矩形截面多量子阱脊形波导模式特性

本文根据多量子阱双折射率的性质,运用有效折射率法分析了矩形截面多量子阱脊形波导E_mn^x模和模E_mn^y的模式特性。     

Ni-FeCr多层膜的磁各向异性和自旋波谱

Ni-FeCr多层模采用直流溅射法制备。由拟合铁磁一致共振场的角度关系确定它们具有单铀磁各向导性。各向异性能可表示为:E_K=K₁sin²θ+K₂sin⁴θ,其中K₂/K₁≈0.59。然而,表面模的特性揭示这些多层膜表面和界面的各向异性并非单轴型。我们认为这源于在表面和界面的交换耦合作用。     

碘酸锂晶体全部电弹常数的测量

本文探讨了碘酸锂晶体(α-LiIO₃,简称LI)全部电弹常数的测试方法。以压电板厚度振动模理论,推导出LI晶体独立电弹常数计算公式。对无压电耦合的弹性常数C₁₁^E和C₆₆^E,采用了声光同步测速法进行测量。最后,测量给出了LI晶体全部电弹常数和一些机电耦合系数共52个数据。     

GeSi/Si多量子阱红外探测器波导结构的理论计算

本文采用传输矩阵的方法计算了Ge_xSi_1-x/Si量子阱红外探测器结构参量对多量子阱波导结构模场分布,光场限制因子和有效吸收系数的影响,并给出了优化设计的结果.     

各向异性非线性介质平板波导中的TM波

本文讨论了在三层平板介质波导中TM₀模的传播问题.三层介质的芯区是一层各向异性的Kerr型介质,上下两层则是线性介质.本文将利用E_x² >> E_x²这一性质,求解非线性方程组,给出零级近似和1级近似的解析解.     

用有效折射率法和有限元法分析多量子阱条形光波导

本文提出了一种快速和精确分析多量子阱(MQW)条形光波导的新算法。它基于有效折射率法和有限元法的结合。首先,由等效的平面波导替换多量子阱条形结构,用有效折射率法从原来问题得到平面波导的折射率分布;然后,用有限元法计算等效结构中E_(mn)~x模和E_(mn)~y模的传播常数和场强分布。文中给出了任意阱数和不同宽度多量子阱的对称结构和不对称结构的结果。     

量子限制受主远红外电致发光器件的制备与测量

采用分子束外延技术生长GaAs/AlAs三量子阱,并在中间的GaAs阱中δ-掺杂浅受主杂质Be原子,制作出量子限制受主远红外Teraherz原型电致发光器件.实验上测量得到4.5 K时器件的电致发光谱（EL）和电传输特性（I-V曲线）.在EL发射谱中清楚地观察到222 cm^-1处宽的尖峰,这来源于Be受主奇宇称激发态到其基态的辐射跃迁,而非辐射弛豫过程则使发射谱的信号很弱.另外在I-V曲线中072和186 V的位置出现两个共振隧道贯穿现象,分别对应于中间δ-掺杂量子阱受主能级1s_3/2(Γ₆+Γ₇)到左边非掺GaAs量子阱中HH带,及右边非掺杂GaAs量子阱中HH重空穴带到中间掺杂GaAs量子阱中Be受主杂质原子奇宇称激发态2p_5/2(Γ₆+Γ₇)能级的共振隧穿.     

碘分子两个新的“E”带离子对态

使用脉冲光学双共振方法研究了碘分子“E”带离子对态,激发光总能量范围为43180—43600cm^-1。实验获得了“E”带两个尚未见报道的离子对态E₁(13≤V′_(E1)≤17)和E₂(15≤V′_(E2)≤19),其中T_(e1)=41909.13±1.786cm^-1,T_{(e相似文献}   

Be9(d,p),(d,t),(d,a)反应研究

本文在E_d=0.1—2.5MeV能量范围内,研究了Be⁹(d,p₀)Be¹⁰(0),Be⁹(d,p₁)Be¹⁰(3.368MeV),Be⁹(d,t₀)Be⁸(0),Be⁹(d,α₀)Li⁷(0)及Be⁹(d,α₁)Li⁷(0.478MeV)诸反应。在E_d=0.150,0.220,0.401,0.706,1.005,1.301,1.484,1.750,2.000,2.250和2.500MeV共十一个能量上分别测量了这五群出射粒子在θ_L=10—155°区间的角分布。在θ_L=135°,E_d=0.1—2.5MeV,在θ_L=95°,E_d=0.1—2.2MeV,和在θ_L=112.5°,E_d=0.5—2.5MeV测量了Be⁹(d,p₀)Be¹⁰的激发函数。在θ_L=135°和112.5°,E_d=1.2MeV,用较厚靶(100—300μg/cm²)测量了Be⁹(d,p₀)Be¹⁰(0)反应的截面绝对值,结果为σ_(p0)(θ_L=135°)=1.60mb/sr,σ_(p0)(θ_L=112.5°)=1.55mb/sr。这样就得到了在此能区内,这五群出射粒子的截面情况。对所得结果进行了一些讨论。     

