SiC MOSFET驱动电路的设计

本文对SiCMOSFET的驱动电路进行了优化设计,并采用Boost主电路对该驱动电路进行验证。结果表明,SiCMOSFET具有较快的开关速度。相比SiMOSFET,工作频率为100kHz,上升时间由70ns减小到40ns,下降时间由100ns减小到10ns。     

新型功率MOSFET驱动电路的设计

提出了一种全新思路的功率ＭＯＳＦＥＴ驱动电路。该电路采用数字电路结构，分立器件少，易实现模块化，波形控制十分灵活，工作频率很高，适用于高频软开关的开关电源及ＤＣ／ＤＣ变换器。     

MOSFET驱动电路类型的研究与测试

引言MOSFET是一种多子导电的单极性电压控制器件,具有开关速度快、输入阻抗高、驱动功率小、热稳定性好、安全工作区宽、无二次击穿等优点,在诸多领域中获得了越来越广泛的应用。为了适应不同场合下的使用要求,各种类型的MOSFET驱动电路也相继出现。不同驱动电路的     

基于变压器隔离的功率MOSFET驱动电路参数设计

介绍了基于单电容变压器隔离及双电容变压器隔离的功率MOSFET驱动电路,并对驱动电路中各元器件的参数设计进行了详细的论述。进一步对所提出的设计方法进行了实验验证,实验结果表明该设计方法是合理有效的,驱动波形平滑无振荡,并且有较快的上升时间。     

SiC MOSFET驱动与保护电路设计

介绍了SiC MOSFET驱动电路的设计要求,基于ACPL-355JC光耦驱动模块设计了SiC MOSFET驱动和保护电路。该电路具有驱动能力强、响应迅速和多种保护等优势。另外,针对SiC MOSFET开关过程中存在的瞬态电压尖峰和振荡问题,分析了SiC MOSFET开关过程中产生过电压和振荡的机理,并在此基础上提出一种RC吸收电路参数的计算方法。实验结果表明利用该方法设计的RC吸收电路能够有效解决SiC MOSFET在开关过程中的过电压和振荡问题﹐从硬件电路上有效降低开关噪声,从而保护功率器件。     

IGCT门极驱动特性研究

IGCT（集成门极换流晶闸管）是一种同时结合GTO和IGBT优点的新型大功率半导体开关器件。本文首先结合4500V／4000A IGBT驱动电路设计，分忻IGCT基本工作原理和驱动电路工作原理。最后通过低压大电流实验，验证丁IGCT开通、关断原理。证明了IGCT在相同环境温度的导通状态下，门极驱动电流对导通睚降没有影响。     

MOSFET的驱动保护电路的设计与应用

率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用;但它承受短时过载的能力较弱,使其应用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驱动与保护电路的设计要求;计算了MOSFET驱动器的功耗及MOSFET驱动器与MOS-FET的匹配;设计了基于IR2130驱动模块的MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单,实用性强,响应速度快等特点。在驱动无刷直流电机的应用中证明,该电路驱动能力及保护功能效果良好。     

SiC MOSFET驱动电路设计及特性分析

近年来基于SiC和GaN的宽禁带半导体器件开始逐渐替代传统的Si IGBT器件,而面对高的开关速度所带来的问题,宽禁带半导体器件的开关特性分析以及驱动电路的设计在系统可靠运行方面显得尤为重要。以SiC MOSFET模块C2M0280120D为例设计了一款驱动电路,并在双脉冲测试平台对驱动电路进行了验证,同时分析了不同栅极驱动电阻对SiC MOSFET开关特性的影响。比较了传统Si器件和SiC宽禁带半导体器件在静态特性和开关特性上的差异,以分析SiC MOSFET驱动与传统Si IGBT驱动的区别。最后验证了所设计的驱动电路能保证驱动速度和栅极电压需求,并通过栅极电阻改变开关特性。     

