进,减少了面积.     

0.18μm SOI NMOS单粒子效应中电荷累积机理的仿真研究

为研究0.18μm SOI工艺集成电路单粒子入射时电荷累积的机理,分别对电容和NMOS进行了单粒子入射的仿真研究。仿真结果表明,单粒子入射时,MOS电容中的电荷累积主要由位移电流引起;而在SOI NMOS中的电荷累积还有第二种机制,即当单粒子入射位置在体漏结附近时,漏极和体接触产生的电荷累积。第二种机制会对SOI工艺集成电路的单粒子加固方法产生重要影响。     

一种容忍单粒子双节点翻转的锁存器设计

文章提出了一种新型的锁存器,采用双模冗余容错技术,能够同时容忍单粒子单节点翻转和单粒子双节点翻转。相比于同类型的加固设计,文中设计的结构延迟平均下降74.40%,功耗平均下降8.32%,功耗-延迟积(power-delay product,PDP)平均下降75.20%,面积平均减少15.76%;而且该锁存器的延迟对工艺、供电电压及温度的波动不敏感。     

基于自动检测与动态补偿的DC-DC转换器抗单粒子加固设计方法

以Boost型转换器为例进行了DC-DC转换器对单粒子瞬态的敏感性分析,研究了单粒子瞬态对环路响应的影响. 基于对环路敏感节点的分析,采用电路与系统级的片上自动检测方法及时获取单粒子能量,进而转化为动态补偿的参数,实现了对不同单粒子能量下的瞬态特性改善. 基于商用0.18 μm BCD工艺,完成了一款高可靠Boost型转换器电路设计、版图设计与物理验证. 实验结果显示,输入电压为2.9~4.5 V,输出电压为5.9~7.9 V,负载能力为55 mA,系统在单粒子瞬态效应的作用下,输出电压的最大波动不超过1 mV,抑制能力达到86.07%以上,能够抵抗LET=100 MeV·cm2/mg的单粒子轰击.      

InAs/AlSb HEMTs的单粒子效应模拟研究

本文单粒子效应的研究目的,旨在研究异质结器件InAs/AlSb HEMTs在重离子辐照下失效的概率。文中研究了InAs/AlSb HEMTs的I-V特性对沿45度方向入射、线性能量传输因子0.2,作用时间0.1ps,重离子轨迹0.1um的重离子辐照的响应规律。结果表明：随着栅极偏压由负到正的改变,InAs/AlSb HEMTs器件由不能工作到能够正常工作,所以在重离子辐射条件下栅极偏压影响着InAs/AlSb HEMTs器件能否正常工作。     

一款抗单粒子瞬态加固的偏置电路

通过增加一个NMOP、PMOS和一个电阻组成的单粒子瞬态抑制电路,设计了一种新的抗单粒子瞬态加固的偏置电路,该偏置电路具有较高抗单粒子瞬态能力.为了证实其抗单粒子能力,基于SIMC 130 nm CMOS工艺设计了传统的及提出的抗单粒子瞬态两种结构的偏置电路.仿真结果表明,对于提出的加固偏置电路,由单粒子引起的瞬态电压和电流的变化幅值分别减小了约80.6%和81.2%;同时增加的单粒子瞬态抑制电路在正常工作状态下不消耗额外功耗,且所占用的芯片面积小,也没有引入额外的单粒子敏感结点.      

基于0.13 μm工艺的切断反馈回路单粒子效应加固电路的研究

对0.13μm工艺下的切断反馈回路的单粒子效应加固电路进行了研究,对其机理进行了分析,并对该结构进行了单粒子瞬变效应加固方面的改进,进而提出一种新的单粒子效应加固的D触发器,在0.13μm工艺下进行了SPICE模拟验证,可以在100 MHz的工作频率下对LET为25 MeV·cm~2/mg的单粒子轰击达到加固,相比于同类结构拥有更小的面积和功耗.     

一种基于DIS/HLA仿真的空对地作战效果评估方法

空对地作战效果的分析与评估,是空防对抗仿真训练系统的一个核心组成和难点问题。通过深入研究,提出了一种基于D IS/HLA仿真的、将空中进攻过程划分为若干赋权子阶段的空对地作战效果评估方法,可实现航空兵对地整体作战效果与对不同地面目标作战效果的评估。实际应用表明,该方法具有较强的实用性与较高的可信度。     

基于Visual C 和Pro*C/C 技术的油田动态分析系统设计新方法

针对传统的动态分析系统功能固定用户自由度小的问题,提出了一种改进方法。通过实现对辽河油田提出的动态分析系统的设计,采用了配置文件、多线程技术的观念,结合使用安全数组和Variants数据类型,设计出了一套新式的油藏动态分析的数据库数据管理及数据存取、显示方法。增加了用户的自由度,解决了常规动态分析中功能固定的局限性。