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本文推广文献 的方法到周期为L(偶数)的超晶格中,在只考虑近邻相互作用下,计算了Ising自旋(s=1)超格子在外磁场中的基态能量、相界,给出了几种典型情况下的零温相图。 相似文献
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采用自旋波的理论研究反铁磁层间耦合强度和不同自旋值对铁磁—反铁磁双层系统磁性质的影响,在层间反铁磁耦合情况下.得出了不同自旋值时每层子晶格交叉点的温度,在低温下表现出量子效应。 相似文献
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本文在一维海森堡模型的基础上,采用界面参数化方法,研究了铁磁/反铁磁双层薄膜中自旋波低温激发问题.重点讨论了表面各向异性对薄膜中自旋波共振谱的影响.结果表明:体系中的自旋波本征模存在共振行为,表面各向异性场对体模、完全禁闭模的共振谱影响较大,对界面模没有影响. 相似文献
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本文在一维海森堡模型的基础上,采用界面参数化方法,研究了铁磁/反铁磁双层薄膜中自旋波低温激发问题.重点讨论了表面各向异性对薄膜中自旋波共振谱的影响.结果表明:体系中的自旋波本征模存在共振行为,表面各向异性场对体模、完全禁闭模的共振谱影响较大,对界面模没有影响. 相似文献
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采用铁磁共振方法,研究了铁磁/反铁磁双层薄膜中交换各向异性和应力各向异性对其物理性质的影响.结果表明,单向各向异性来源于界面交换作用,应力各向异性对材料的磁化难易程度有较大影响.当外磁场方向与应力场方向平行时,应力场的存在将促进该方向的磁化.反之,应力场将会阻碍该方向的磁化. 相似文献
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采用铁磁共振方法,研究了交换各向异性和应力各向异性对铁磁/反铁磁双层薄膜性质的影响。结果表明:界面交换作用导致单向各向异性,应力各向异性对材料的磁化难易程度有较大影响。在外磁场方向接近应力场方向时,共振频率向高值方向移动,其它区域共振频率则向低值方向移动。对频率线宽而言,接近应力场方向,频率线宽加宽,其它区域频率线宽则变窄。此外,当磁场变化时,应力的存在使得共振频率向低值方向移动,尤其在β=π方向情况较为复杂,在弱场范围出现了两个区域:即在某磁场范围内,共振频率向高值方向移动,且频率线宽加宽;而其它范围的共振频率(线宽)是向高值方向移动(加宽)还是向低值方向移动(变窄),取决于外磁场的相对强弱。 相似文献
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本论述了Rb^87基态超精细塞曼能级光泵磁共振的偏振激发特性,给出了塞曼能级跃迁谱线随抽运光偏振特性的变化。 相似文献
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本从与真空接触的存在二支声子的半无限极性晶体表面附近极化子的哈密顿算符入手,应用二支模型理论,分别对GaAs和ZnO两种材料计算了外表面电子的量子像势及其极化子的基态能量,计算结果表明,利用二支模型理论求出的外表面极化子的基态能量与利用一支模型理论求出的外表在面极化子的基态能量相差较大,对GaAs,误差约为31.1%, 对ZnO,误差约为14.8%。 相似文献
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用组态相互作用方法计算了He原子基态电子关联能,为了既得到较高精度又克服计算机上遇到的困难,采用了并行分块消去迭代法,同时在多个处理器上并行计算。得到了较好的结果,并且对进一步开展对三个以上电子体系的关联能并行计算有一定的参考意义。 相似文献
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本文从理论和实验上对那些适合于小体积样品分析的激光光热光谱分析方法进行比较,探讨采用激光光热光谱法进行痕量微化学分析的可行性。 相似文献
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在Na-K混合蒸汽中,利用染料激光器,将基态Na原子双光子激发到5S态。用荧光法测量了过程Na(5S)+K(4S)→Na(3S)+K(8D,10S)的碰撞转移截面,K8D,10S对Na5S的荧光比中,含有K8D10S碰撞转移的影响。第2个实验可以消除这个影响,双光子激发K原子到8D(或10S)探测8D(10S)对10S(8D)的荧光比,Na(5S)→K(8D,10S)碰撞转移截面(10-15cm2)分别是10.5±4.2和9.5±3.8 相似文献
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用导纳谱技术研究了两类Si基量子阱样品基态子能级的性质.基于量子阱中载流子的热激发模型,从导纳谱中得到的激发能值被认为是阱中重空穴基态位置到阱顶的距离.对于SiGe合金和Si形成的组分量子阱,主要研究了退火对重空穴基态子能级的影响.发现样品的退火温度为800℃时,随退火时间延长,激发能增加.对此现象的解释是,由于Si,Ge互扩散,导致界面展宽,量子限制效应降低,重空穴基态位置下降,从而激发能增加.900℃下退火,由于扩散系数增大和应变弛豫加强,激发能值单调下降,量子限制效应引起的变化被掩盖.对于B高浓度超
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