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概述了ZnO量子点的基本制备方法及生长特点,着重回顾了目前量子限制效应对ZnO量子点光电性能影响的研究进展。 相似文献
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热氧化法制备的ZnO薄膜的光致发光特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在空气中利用热氧化方法分别在P型硅、高阻硅、陶瓷以及N型硅衬底上制备了氧化锌(ZnO)薄膜.同时在氧气中、P型硅衬底上氧化制备少量氧化锌薄膜加以比较.氧化时间固定为1 h,氧化温度300℃~800℃.采用X射线衍射(XRD)以及光致发光(PL)光谱研究比较薄膜的结构和PL特性.发现在氧气中氧化样品质量明显好于在空气中氧化的样品.氧气中300℃氧化时有最窄的半高宽和最大的晶粒尺寸.在高阻硅材料衬底上制备的ZnO薄膜表现出较好的紫外发射带,而在陶瓷材料上表现出较好的绿色发射带.而N型材料也是较好的紫外发射材料,P型材料在低温下表现出较好的发光特性. 相似文献
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Cu掺杂对ZnO量子点光致发光的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
通过溶液法合成了Cu掺杂ZnO量子点。X射线衍射(XRD)和高分辨电子透射电镜(HRTEM)图像显示Cu掺杂ZnO量子点具有六角纤锌矿结构,晶粒大小为4~5nm。Cu掺杂抑制了ZnO量子点颗粒长大。室温光致发光(PL)谱观察到紫外带边和可见区两个发射峰。随着Cu掺杂浓度的增大,紫外荧光峰位发生缓慢红移,由366nm移到370nm;可见区发射峰位发生蓝移,由525nm移到495nm;同时,两个发射峰强度降低。光谱结果表明:Cu的掺入,一方面抑制表面与O空位有关的缺陷,在495nm出现了与Cu1+有关的发射峰;另一方面,Cu离子掺入ZnO量子点引入一些非辐射中心,降低了自由激子发射。 相似文献
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Two types of GaAs/AlGaAs quantum dot arrays with different dot size are fabricated by dry etching and dry-wet etching. PL spectra of the quantum dot arrays at low temperature show the blue shifts due to the quantization confinement effects, and the blue-shift increases with the decrease of the dot size. It is also found that wet chemical etching can reduce the surface damage caused by high-energy ion etching and improve the optical characteristics of the quantum dot arrays. 相似文献
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用一步或两步简单的化学溶液法,以醋酸锌为原料,六亚甲基四胺或三乙醇胺为催化剂在玻璃衬底上生长出不同形貌的纳米和微米ZnO棒.探讨了反应液的酸碱度和反应液浓度对生成的ZnO棒形貌的影响,并分析了其生长机制.随着溶液浓度的增加,棒的长度与直径比减小,同时玻璃衬底上生长的ZnO棒从无序分布趋于垂直于衬底平行取向分布.随着pH值的改变,棒的形状由在弱酸性溶液中的细长棒状变为在弱碱性溶液中的圆头对称短棒;当碱性增大到一定程度时,可以生成颗粒状.通过控制一定的酸碱度和溶液浓度,可以得到规则的六角ZnO棒状阵列.测量了样品的XRD和扫描电镜像,并对其发光性能进行了测量分析.其中规则有序六角棒的发光光谱表明峰值在530nm,半高宽为220nm,可能是Vo+的电子和价带中的空穴辐射复合所致. 相似文献
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水浴法制备形貌可控的一维ZnO纳米和微米棒 总被引:1,自引:2,他引:1
用一步或两步简单的化学溶液法,以醋酸锌为原料,六亚甲基四胺或三乙醇胺为催化剂在玻璃衬底上生长出不同形貌的纳米和微米ZnO棒.探讨了反应液的酸碱度和反应液浓度对生成的ZnO棒形貌的影响,并分析了其生长机制.随着溶液浓度的增加,棒的长度与直径比减小,同时玻璃衬底上生长的ZnO棒从无序分布趋于垂直于衬底平行取向分布.随着pH值的改变,棒的形状由在弱酸性溶液中的细长棒状变为在弱碱性溶液中的圆头对称短棒;当碱性增大到一定程度时,可以生成颗粒状.通过控制一定的酸碱度和溶液浓度,可以得到规则的六角ZnO棒状阵列.测量了样品的XRD和扫描电镜像,并对其发光性能进行了测量分析.其中规则有序六角棒的发光光谱表明峰值在530nm,半高宽为220nm,可能是Vo 的电子和价带中的空穴辐射复合所致. 相似文献
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利用椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜,研究了相同温度下不同退火气氛及压强处理对溶液旋涂法制备a-IGZO光学特性和薄膜微观结构的影响。实验结果表明,当退火气氛为O2时,压强由0.1 MPa增加到1.5 MPa,薄膜的光学带隙由3.23 eV增大到3.31 eV,表面粗糙层由6.77 nm降低到4.77 nm。与N2气氛相比,1.5 MPa O2气氛下薄膜的光学带隙有所提高,表面粗糙度也有所降低。因此,在1.5 MPa O2气氛下,可以有效降低薄膜内部有机物的残留及缺陷,形成更加致密的非晶a-IGZO薄膜。 相似文献
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低温条件下(95℃),采用ZnO种子辅助化学反应法,成功制备了宏量直、细的ZnO纳米棒;用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)等分析手段对纳米棒的结构和形貌进行了表征;同时还对ZnO纳米棒的形成机理作了分析;并以ZnO纳米棒作为光催化荆,对甲基橙(MO)溶液进行了光催化实验.结果表明,ZnO与Zn源的摩尔比对ZnO纳米棒的形貌影响很大,PVA通过空间位阻效应控制ZnO纳米棒的长度,ZnO纳米棒有较好的光催化活性. 相似文献