低温下二维绝缘铁磁体的磁振子软化

在二维正方绝缘铁磁系统基础上建立了一个磁振子-声子相互作用模型.利用格林函数方法研 究了磁振子-声子相互作用下的二维绝缘铁磁体的磁振子谱, 计算了布里渊区的主要对称点 线上的磁振子色散曲线.发现在布里渊区边界区域磁振子谱的软化和磁振子谱线增宽最明显. 比较了纵向声子与横向声子对磁振子谱的软化与磁振子谱线增宽的影响，也讨论了各项参数 的变化对磁振子谱的软化与磁振子谱线增宽的影响. 关键词： 磁振子-声子相互作用 磁振子软化 铁磁体 磁振子谱线增宽     

低温下二维绝缘铁磁体的磁振子寿命

在二维正方绝缘铁磁系统基础上建立了一个磁振子-声子相互作用模型. 利用格林函数方法研究了磁振子-声子相互作用下的二维绝缘铁磁体的磁振子衰减(即-ImΣ^*(1)(k)), 计算了布里渊区的主要对称点线上的-ImΣ^*(1)(k).发现在布里渊区边界区域磁振子衰减很明显, 但小波矢区(k_xa/π＜0.22附近)磁振子衰减非常弱, 而且温度很低时磁振子衰减有极大值. 比较了纵向声子与横向声子对磁振子衰减的影响, 也讨论了各项参数的变化对磁振子衰减的影响. 根据关系式-Im^*(1)(k)=/(2τ)可以对磁振子寿命进行判断. 关键词： 磁振子-声子相互作用 磁振子衰减 铁磁体 磁振子寿命     

光频支声子对二维Heisenberg铁磁系统磁激发的影响

在二维复式正方Heisenberg铁磁系统的基础上建立了磁振子-声子相互作用模型. 利用松原格林函数理论研究了系统的磁激发，计算了布里渊区的主要对称点线上的磁振子色散曲线，比较了光频支声子与声频支声子对系统磁激发的影响以及各项参数的变化对磁振子软化的影响. 发现光频支声子-磁振子耦合对磁振子软化起主要作用，尤其是纵向光频支声子对磁振子软化起更大的作用，并且非磁性离子的光频支声子对磁振子软化的作用比磁性离子的光频支声子对磁振子软化的作用更显著.     

有限温度下光频支声子-磁振子相互作用对磁振子寿命的影响

在二维复式正方Heisenberg铁磁系统的基础上建立了磁振子-声子相互作用模型.利用松原格林函数理论研究了系统的磁振子寿命,计算了布里渊区的主要对称点线上的磁振子衰减的变化曲线,比较了磁性离子的与非磁性离子的光频支声子对磁振子衰减的影响以及各项参数的变化和温度对磁振子衰减的影响.发现光频支声子-磁振子耦合对磁振子衰减起主要作用,尤其是纵向光频支声子对磁振子衰减起更大的作用,并且非磁性离子的光频支声子对磁振子衰减的作用比磁性离子的光频支声子对磁振子衰减的作用更显著.根据关系式-Im∑^*(1)(k)=/(2τ)可以对磁振子寿命进行判断. 关键词： 光频支声子-磁振子相互作用 磁振子衰减 磁振子寿命 绝缘复式正方铁磁体系统     

T→0K下光频支声子-磁振子相互作用对磁振子衰减的影响

在二维复式正方Heisenber铁磁系统的基础上建立了磁振子-声子相互作用模型.利用松原格林函数理论研究了系统T→0K下的磁振子衰减,计算了布里渊区的主要对称点线上的磁振子衰减的变化曲线,比较了磁性离子的与非磁性离子的光频支声子对磁振子衰减的影响以及各项参数的变化对磁振子衰减的影响.发现光频支声子-磁振子耦合对磁振子衰减起主要作用,尤其是纵向光频支声子对磁振子衰减起更大的作用,并且非磁性离子的光频支声子对磁振子衰减的作用比磁性离子的光频支声子对磁振子衰减的作用更显著.根据关系式-Im∑*(1)(k)=/(2τ)可以对磁振子寿命和磁振子线宽进行判断.     

