首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
在波长为423—475nm的激光作用下对呋喃分子的多光子电离离解过程进行了研究.在此实验波段内,呋喃分子主要经历的是(3+1)多光子过程.得到了呋喃分子的共振多光子电离分质量谱以及离子强度与激光强度的关系.对共振多光子电离谱峰进行了里德堡态标识. 关键词:  相似文献   

2.
355 nm激光作用下甲胺分子的多光子电离研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用飞行时间(TOF)质谱装置研究了甲胺分子在355 nm激光作用下的多光子电离情况,实验得到了清晰的质谱图,对其中的母体离子和主要产物离子(m/z=30,28)进行初步分析后,利用ab initio计算方法对各产物离子的产生过程和稳定构型进行了进一步的确认.特别是通过QST3方法找到了m/z=30到m/z=28的离子反应的过渡态构型,通过相应的IRC计算对此反应进行了很好的验证,从而进一步确定了m/z=28的离子就是CHNH .  相似文献   

3.
本文采用分子束和改装过的质谱装置,进行了氯化氙准分子激光诱导的氨分子紫外光电离的研究。我们不仅在(m/e)=16,17处分别观察到NH_2~+和NH_3~+离子峰,而且还在(m/e)=18处观察到NH_4~+离子峰。为搞清各种离子特别是NH_4~+离子的产生机理,测量了各种离子产率与样品压强和激光功率的依赖关系。  相似文献   

4.
强激光非线性条件下分子的多光子电离过程呈现出较为明显的强场效应.由于这种效应不能用传统的量子微扰论来处理。“缀饰态”模型方法提供了物理图象清晰的处理光与物质相互作用的方案.本文基于含时波包动力学的基本理论,将激光场看作经典场,利用“缀饰态”模型研究了强场下双原子分子(NO、RbI等)的多光子电离过程.研究表明,激光场的强度、泵浦-探测脉冲延迟时间等对多光子电离光电子能谱的形状有着重要的影响。而这种影响是由光诱导势引起的.另外,在研究具有两个连续态的Rbl体系时,自电离现象的发生也与势能面的交叉密切相关,并受外场强度的影响.本文计算模拟外场中分子的光电子能谱时所得到的强场效应对理解和实现原子分子过程的激光搛控具有重要的意义.  相似文献   

5.
6.
强激光非线性条件下分子的多光子电离过程呈现出较为明显的强场效应.由于这种效应不能用传统的量子微扰论来处理,"缀饰态"模型方法提供了物理图象清晰的处理光与物质相互作用的方案.本文基于含时波包动力学的基本理论,将激光场看作经典场,利用"缀饰态"模型研究了强场下双原子分子(NO、RbI等)的多光子电离过程.研究表明,激光场的强度、泵浦-探测脉冲延迟时间等对多光子电离光电子能谱的形状有着重要的影响,而这种影响是由光诱导势引起的.另外,在研究具有两个连续态的RbI体系时,自电离现象的发生也与势能面的交叉密切相关,并受外场强度的影响.本文计算模拟外场中分子的光电子能谱时所得到的强场效应对理解和实现原子分子过程的激光操控具有重要的意义.  相似文献   

7.
强激光非线性条件下分子的多光子电离过程呈现出较为明显的强场效应.由于这种效应不能用传统的量子微扰论来处理,“缀饰态”模型方法提供了物理图象清晰的处理光与物质相互作用的方案.本文基于含时波包动力学的基本理论,将激光场看作经典场,利用“缀饰态”模型研究了强场下双原子分子(NO、RbI等)的多光子电离过程.研究表明,激光场的强度、泵浦-探测脉冲延迟时间等对多光子电离光电子能谱的形状有着重要的影响,而这种影响是由光诱导势引起的.另外,在研究具有两个连续态的RbI体系时,自电离现象的发生也与势能面的交叉密切相关,并受外场强度的影响.本文计算模拟外场中分子的光电子能谱时所得到的强场效应对理解和实现原子分子过程的激光操控具有重要的意义.  相似文献   

8.
利用多光子电离与飞行时间质谱相结合的方法,分析了乙胺分子在355nm激光作用下的电离信号随激光强度的变化。在355nm激光作用下,随着激光强度的增加,母体离子和大质量离子的信号逐渐减弱,小质量的离子信号逐渐增强,分析了乙胺分子在355nm激光作用下的解离过程。  相似文献   

9.
碘分子光学双共振多光子电离光谱   总被引:1,自引:0,他引:1  
  相似文献   

10.
利用平行板电极装置研究了四甲基硅在410~378 nm内的MPI光谱;利用TOF质谱仪研究了该分子在402~371 nm内若干个波长点处的TOF质谱;利用四极质谱装置研究了它在355 nm处的MPI质谱.测得了355 nm下Si(CH3)+n(n=1,2,3,4)及Si+的激光光强指数,以及其信号强度占总信号强度的分支比随光强的变化关系.据此,讨论了该分子MPI过程的可能通道,得出了Si+主要来自于母体分子的多光子解离-硅原子的电离、Si(CH3)+n(n=1,2,3)主要来自于Si(CH3)n(n=1,2,3)的自电离、Si(CH3)+4来自于母体分子的(3+1)电离的结论.  相似文献   