论三能级变频器

本文计算了三能级(E₃>E₂>E₁)量子变频器输出的相干部分与非相干部分的线型。分别对光频波之间、光频波与微波间以及微波间的变频作了讨论。三能级量子变频器有两类工作方式。在方式Ⅰ中,泵频率～1/?(E₂—E₁),输入讯号频率～1/?(E₃—E₂),输出讯号频率～1/?(E₃—E₁)。在方式Ⅱ中,泵频率～1/?(E₃—E₂),输入讯号频率～1/?(E₂—E₁),输出讯号频率～1/?(E₃—E₁)。本文计算表明对于光频波段的变频,工作方式Ⅱ是比较优越的。     

多量子阱光波导中非线性TM波的有限元解

本文用有限元法分析了任意非线性介质的多量子阱(MQW)光波导中传输与总光功率有关的TM波性质。用简单的迭代过程得到目洽解。给出了MQW波导具有不同非线性机理时,非线性TM波的色散关系、磁场(Hx)以及二个电场(Ey和Ez)的分布。结果表明:分子取向机理的光波导对非线性TM模存在不同的功率限制作用。     

多量子阱平面光波导的有限元分析

本文利用有限元法分析了多量子阱平面光波导的传播特性,给出了任意阱数多量子阱光波导_TE模和TM模的有效折射率和TE模的强度分布.结果表明:γ(势阱与势垒的厚度比)值的改变,影响波导中导模的模式数目、有效折射率、双折射和强度分布;并发现在某些情况下,均方根近似是不适用的.     

多量子阱波导的传输和色散特性

本文用Floquet理论分析了多量子阱(阱垒数N>>1)波导的传输和色散特性,给出了适用于TE和TM两种偏振态的等效三层平板波导芯子折射率的解析公式,该公式清楚地说明了多量子阱波导的本征双折射行为。     

InGaAsP/InP evanescent mode waveguide optical isolators and their application to InGaAsP/InP/Si hybrid evanescent optical isolators

We theoretically investigated InGaAsP/InP evanescent mode waveguide optical isolators and proposed their application to InGaAsP/InP/Si hybrid evanescent optical isolators. InGaAsP/InP evanescent optical isolators are composed of semiconductor optical amplifier (SOA) waveguides having InGaAsP multiple quantum well (MQW) active layer and upper InGaAsP waveguide layer with ferromagnetic layer. Optical isolation is obtained for evanescent optical mode in the InGaAsP waveguide layer. InGaAsP/InP/Si hybrid evanescent optical isolators are theoretically proposed based on the idea of InGaAsP/InP evanescent optical isolators. InGaAsP/InP/Si hybrid evanescent optical isolators are composed of ferromagnetic metal loaded silicon evanescent waveguides with wafer-bonded InGaAsP/InP optical gain material. The optical isolation and propagation loss are discussed with the structure of silicon evanescent waveguides, and optical isolation of 8.0 dB/mm was estimated. The concept of semiconductor evanescent mode optical isolators is feasible with InP based photonic integrated circuits and advanced silicon photonics.     

离散谱折射率法分析深刻蚀、单模GaAs/GaAlAs脊形光波导

本文采用离散谱折射率法对深蚀刻、GaAs/GaAlAs多层脊形光波导模式特性进行了具体分析和设计,获得了较大截面、低损耗的单模脊形光波导.利用这种横向具有最大折射率差的深蚀刻脊形光波导不但可以提高多模干涉(MMI)型器件的性能,而且在设计和制作弯曲波导、分支结构时,具有结构紧凑、易于集成等优点.     

用二维时域有限差分法分析条形多层波导

为精确分析条形多层波导和多量子阱波导，本文提出了一种以二维时 限差分法为基础的全波数值方法，给出了场分布的色散特性的数值结果，并与矢量有限元法已有的结果作了比较；文中还研究了以二维时域有限差分法为基础的标量近似技术，提出了它的有效性和精度的局限性。     

The study of multilayer planar optical waveguide structure with nonlinear cladding

A novel method for analyzing the multilayer and multibranch optical waveguides with nonlinear cladding is presented. This method can also be used to analyze the multiple-quantum-well (MQW) waveguide structure. Numerical simulation results show that our analyses are reasonable.     

平行光子晶体波导的传输特性及应用

采用时域有限差分法研究两平行光子晶体波导的传输特性及模场分布,利用耦合模理论计算光子晶体波导的耦合系数。计算结果表明,在不同的频率范围内两平行光子晶体波导之间表现出不同的耦合特性:在高频段(0.32~0.44)(ωa/2πc)的范围内两直波导表现出相互的能量交换,实现光耦合,耦合系数随入射波 频率增加而减小;而在低频段(0.29~0.32)(ωa/2πc)的范围内,两波导的传输谱图几乎重合。最后,提出一种采用固定波导耦合长度同时实现光分束及光均分器的方案,当耦合长度取34a时,可将频率为0.333 (ωa/2πc)和 0.357(ωa/2πc)的两入射波分束传播,同时将低频段中的任意频率波进行能量均分。