有限温度下二维Heisenberg铁磁系统的横向声频支声子激发

在二维正方Heisenberg铁磁系统的基础上建立了磁振子-声子相互作用模型.利用Matsubara格林函数理论研究了系统的横向声频支声子激发，计算了布里渊区的主要对称点线上的横向声频支声子色散曲线，发现在第一布里渊区的Σ线上，小波矢区(Γ附近k_xa＜0.2)横向声频支声子有硬化现象，但是在软化区(0.25＜k_xa＜0.7)有横向声频支声子有软化现象，在M附近(0.75＜k_xa)横向声频支声子有硬化现象.在Δ线上没有发生横向声频支声子有软化与硬化现象.在Z线上小波失区(X附近k_xa＜0.65)横向声频支声子有软化现象，但是在M附近横向声频支声子有硬化现象.并且又讨论了各项参数对横向声频支声子激发的影响，发现磁振子-声子耦合与自旋波劲度常数对横向声频支声子软化起很大的作用. 关键词： 磁振子-声子相互作用 横向声频支声子软化 Matsubara格林函数理论 铁磁系统     

有限温度下二维Heisenberg铁磁系统的声子衰减

在二维正方Heisenberg铁磁系统的基础上建立了磁振子-声子相互作用模型. 利用松原格林函数理论研究了系统的声子衰减，计算了布里渊区的主要对称点线上的声子衰减曲线. 发现在第一布里渊区，在Δ线上，横向声频支声子无衰减，在Z线上，纵向声频支声子无衰减；横向声频支声子衰减比纵向声频支声子衰减至少大一个数量级，并讨论了各项参数的变化对横向声频支声子衰减与纵向声频支声子衰减的影响. 根据声子衰减与声子寿命的关系，声子衰减与声子态密度的关系，可以讨论横向声频支声子与纵向声频支声子的寿命与态密度. 关键词： 磁振子-声子相互作用 横向声频支声子衰减 纵向声频支声子衰减 声子寿命     

基于磁光力系统的相干光学传输特性研究

提出了一个包含磁振子-声子-光子三者相互作用的磁光力系统,该系统由一个磁振子(钇铁石榴石小球)和一个光学谐振腔构成.在该系统中,利用大量自旋的亚铁磁体的集体运动来表征磁振子,并且磁振子和光子通过磁偶极子相互作用耦合,磁振子和声子通过磁致伸缩相互作用耦合.利用严格的量子光学理论与输入-输出关系理论,研究了该系统中的相干光学传输特性.通过调控该系统中的参数,实现了对输出场的有效调控,为宏观量子现象的研究提供了一个有前景的平台.     

平面波展开法计算二维磁振子晶体带结构

磁振子晶体是光子晶体或声子晶体在磁性材料领域内的替代品,是近来的一个研究热点. 本文提出了磁振子晶体领域内的一种平面波展开法,其较传统的平面波展开法能节约一半以上的计算时间. 采用此方法,数值计算了由Fe/EuO二种铁磁材料构成的二维磁振子晶体带结构. 数值计算结果表明,在一定的体积填充率下,有自旋波带隙的出现;影响磁振子晶体带隙结构形成的主要因素是有效场中的交换作用场,其他作用场的影响相对很小. 关键词： 磁振子晶体 带隙 平面波展开法     

“禁忌”3-磁振子相互作用哈密顿项的有效性分析

考察磁有序晶体中局部存在的动量守恒而能量不守恒的3-磁振子激励过程，通过幺正变换，把自旋波理论中不合理的3-磁振子产生与湮没过程的哈密顿项构造为有 效的4-磁振子相互作用哈密顿项. 关键词： 磁振子 哈密顿项 幺正变换     

From microelectronics to spintronics and magnonics

In this review, the recent developments in microelectronics, spintronics, and magnonics have been summarized and compared. Firstly, the history of the spintronics has been briefly reviewed. Moreover, the recent development of magnonics such as magnon-mediated current drag effect (MCDE), magnon valve effect (MVE), magnon junction effect (MJE), magnon blocking effect (MBE), magnon-mediated nonlocal spin Hall magnetoresistance (MNSMR), magnon-transfer torque (MTT) effect, and magnon resonant tunneling (MRT) effect, magnon skin effect (MSE), etc., existing in magnon junctions or magnon heterojunctions, have been summarized and their potential applications in memory and logic devices, etc., are prospected, from which we can see a promising future for spintronics and magnonics beyond micro-electronics.     