11.
乙胺分子的多光子电离过程质谱研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
报道了乙胺分子在440~475nm波长范围内多光子电离(MPI)质谱(MS)研究结果。碎片离子主要由母体离子碎裂模式产生。母体离子CH3CH2N+·H2由经3s里德堡态的(2+2)共振多光子电离产生后,大部分发生β键断裂,形成CH2=N+H2离子,还有一部分再吸收一个光子,通过C-H(CH2)键的断裂产生了CH3CH=N+H2离子。CH3CH=N+H2和CH2=N+H2离子最容易发生的碎裂过程是脱去氢分子,分别产生C2H4N+(分子式)离子和CH≡N+H离子。  相似文献   

12.
本文用多光子电离的方法,观察了IBr分子高电子态(E)的2光子共振跃迁,结合Franck-Condon原理,从IBr分子的振动谱分析,首次得到IBr(E)态的转动常数B’_(?)-(0.0653±0.0003)cm~(-1).  相似文献   

13.
利用飞行时间质谱仪在超声射流冷却条件下探讨了532 nm激光作用下CH3I分子的多光子电离(MPI)解离过程和机制,得到了分子的飞行时间质谱,质谱中包含较强的I 、CH3 离子信号和较弱的CH3I 、CHn (n≤2)、C 、H 离子信号.不同激光能量下的质谱信号在排布上相似,但在强度上有差别.在532 nm激光作用下CH3I分子的多光子电离包括两个过程:一是CH3I分子由双光子激发到A带解离,生成I原子和CH3基团,然后再吸收光子实现中性碎片电离;另一通道是CH3I分子由三光子共振激发到里德堡C态,处于激发态的母体分子继续吸收两个光子电离形成母体离子,碎片离子可由母体离子解离形成.  相似文献   

14.
15.
本文分析了在XeCl准分子激光作用下NH_3分子的多光子电离质谱形成机理。所建立的动力学模型包括主要由经过中间态(6)和(1)的(2+1)共振多光子电离,生成NH_3~+;离子-分子反应形成大量的NH_4~+;经(6)态的(2+2)共振多光子电离,可能产生低产额的NH_2~+。这个模型的速率方程解与实验测量符合得很好,并在离子流强度对激光脉冲宽度的依赖关系中预示直接电离或间接电离机制的信息。  相似文献   

16.
利用激光质谱法,采用355 nm及532 nm激光作为光源对丁酮分子进行了多光子电离解离研究,得到了2种波长下丁酮的多光子电离飞行时间质谱图主要有质荷比为1(H ),15(CH3 ),43(CH3CO )的质谱峰.532 nm质谱比较丰富,有较强的质荷比为45的信号,可以认为这是丁酮异构体电离解离得到的产物;同时探测到了质荷比为4,6,8的信号,可能是高价离子.355 nm质谱图相对简单.根据信号比例随激光能量的变化及主要的离子信号,得出了2种波长下主要的解离电离通道.  相似文献   

17.
利用激光质谱法,采用355 nm及532 nm激光作为光源对丁酮分子进行了多光子电离解离研究,得到了2种波长下丁酮的多光子电离飞行时间质谱图主要有质荷比为1(H ),15(CH3 ),43(CH3CO )的质谱峰.532 nm质谱比较丰富,有较强的质荷比为45的信号,可以认为这是丁酮异构体电离解离得到的产物;同时探测到了质荷比为4,6,8的信号,可能是高价离子.355 nm质谱图相对简单.根据信号比例随激光能量的变化及主要的离子信号,得出了2种波长下主要的解离电离通道.  相似文献   

18.
利用飞行时间质谱仪研究了CH3I分子在430~490nm激光作用下的多光子电离(MPI)离解过程和机制。得到了分子的飞行时间质谱,从整个实验波段430~490nm的MPI离子谱发现,短波的MPI离子谱峰相对较高,长波的MPI离子谱峰相对较宽而弥散,对MPI离子谱中的一些共振峰标识为分子的(5pπ,8s)(5pπ,6p)以及(5pπ,7s)里德堡态共振吸收峰。还标识了(5pπ,7s)里德堡态的系列振  相似文献   

19.
多光子电离质谱研究方法简介   总被引:1,自引:0,他引:1  
  相似文献   

20.
SO2在308nm的多光子电离飞行时间质谱研究   总被引:1,自引:1,他引:1  
钱谊乐  李昭临 《光学学报》1990,10(10):11-916
我们在超声分子束条件下,利用308nm波长的XeCl准分子激光对SO_2分子进行了多光子电离飞行时间质谱实验研究.实验中我们观测到了S~+、SO~+和SO_2~+的质谱信号,测量了各离子信号强度随激光强度的变化关系,并探讨了可能的多光子电离/解离机制.  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号