锑基化合物半导体集成电路

锑基化合物半导体集成电路(ABCS IC)是一类国外正在积极开发的超高速、低功耗电路.特别值得注意的是晶格常数为6.1(A)的锑化物,它们的能带隙在很宽的范围内可调,为许多新型功能材料和高性能ABCS电路的研究开发创造了极大的发展空间.文章概要介绍了锑基化合物半导体(ABCS)的优异特性和国外研究ABCS IC的初步成果.     

化合物半导体材料制片技术探讨

本文主要探讨化合物半导体材料磨片、抛光工艺中与表面质量有光的因素,并对一些不利因素提出了改进措施。     

毫米波化合物半导体材料研究进展

毫米波集成电路成为毫米波系统应用中必不可少的核心技术,化合物半导体材料砷化镓、磷化铟无疑在毫米波集成电路制造中占据重要地位,继砷化镓、磷化铟占据毫米波芯片衬底材料主流之后,以氮化镓材料为代表的第三代半导体材料逐渐成为目前国际毫米波芯片制造的材料研究热点。本文对以砷化镓、磷化铟、氮化镓为代表的毫米波化合物半导体材料技术及其发展,进行了总结与展望。     

半导体光电子学的进展

综述了第八届集成光学和光纤通信国际会议(IOOC’91)与第十七届欧洲通信会议(ECOC＇91)上报道的有关半导体光电子学进展情况。     

世纪之交的半导体IC市场及封装技术（上）

半导体ＩＣ技术将以高速发展的态势迎接２１世纪的到来。半导体产业的三个方面军－设计业、芯片制造业、封装业都将以崭新的面貌、空前的规模向新世纪挺进。本文从技术和产品出发,介绍了世纪之交封装技术的特点、难点及走向,展现封装产业的美好前景。     

Pd-化合物半导体界面的价带研究

利用同步辐射光电子能谱对 Pd/GaAs、Pd/InP、Pd/InSb及 Pd/PbS界面形成过程中价带的变化进行了研究.在覆盖度θ(?)40A范围.上述界面体系的价带谱均主要由Pd4d带构成,并在Permi能级附近存在一个由Pd与衬底原子相互作用反键轨道形成的过渡肩峰;随着覆盖度增加,这一过渡肩峰逐渐被Pd4d带主峰所覆盖;对Pd4d带双峰进行解谱,得出了峰位置、峰半高宽及峰分裂间距随θ的变化关系,并由此对各体系中的界面过程进行了讨论.不同界面体系中,两类基本的界面过程——表面偏析与化学相互作用过程——的贡献各不相同,其中衬底负离子组份化学活性较强的界面体系中,化学相互作用过程为主被证明.