电场中高分子的发光和激子的解离

研究了电场对高分子的发光及激子的影响.1.在强电场中，激子会解离成正负极化子对，这可定量解释最近观察到的实验：(1)电场超过1.5MV/cm时，PPP衍生物的发光强度很快减弱；(2)电场对4.5MV/cm时，发光强度减为24%；(3)电场使发光光谱向蓝色移动.2.高分子中π电子具有“离域性”，易于极化.算得高分子中激子具有很大的极化率，比氢原子大三个数量级以上. 关键词：     

电场对高分子中极化子激子的影响

介绍了近年来有关外电场对高分子中极化子激子影响的研究工作。它们包括 :研究方法 ,外电场注入的或光激发引起的电子和空穴会在高分子中形成极化子激子 ,弱或中等强度电场使极化子激子极化 ,强电场解离极化子激子 ,发现高分子中极化子双激子具有反向极化新性质 ,探讨反向极化这个新的物理现象的物理起因、意义及可能的应用。     

电场对高分子中极化子激子的影响

介绍了近年来有关外电场对高分子中极化子激子影响的研究工作。它们包括：研究方法,外电场注入的或光激发引起的电子和穴穴会在高分子中形成极化子激子,弱或中等强度电场使极化子激子极化,强电场解离极化子激子,发现高分子中极化子双激子具有反向极化新性质,探讨反向极化这个新的物理现象的物理起因、意义及可能的应用。     

高分子中的激子-激子复合过程

高分子的一维特性使电子激发产生显著的自陷(self-trapping)效应，两个单激子(exciton)会复合形成双激子(biexciton)，这是形成双激子的重要通道，其效率高于双光子过程.这种复合过程伴随着晶格畸变，需要了解其演变过程并确定其弛豫时间.本文利用动力学方程研究了激子-激子复合的弛豫过程，确定了它的弛豫时间为160fs，同时还研究了外电场E对复合过程的影响，结果表明，当E大于0.5MV/cm时，两个单激子不能复合成双激子，而是解离成正负双极化子. 关键词：     

半导体中的双激子压缩态及其复合辐射

本文引进双激子压缩态,在单激子“非玻色近似”和玻色近似两种情形下,讨论了量子关联和空间关联的双激子的压缩特性、二阶相关特性及其复合辐射光的压缩特性,说明两种情形下双激子玻色近似分别相当于SU(2)群和SU(1,1)群到谐振子群的收缩,并给出这种收缩所带来的结果。 关键词：     

高分子中激子和双激子的极化率(解析计算)

高分子的电致发光是载流子在电场中的输运和复合,为了阐明它的机理,需要研究高分子中激子的极化性质,首先求得了激子和双激子的解析解,然后用线性响应的Green函数方法计 算了两者的极化率,解析地证明了一个重要的结论：激子的极化率为正,双激子的极化率为负.从激子跃迁至双激子,高分子的电偶极矩要反转方向. 关键词： 激子 双激子 解析解 负极化率     

链间耦合对聚合物中双激子态反向极化的影响

从紧束缚模型出发，研究了链间相互作用对双激子态反向极化的影响.结果发现：加链间耦合后，双激子态仍主要局域在一条链中.当简并破缺较小时，反向极化程度随耦合强度的增加大幅提高；当简并破缺较大时，反向极化程度随耦合强度的增加基本不变. 关键词： 反向极化 双激子态 链间耦合     

电场作用下高分子中自陷束缚激了的极化

用同时计入电场、对称破损项ｔｅ和电子－晶格相互作用的紧束缚模型研究了电场作用下高分子中的自陷束缚激子，发现电场使高分子中自吵缚激子内电荷发生转移，出现极化，极化程度随场强增加，也与ｔｅ有关，并发现ｔｅ≤０．１ｅＶ时，双激子态表现出反向极化特性，这一特性可根据极化的量子力学化理论得到理解：对高分子的自陷束缚激子，其禁带中央附近存在两上靠得很近的定域电子态即上定域态和下定域态，用微扰论说明限上定域态是     

