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采用场离子显微镜原子探针实验技术可以观察研究材料内部原子尺度微观组织,但该方法对材料有破坏性,试样难以制备却经常损坏.本文介绍一种再制备场离子显微镜原子探针试样的微抛光技术.具体描述了这种技术的原理,操作方法与注意事项;同时还提供了实际仪器构型外观,以便读者应用.这种微抛光方法简单易行,不仅可用来再制备变钝或断裂了的试样,还可用来制备具有特殊初始几何形状、或满足特殊研究需要的试样. 相似文献
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顶部籽晶技术与熔融织构生长工艺的结合已经被证明是制备单一晶体取向的YBaCuO单畴超导体的成功方法.由于YbaCuO晶体的生长速度慢,使大尺寸单畴超导快的制备受到限制.采用多籽晶的方法可以减少生长大块材料的时间,但多籽晶诱导生长的大晶粒的边界通常是弱耦合的,材料的磁浮力和冻结磁场性能明显低于单籽晶生长的材料.本研究在采用多籽晶法制备YBCuO超导块时,通过在先驱物坯料的顶部增加成分梯度过渡层的方法成功地生长出单畴结构的超导材料.冻结磁通的分布为单峰状,证实材料为单畴结构,其磁浮力也达到单籽晶样品的水平.这些结果表明成分梯度层和多籽晶结合的工艺可以改善多籽晶生长样品的晶界耦合,是生长大尺寸单畴超导材料的一种可行方法. 相似文献
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组合材料芯片技术是用一系列掩膜在同一块基片上获得含不同参数单元样品面阵的方法.文章介绍了它在量子阱特性、碲镉汞零偏电阻值、三元合金制备、半导体深能级捕获截面的研究以及在波分复用器件、滤光片式分光元件制作方面的一些新应用.作为一种新的材料功能操控或制备技术,它在研究材料性质变化规律、建立材料性能数据库、筛选优良材料和制作面阵型元件等方面表现出高效、快捷等特点. 相似文献
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在聚合物基体中掺入少量的层状硅酸盐所制备的聚合物/粘土纳米复合材料,其阻隔性能明显地优于纯聚合物及其传统的复合材料。实验及分析结果表明,聚合物/粘土纳米复合材料的微观结构和阻隔性能主要受控于粘土剥离后的径厚比.一简单的重整化群模型被用来评估粘土几何因素(诸如径厚比、取向、剥离程度等)对聚合物/粘土纳米复合材料阻隔性能的影响,所得到的逾渗阈值及最佳粘土含量与实验结果吻合。 相似文献
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离子溅射自 1852年被 Crove[1]研究以来,至今已发展成为一种用途颇广的技术.如清洁固体表面、溅射淀积薄膜、制作微电子线路、加工光学器件、侵蚀金相样品及制作透射电子显微镜薄箔样品等.后两者现已成为研究物质微观组织结构的手段之一.四十年代末,有人用溅射法侵蚀锻件的“流线”,五十年代初,溅射法已被用来制备透射电镜样品.1960年Paulus和Reverchon[2]用装有离子枪的装置,制备锰铁氧体簿箔,观察到堆垛层错,使溅射法制备样品的技术得到巨大的进展. 溅射法制备透射电镜样品的方法,是利用离子的轰击作用将样品光滑地减薄至出现一个或数个… 相似文献
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得益于低温技术和超导磁体技术的发展,10T以上无液氦超导磁体技术已经比较成熟.作为提高高温超导材料性能的手段,强磁场技术应用于高温超导材料制备过程中的研究得到了广泛开展.本文介绍强磁场下高温超导材料制备研究的现状、进展及发展趋势. 相似文献
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一维量子材料制备新进展 总被引:5,自引:0,他引:5
文章简要评述了一种制备一维半导体量子材料的新方法,即用碳纳米管作为模板,通过化学气相反应生长半导体纳米线,用此方法已经成功地制备出了一系列碳化物纳米线,更重要的是还制备出了GaN纳米线. 相似文献
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物理学与新型(功能)材料专题系列介绍(Ⅱ):精细复合功能材料 总被引:4,自引:0,他引:4
本文介绍了精细复合功能材料的发展概况和复会材料结构参数(如复合度.联结型、对称性、周期性和标度)的基本概念,讨论了这些结构参数对材料性能的影响;简要地叙述了精细包合功能材料的制备技术,指出了制务技术方面的难点和探索研究的方向;最后扼要地介绍了精细复合功能材料在电子技术中的应用,指出精细复合功能材料可能是一种有价值的光电子材料. 相似文献
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稀磁半导体--自旋和电荷的桥梁 总被引:5,自引:0,他引:5
稀磁半导体可能同时利用载流子的自旋和电荷自由度构造将磁、电集于一体的半导体器件.尤其是铁磁半导体材料的出现带动了半导体自旋电子学的发展.室温铁磁半导体材料的制备,半导体材料中有效的自旋注入,以及自旋在半导体结构中输运和操作已成为目前半导体自旋电子学领域中的热门课题.稀磁半导体呈现出强烈的自旋相关的光学性质和输运性质,这些效应为人们制备半导体自旋电子学器件提供了物理基础. 相似文献
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硅的可见光发射—通向全硅光电子集成之途 总被引:1,自引:0,他引:1
由于Si是一种禁带宽度只有1.1eV的间接带隙材料,其发光效率极低,因此长期以来Si被认为是一种不可能用于制作可见光区光电器件的材料.但近一两年才出现的多孔硅光致发光现象,对人们的这种传统概念产生了巨大的冲击,一股多孔硅的研究热潮也正在兴起.本文将结合作者在多孔硅方面的工作,对多孔硅光致发光现象的研究背景、现状和潜在的应用作了较详细的介绍. 相似文献
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采用电子束蒸发法制备了NiO薄膜,并对其作为碲化镉薄膜太阳电池背接触缓冲层材料进行了相关研究.NiO缓冲层的加入使得碲化镉太阳电池开路电压显著增大.通过X射线光电子能谱测试得到的NiO/CdTe界面能带图表明NiO和CdTe的能带匹配度很好.NiO是宽禁带P型半导体材料,在电池背接触处形成背场,减少了电子在背表面处的复合,从而提高电池开路电压.通过优化NiO薄膜厚度,制备得到转换效率为12.2%、开路电压为789 mV的碲化镉太阳电池.研究证实NiO是用来制备高转换效率、高稳定性碲化镉薄膜太阳电池的一种极有前景的缓冲层材料. 相似文献