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相似文献
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1.
沙维 《物理》1990,19(12):739-740
采用场离子显微镜原子探针实验技术可以观察研究材料内部原子尺度微观组织,但该方法对材料有破坏性,试样难以制备却经常损坏.本文介绍一种再制备场离子显微镜原子探针试样的微抛光技术.具体描述了这种技术的原理,操作方法与注意事项;同时还提供了实际仪器构型外观,以便读者应用.这种微抛光方法简单易行,不仅可用来再制备变钝或断裂了的试样,还可用来制备具有特殊初始几何形状、或满足特殊研究需要的试样.  相似文献   

2.
《物理通报》2010,(8):20-20
美国南加州大学的研究人员最近成功研制出一种柔韧性很好的碳原子薄膜透明材料,并用它制作出有机光伏电池.研究人员说,这种碳原子材料用途广泛,比如有望用来生产太阳能窗帘和自行发电的衣服.  相似文献   

3.
顶部籽晶技术与熔融织构生长工艺的结合已经被证明是制备单一晶体取向的YBaCuO单畴超导体的成功方法.由于YbaCuO晶体的生长速度慢,使大尺寸单畴超导快的制备受到限制.采用多籽晶的方法可以减少生长大块材料的时间,但多籽晶诱导生长的大晶粒的边界通常是弱耦合的,材料的磁浮力和冻结磁场性能明显低于单籽晶生长的材料.本研究在采用多籽晶法制备YBCuO超导块时,通过在先驱物坯料的顶部增加成分梯度过渡层的方法成功地生长出单畴结构的超导材料.冻结磁通的分布为单峰状,证实材料为单畴结构,其磁浮力也达到单籽晶样品的水平.这些结果表明成分梯度层和多籽晶结合的工艺可以改善多籽晶生长样品的晶界耦合,是生长大尺寸单畴超导材料的一种可行方法.  相似文献   

4.
本文首先叙述衍射薄片的制备方法,然后详细分析和讨论可见光的薄片衍射及其分辨本领.这种薄片衍射除可用来测定可见光的波长外,还可用来研究可见光谱的精细结构,并且能直接用于课堂演示,有利于提高教学质量,同时薄片的制备简单,易于普遍推广.  相似文献   

5.
基于发光机理提高掺铒硅基材料发光效率的几条途径   总被引:1,自引:0,他引:1  
李延辉  刘技文  赵燕平  李昌龄  李娟 《物理》2005,34(4):293-299
掺铒硅基发光材料可以用于制备光通信用光源、光纤放大器,更重要的是可能成为实现硅基光电子集成技术的重要途径,已成为研究的热点之一.文章讨论了掺铒硅及掺铒硅基材料的发光机理,指出了制约实用化方面存在的问题.从不同方面着重探讨了共掺氧对提高掺铒硅发光效率的作用.最后介绍了基于掺铒硅发光机理提高掺铒硅基材料发光效率的几种途径、目前存在的主要问题及研究进展.  相似文献   

6.
徐文兰  陆卫 《物理》2004,33(6):419-423
组合材料芯片技术是用一系列掩膜在同一块基片上获得含不同参数单元样品面阵的方法.文章介绍了它在量子阱特性、碲镉汞零偏电阻值、三元合金制备、半导体深能级捕获截面的研究以及在波分复用器件、滤光片式分光元件制作方面的一些新应用.作为一种新的材料功能操控或制备技术,它在研究材料性质变化规律、建立材料性能数据库、筛选优良材料和制作面阵型元件等方面表现出高效、快捷等特点.  相似文献   

7.
卢春生  米耀荣 《物理》2006,35(7):550-552
在聚合物基体中掺入少量的层状硅酸盐所制备的聚合物/粘土纳米复合材料,其阻隔性能明显地优于纯聚合物及其传统的复合材料。实验及分析结果表明,聚合物/粘土纳米复合材料的微观结构和阻隔性能主要受控于粘土剥离后的径厚比.一简单的重整化群模型被用来评估粘土几何因素(诸如径厚比、取向、剥离程度等)对聚合物/粘土纳米复合材料阻隔性能的影响,所得到的逾渗阈值及最佳粘土含量与实验结果吻合。  相似文献   

