电子能谱仪中金属硅化物的原位制备装置

本文介绍了在电子能谱仪中为原位制备金属硅化物样品而设计和安装的高温电子束加热装置和石英振子膜厚测量装置，着重介绍了它们的基本原理、结构和使用性能，并以Ｐｄ／ｓｉ 系统为例作了简要说明．     

含笼状Si20的金属硅化物的合成和物性

含笼状Ｓｉ＿（２０）的金属硅化物的合成和物性随着Ｃ６０等富勒烯和Ｍ３Ｃ６０（Ｍ＝Ｋ，Ｒｂ等）超导材料研究的巨大进展，人们对其他含笼状团簇化合物的探索正在加紧进行。１９９５年日本学者在《固体物理》期刊上介绍了含笼状Ｓｉ２０的金属Ｓｉ化物、特别是对Ｎａ２...     

离子束合成钇硅化物的结构及红外谱特征

将稀土金属钇离子注入到n型单晶Si(111)中制备出钇硅化物埋层.利用x射线衍射、卢瑟福背散射和傅里叶红外吸收谱测量分析了样品的结构、原子的埋层分布和振动模式.结果表明，Y离子在注入过程中已与基底中的Si原子形成了YSi2结构相.真空下的红外光辐照处理促使YSi2择优取向生长，埋层中Si与Y的平均原子浓度比由24下降为20，与六方YSi2的化学计量比一致.还给出了钇硅化物的特征红外吸收谱.     

离子注入合成β-FeSi2薄膜的显微结构

采用MEVVA源(Metal Vapor Vacuum Arc Ion Source)离子注入合成β-FeSi2薄膜,用常规透射电镜和高分辨电镜研究了不同制备参数下β-FeSi2薄膜的显微结构变化. 研究结果表明:调整注入能量和剂量,可以得到厚度不同的β-FeSi2表面层和埋入层. 制备过程中生成的α,β,γ和CsCl型FeSi2相的相变顺序为γ-FeSi2→β-FeSi2→α-FeSi2,CsCl-FeSi2→β-FeSi2→α-FeSi2或β-FeSi2→α-FeSi2. 当注入参数增加到60kV,4×1017ions/cm2,就会导致非晶的形成,非晶在退火后会晶化为β-FeSi2相,相变顺序就变为非晶→β-FeSi2→α-FeSi2. 随退火温度逐渐升高硅化物颗粒逐渐长大,并向基体内部生长,在一定的退火温度下硅化物层会收缩断裂为一个个小岛状,使得硅化物/硅界面平整度下降. 另外,对于β-FeSi2/Si界面取向关系的研究表明,在Si基体上难以形成高质量β-FeSi2薄膜的原因在于多种非共格取向关系的并存、孪晶的形成以及由此导致的界面缺陷的形成.     

离子注入合成β-FeSi2薄膜的显微结构

采用MEVVA源(MetalVaporVacuumArcIonSource)离子注入合成βFeSi2薄膜,用常规透射电镜和高分辨电镜研究了不同制备参数下βFeSi2薄膜的显微结构变化.研究结果表明:调整注入能量和剂量,可以得到厚度不同的βFeSi2表面层和埋入层.制备过程中生成的α,β,γ和CsCl型FeSi2相的相变顺序为γFeSi2→βFeSi2→αFeSi2,CsClFeSi2→βFeSi2→αFeSi2或βFeSi2→αFeSi2.当注入参数增加到60kV,4×1017ionscm2,就会导致非晶 关键词： β-FeSi2 半导体薄膜 金属硅化物 离子注入 透射电子显微镜     

导数分光光度法同时测定金属硅中铁和铝的研究

本文研究了用一阶导数分光光度法同时测定金属硅中铁和铝的方法，在ＰＨ＝６．７醋酸铵缓冲溶液中，乳化剂ＯＰ存在下，Ｆｅ＾３＋、Ａｌ＾３＋与铬天青Ｓ形成的配合物－阶导数光谱分别在６３４．６、６０８．８ｎｍ处有等吸收点，利用两波长处的一阶导数光谱值可同时测定混合体系中Ａｌ＾３＋、Ｆｅ＾３＋含量，二者互不干扰，Ｆｅ＾３＋、Ａｌ＾３＋含量分别在０－２０μｇ／２５ｍＬ、０－１０μｇ／２５ｍＬ范围内与一阶导数光谱     

棉子糖乙酰化物的2D—NMR研究

应用氢-氢和碳-氢相关谱(~1H-~1H COSY and~(13)C-~1H COSY),同核和异核J-分解谱(JRES and HETJRES),异核中继相干传递二维谱(RELAY)和异核远程化学位移相关谱(COLOC)研究了棉子糖乙酰化物的化学结构,并对COLOC及RELAY实验的参数取值进行了讨论。结果表明,二维核磁共振技术特别是COLOC对于确定配糖体糖基的连接顺序和连接位置是十分有效的方法。     