有机高分子链内的场致激子解离

基于SSH(Su-Schrieffer-Heeger)模型,采用静态及动力学自洽算法模拟了有机高分子链内激子在光激发及外电场作用下的形成与解离过程。结果表明,受光激发后,有机高分子链内激子的生成与解离密切依赖于施加外电场的时机,当外电场与光激发同时发生时,激子能否生成完全取决于电场强度的大小;而当外电场在光激发后的一段时间(通常为皮秒量级)之后被引入,则在有机高分子链内能够形成稳定的激子,且该激子只有在强外电场(超过1MV/cm)的作用下,才会发生解离,临界场强量级与实验结果相符合。     

均匀弱磁场中的Kasuya双荷外部引力场

利用Ernst方法,在Harrison变换为线性变换的条件下,得到Kasuya荷电荷磁的外部引力场解,解中所含常量B₀表示一均匀弱磁场,该解不要求q=-2B₀J.当r趋于∞时,度规接近Melvin’s磁宇宙的渐进行为.该度规是非渐近平直的,在均匀外磁场下这是合理的结果. 关键词： Ernst方法 Kasuya双荷 磁场 引力场     

磁场中简并四波混频的偏振旋转效应

本文讨论了磁场中简并四波混频的偏振旋转效应。计算了J_g=0→J_e=1跃迁的三阶非线性极化率X_yxx⁽³⁾。它包括两个部分:一部分是由于布居差的饱和效应产生的;另一部分是由于原子与光场的相互作用中,感生出来的塞曼相干所造成的。 关键词：     

带电粒子在偶极子电场中的运动

求得了带电粒子在电偶极子产生的电场中的径向运动方程 ,分析了带电粒子在该电场中各种可能的运动规律     

磁畴壁在复合外场中的运动方程及其在磁弹性内耗的应用

在以速率α匀速增加的磁化场中,测量铁磁性材料的内耗时,材料中畴壁所受的力除了外加磁化场所提供的主驱动力A₀⁰+A₁⁰αt,以及测量内耗所用交变应力所提供的微扰交变驱动力A₃⁰sinωt之外,经分析表明,还存在一项在数值上与主驱动力及交变驱动力的乘积成正比的交互作用驱动力,可写为A₂⁰sinωt。这里的A₀关键词：     

时间相关外场中量子系统时间演化的辛格式

对显含时间的可分线性哈密顿系统构造了2阶模方守恒-辛格式和显式辛格式,并计算了1维有限宽无限深势阱中的电子与模拟激光场的相互作用,结果与理论分析一致。为数值研究时间相关外场中的量子系统,特别是强激光与原子相互作用提供了合理和有效的方法。     

LINEAR ELASTIC RESPONSE OF TUBES TO INTERNAL DETONATION LOADING

This paper deals with the structural response of a tube to an internal gaseous detonation. An internal detonation produces a pressure load that propagates down the tube. Because the speed of the gaseous detonation can be comparable to the flexural wave group speed, excitation of flexural waves in the tube wall must be considered. Flexural waves can result in much higher strains and stresses than static loading with the same loading pressures. Experiments and numerical simulations were used to determine the structural response. In the experiments, a detonation tube was instrumented with a number of strain gages. A series of experiments was carried out under different conditions. Strains were measured that exceeded the equivalent static strain by up to a factor of 3·9. Special attention was paid to the influence of the detonation speed, reflection and interference of structural waves at flanges and also at the tube end, the linearity of the response, the transient development of the deflection profile, and the influence of detonation cell size. Analytical models and finite element models were used to interpret the observations and to make quantitative predictions of the peak strain.     

外磁场作用下磁流体薄层的光学特性研究

基于磁流体的微观聚集结构,本文建立了研究磁流体薄层光学性质的模型,运用蒙特卡洛方法模拟计算了磁流体薄层的光谱透射率,并分析了外加磁场对磁流体薄层透射率的影响.结果表明外加垂直于磁流体薄层方向的磁场作用时,磁流体薄层的光谱透射率会随着外加磁场强度的增大而增大.而外加平行于薄层方向的磁场作用时,磁流体薄层的光谱透射率无明显变化,但局部透射率呈现矩形波式的分布.