8.
离子溅射自 1852年被 Crove[1]研究以来,至今已发展成为一种用途颇广的技术.如清洁固体表面、溅射淀积薄膜、制作微电子线路、加工光学器件、侵蚀金相样品及制作透射电子显微镜薄箔样品等.后两者现已成为研究物质微观组织结构的手段之一.四十年代末,有人用溅射法侵蚀锻件的“流线”,五十年代初,溅射法已被用来制备透射电镜样品.1960年Paulus和Reverchon[2]用装有离子枪的装置,制备锰铁氧体簿箔,观察到堆垛层错,使溅射法制备样品的技术得到巨大的进展. 溅射法制备透射电镜样品的方法,是利用离子的轰击作用将样品光滑地减薄至出现一个或数个…  相似文献   

9.
得益于低温技术和超导磁体技术的发展,10T以上无液氦超导磁体技术已经比较成熟.作为提高高温超导材料性能的手段,强磁场技术应用于高温超导材料制备过程中的研究得到了广泛开展.本文介绍强磁场下高温超导材料制备研究的现状、进展及发展趋势.  相似文献   

10.
一维量子材料制备新进展   总被引:5,自引:0,他引:5  
杨国伟 《物理》1998,27(11):641-642
文章简要评述了一种制备一维半导体量子材料的新方法,即用碳纳米管作为模板,通过化学气相反应生长半导体纳米线,用此方法已经成功地制备出了一系列碳化物纳米线,更重要的是还制备出了GaN纳米线.  相似文献   

11.
姚熹  张良莹 《物理》1992,21(2):99-105
本文介绍了精细复合功能材料的发展概况和复会材料结构参数(如复合度.联结型、对称性、周期性和标度)的基本概念,讨论了这些结构参数对材料性能的影响;简要地叙述了精细包合功能材料的制备技术,指出了制务技术方面的难点和探索研究的方向;最后扼要地介绍了精细复合功能材料在电子技术中的应用,指出精细复合功能材料可能是一种有价值的光电子材料.  相似文献   

12.
稀磁半导体--自旋和电荷的桥梁   总被引:5,自引:0,他引:5  
常凯  夏建白 《物理》2004,33(6):414-418
稀磁半导体可能同时利用载流子的自旋和电荷自由度构造将磁、电集于一体的半导体器件.尤其是铁磁半导体材料的出现带动了半导体自旋电子学的发展.室温铁磁半导体材料的制备,半导体材料中有效的自旋注入,以及自旋在半导体结构中输运和操作已成为目前半导体自旋电子学领域中的热门课题.稀磁半导体呈现出强烈的自旋相关的光学性质和输运性质,这些效应为人们制备半导体自旋电子学器件提供了物理基础.  相似文献   

13.
戴闻 《物理》2007,36(2):97-97
硅(Si)是当今世界上最重要的材料之一,微电子和信息产业以它为基础.最近,来自法国Grenoble核研究中心的Bustarret E等发现,当高比例(百分之几)的硼(B)掺杂进入硅,该化合物能够在常压和0.3K的低温下成为超导.尽管0.3K的转变温度对应用来说有点儿低,但专家认为:这是固态物理学中的一项突破性进展;Bustarret等制备样品的新技术开拓了对硅进行高掺杂研究的平台.  相似文献   

14.
戴闻 《物理》2007,36(2):97-97
硅(Si)是当今世界上最重要的材料之一,微电子和信息产业以它为基础.最近,来自法国Grenoble核研究中心的Bustarret E等发现,当高比例(百分之几)的硼(B)掺杂进入硅,该化合物能够在常压和0.3K的低温下成为超导.尽管0.3K的转变温度对应用来说有点儿低,但专家认为:这是固态物理学中的一项突破性进展;Bustarret等制备样品的新技术开拓了对硅进行高掺杂研究的平台.  相似文献   