磁子转矩翻转磁矩研究

磁子是自旋波量子化的准粒子。磁子具有在绝缘磁性材料中无热耗散、低阻尼、长距离传输自旋的优势,避免了因电荷流动而产生焦耳热,可以克服日益显著的器件发热问题,因此磁子器件在低功耗信息存储与计算领域具有潜在应用前景。文章首先介绍了自旋波和磁子的概念,磁子具有的优势和研究价值;然后总结了磁子在铁磁和反铁磁绝缘体中输运以及新型磁子器件方面的最新研究结果;最后详细介绍了室温下实现磁子转矩驱动磁矩翻转的最新研究工作。这些工作对发展磁子学,实现低功耗、高速磁子型器件及应用具有较为重要的现实意义。     

Raman scattering studies of the magnetic ordering in hexagonal HoMnO3 thin films

We present the results of the temperature dependence of the Raman spectra of hexagonal HoMnO₃ thin films in the 13–300 K temperature range. The films were grown on Pt(111)//Al₂O₃ (0001) substrates using the laser ablation method. In the HoMnO₃ thin films, we initially observedseveral broad Raman peaks at ∼510, 760, 955, 1120, and 1410 cm⁻¹. These broad Raman peaks display an anomalous behavior near the magnetic transition temperature, and the intensity difference of the Raman spectra at different temperatures shows several pairs of negative and positive peaks as the temperature is lowered below the Néel temperature. Our analyses indicate that all the broad peaks are correlated with magnetic ordering, and we have assigned the origin of all the broad peaks. Purely on the basis of the Raman analysis, we have deduced the Néel temperature and the spin exchange integrals of HoMnO₃ thin films. We also investigated the effects of the growth condition on the strongest broad peak at ∼760 cm⁻¹, which is related with pure magnetic ordering. This result indicates that the oxygen defect in the HoMnO₃ sample has negligible effect on magnetic ordering. Copyright © 2009 John Wiley & Sons, Ltd.     

微波谐振腔Q值对磁激子振幅不稳定态阈值的影响

基于Safonov和Yamazaki所发展的激励自旋波非线性辐射衰减的理论［J. MMM. 161 (1996 ) 275］, 考虑磁激子与磁激子以及磁激子与光子的两种非线性相互作用过程，计算了微波谐振腔Q值对磁激子振幅不稳定态阈值的影响，结果与实验数据基本一致. 关键词： 磁激子 谐振器 铁磁体     

光子-磁振子相互作用过程：铁磁共振线宽的一种机制

通过分析磁振子的激励与弛豫过程，指出光子-磁振子的相互作用是铁磁共振线宽的机制之一， 利用幺正变换得到了3玻色子相互作用项的对角化哈密顿量，为精确计算共振线宽提供了依据。     

非线性激发的磁激子对的振荡特性

通过分析放置于微波谐振腔中的磁有序晶体中的磁激子对激励过程，推导出了磁激子对的运动方程，发现磁激子对不能被认为是两个单个的磁激子的一般组成，而是可以整体的看作为一个具有非线性行为的单模谐振子.依据微波谐振腔与磁激子对集体形成的谐振器之间的耦合作用的机理，可以定性解释在有关磁激子对激励实验中所出现的双峰现象.     

The phenomenon of even bulk modes variance in a ferromagnetic A--A bilayer system

The eigenproblems of spin waves in a symmetrical ferromagnetic bilayered system with periodic boundary conditions are solved using the interface-rescaling approach (IRA). The results show that interface coupling between two sublayers would not change the excitation energy of odd bulk modes, but change excitation energy of even bulk modes. We call this peculiar phenomenon the phenomenon of even bulk mode variance (PEBMV). There are two kinds of mechanisms which cause PEBMV: phase reversal and phase translation of the magnon at the interface, corresponding, respectively, to the antiferromagnetic and ferromagnetic interface coupling cases. PEBMV embodies the selective effect of the interface on different bulk magnons.