一种功率MOSFET驱动电路

提出了一种功率MOSFET驱动电路。首先介绍了MOSFET的驱动要求及驱动不足产生的影响,然后介绍了一种外置式转换驱动电压的驱动电路,最后通过仿真验证了外置式转换驱动电压的驱动电路。     

基于UC3724／25的功率MOSFET驱动电路的设计和研究

本文介绍了专用驱动芯片组UC3724／3725的主要特点和原理，并对其构成的功率MOSFET驱动电路进行了分析和实验。实验结果表明，该集成驱动电路具有开关速度快，且能满足驱动所需的功率，是一种性能较好的驱动电路。     

基于UC3724／25的功率MOSFET驱动电路的设计和研究

本文介绍了专用驱动芯片组UC3724／3725的主要特点和原理，并对其构成的功率MOSFET驱动电路进行了分析和实验，实验结果表明，该集成驱动电路具有开关速度快，且能满足驱动所需的功率，是一种性能较好的驱动电路。     

一种基于光耦HCPL0601的光电隔离型功率MOSFET驱动电路

本文首先介绍了光耦HCPL0601的工作特性及其应用。并提出了一种应用HCPL0601实现光电隔离的功率MOSFET驱动电路的设计方案。该驱动电路同时适用于驱动上、下管的导通与关断。实验结果表明,该驱动电路可以得到有效的驱动信号。     

SiC MOSFET栅极驱动电路研究综述

凭借碳化硅(SiC)材料的宽禁带、高击穿电场、高电子饱和速率和高导热性等优点,SiC MOSFET广泛应用在高压、高频等大功率场合。传统基于硅(Si)MOSFET的驱动电路无法完全发挥SiC MOSFET的优异性能,针对SiC MOSFET的应用有必要采用合适的栅驱动设计技术。目前,已经有很多学者在该领域中有一定的研究基础,为SiC MOSFET驱动电路的设计提供了参考。对现有基于SiC MOSFET的PCB板级设计技术进行了详细说明,并从开关速度、电磁干扰噪声以及能量损耗等方面对其进行了总结和分析,给出了针对SiC MOSFET驱动电路的设计考虑和建议。     

基于MOSFET设计优化的功率驱动电路

在分析了功率MOSFET结构特性的基础上,讨论驱动电路的设计,从而优化MOSFET的驱动性能,提高设计的可靠性。     

基于MOSFET设计优化的功率驱动电路

在分析了功率MOSFET其结构特性的基础上,讨论驱动电路的设计,从而优化MOSFET的驱动性能,提高设计的可靠性。     

IGBT集成驱动电路的分析与选用

<正> 1、概述IGBT 是绝缘门极双极型晶体管的缩写。它将 MOSFET 和GTR 的优点集于一身,既具有输入阻抗高、速度快、热稳定性好、电压驱动特点;又具有通态压降低,可以向高电压、大电流方向发展等综合优点,因此 IGBT 得到了普遍应用。驱动电路的结构和参数会对 IGBT 的运行性能产生显著影响,如开关时间、开关损耗、短路电流保护能力和抗 dv/dt 的能力等。     

小小电路有乾坤——手电驱动电路

与LED手电的发光体同样重要的还有手电的驱动电路,LED对驱动电流的要求是很高的,简单的通过限流电阻来驱动的方式显然是已经淘汰的方案了。同样手电的人机界面操作也是通过手电的电路实现其调节的。     

一种用于无刷直流电机控制系统的MOSFET栅极驱动电路

介绍了一种用于无刷直流电动机控制系统的MOSFET栅极驱动电路,该电路完全利用分立元件.具有结构简单、安全可靠和实用性强等特点,该电路采用自举法驱动高压侧开关MOSFET,设置了死区时间以避免桥臂导通.并利用缓冲电阻减小振荡,通过设置合适的门极驱动电压减少了损耗,使电路效率得到了提高.     

基于MC34152的软开关变换器高速驱动电路的设计

本文介绍了高速双MOSFET驱动器MC34152的内部结构、工作原理以及由MC34152与CMOS逻辑器件组成的软开关变换器驱动电路的设计。