15.
硅的可见光发射—通向全硅光电子集成之途   总被引:1,自引:0,他引:1  
王迅  侯晓远 《物理》1992,12(6):341-343
由于Si是一种禁带宽度只有1.1eV的间接带隙材料,其发光效率极低,因此长期以来Si被认为是一种不可能用于制作可见光区光电器件的材料.但近一两年才出现的多孔硅光致发光现象,对人们的这种传统概念产生了巨大的冲击,一股多孔硅的研究热潮也正在兴起.本文将结合作者在多孔硅方面的工作,对多孔硅光致发光现象的研究背景、现状和潜在的应用作了较详细的介绍.  相似文献   

16.
ZnO薄膜的掺杂及其结型材料的研究进展   总被引:5,自引:0,他引:5  
段理  林碧霞  傅竹西 《物理》2003,32(1):27-31
ZnO薄膜作为一种多用途的半导体材料,一直受到国内外学术界的广泛关注,尤其是自1997年发现ZnO薄膜的室温紫外光发射以来,ZnO薄膜的制备及其光电子特性的研究成为新的研究热点,几年来,研究进展非常迅速,巳报道了结型电致发光器件和光电探测器件的初步研究结果,文章结合作者的工作,综述了目前国内外对ZnO薄膜的掺杂以及ZnO异质结和同质p-n结制备方面的研究状况。  相似文献   

17.
《物理通报》2006,(6):53-53
美夏威夷大学纳米技术专家日前制造出世界上体积最小刷子,其刷毛只有一根发丝的千分之一那么细.它可用来打扫只有纳米大小的尘埃和给微细管道上涂料,还可用来清除水里的污染物.这种超纤细的刷子已被收入2007年吉尼斯世界纪录.  相似文献   

18.
冯团辉  李宏强  张冶文  陈鸿 《物理》2006,35(8):684-688
特异材料(metamaterials)是指自然界中不存在的具有奇异电磁特性的人工结构,通常指的是介电常数和磁导率同时为负值的左手材料(left-handed materials)。自从2002年利用传输线制备左手材料的思想被提出后,人们对基于传输线的特异材料进行了大量的研究。文章着重概述了近年来人们所提出的几种典型的传输线特异材料的结构、制备方法、实现左手性的原理以及各自的特点。  相似文献   

19.
肖迪  王东明  李珣  李强  沈凯  王德钊  吴玲玲  王德亮 《物理学报》2017,66(11):117301-117301
采用电子束蒸发法制备了NiO薄膜,并对其作为碲化镉薄膜太阳电池背接触缓冲层材料进行了相关研究.NiO缓冲层的加入使得碲化镉太阳电池开路电压显著增大.通过X射线光电子能谱测试得到的NiO/CdTe界面能带图表明NiO和CdTe的能带匹配度很好.NiO是宽禁带P型半导体材料,在电池背接触处形成背场,减少了电子在背表面处的复合,从而提高电池开路电压.通过优化NiO薄膜厚度,制备得到转换效率为12.2%、开路电压为789 mV的碲化镉太阳电池.研究证实NiO是用来制备高转换效率、高稳定性碲化镉薄膜太阳电池的一种极有前景的缓冲层材料.  相似文献   

20.
文章报道了一种通过在微型电极上加交流电场,实现有控制地高速度转动纳米线的通用方法.纳米线的转动可以被瞬时启动或瞬时停止,转动速度(每分钟至少可达1800rpm),方向和总转动角度都可被精确控制.文章作者推导出了流体阻力在不同长度纳米线上施加的转矩,还用一根转动的纳米线作为微型电动机,推动灰尘颗粒做圆周运动.这种方法可以被用来转动磁性的或者非磁性的纳米线,甚至碳纳米管.这和微流机械,微搅动机,以及MEMS的关系显而易见.  相似文献   

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