镍的锗化物与锗肖特基接触的工艺与特性

本文利用在n型Ge衬底上溅射金属Ni，然后在不同温度下氮气中退火的方法制备了Ni的锗化物肖特基二极管。X射线衍射（XRD）分析表明在Ge衬底上形成了一层Ni的锗化物。研究了退火温度对Ni的锗化物肖特基二极管电学特性的影响。实验结果表明具有典型I-V整流特性的肖特基二极管被获得，在300oC中退火的肖特基二极管的开关比最高。通过C-V方法提取了肖特基二极管的肖特基势垒高度。     

高压下过渡金属二硫属化物的超导电性

过渡金属二硫属化物是一类典型的二维类石墨烯层状结构的材料,相比于石墨烯的全碳元素组成以及无带隙的电子结构特点,具有更丰富的元素组成、多样的微观结构和奇异的物理性质。过渡金属二硫属化物强烈的各向异性以及在催化、光伏器件和储能材料等领域的优异表现,引起了科学家们浓厚的研究兴趣。它们的层间范德瓦耳斯间隙、层间范德瓦耳斯相互作用、层间堆垛次序对压力非常敏感,易于通过压力调控其晶体结构和电子能带结构,进而发生电子基态的变化。过渡金属二硫属化物的电子基态可以是莫特绝缘体、激子绝缘体、电荷密度波、半导体、(拓扑)半金属、金属,甚至是超导体。在常压条件下,部分过渡金属二硫属化物具有超导电性。实验表明,压力可以诱导过渡金属二硫属化物非超导母体发生超导转变,或者提高超导母体的超导转变温度。文章以典型的过渡金属二硫属化物为例,概述了其在高压调控下超导电性的响应,并简要讨论产生超导电性的物理机制。     

集成电路中的物理问题讲座 第三讲 金属硅化物的形成

金属硅化物在微电子学的理论研究和实际应用方面有着广阔的前景,近来金属硅化物形成研究再次成为一个非常活跃的领域．理论方面,硅化物的能带结构和硅化物－硅界面研究有着重要意义．高性能和高可靠性电路制造对金属化方案的选择至关重要．金属硅化物具有低的电阻率和高的稳定性,它们在集成电路上的应用引起人们极大的关注．图１是半导体电路金属化系统两种典型结构．其中图１（ａ）是具有重掺源、漏区和轻渗沟道的ＦＥＴ结?...     

宽禁带半导体SiC的离子束合成,掺杂隔离与智能剥离

碳化硅作为新一代宽禁带半导体材料，在高温、高频、高功率、抗辐照电子器件中有着十分广阔的潜在应用前景．文章结合作者的工作，综述了离子束技术在ＳｉＣ研究中的应用，其中包括ＳｉＣ的合成、掺杂、器件隔离和智能剥离．     

在Hg1—xCdxTe上生长的阳极化碲化物薄膜及其XPS特性

描述了用阳极碲化过程在Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ上生长纯Ｔｅ膜，此过程要求２个阶段，首先生长阳极化硫化物／氧化物膜，第二步将此膜转化为阳极化碲化物膜，ＸＰＳ研究认为阳极化硫化物／氧化物膜完全转化为阳极化碲化物膜是可能的，控制初始膜中硫和氧的浓度，即发控制阳极化生长碲化物薄膜中的碲浓度。     

先进的离子束技术和材料改性

介绍了离子束形成、材料改性的科学意义及离子束在国民经济和国防中的地位和应用．     

低能离子束处理前后氨基酸和碱基的拉曼光谱研究

本文报导我们利用激光拉曼光谱获取低能离子束生物诱变信息的初步探索。初步的研究结果表明拉曼光谱可以给出离子注入前后生物分子结构突变或重组,分子结构突变与注入剂量的关系,分子的光催化修复、自然修复以及离子注入改变的光敏性等信息。     

一种离子束的非截断监测方法

离子束的非截断监测对于束流装置的调试和运行状态的监测,具有十分重要的意义。目前常用的方法,如多丝靶、扫描探针,交叉线以及多头扫描探测器等。本文介绍了一种用于稳态超导磁镜装置注入器的离子束非截断监测方法,即石英丝网-工业电视监测系统。     

用2D NMR研究凯林内酯酰化物的相对构型

用2D NMR对钙离子拮抗活性成分Pd-Ia的结构进行了深入研究,确切归属了全部碳氢信号,纠正了文献中甲基信号归属的错误。并以此为参考,指定了这类化合物母核碳信号的归属,从而修正了文献中用角甲基碳化学位移值之差决定其C-3'和C-4'相对构型的有关内容,发现在顺式构型中,连接在C-2'的两个角甲基碳化学位移差值大于或等于2ppm,而在反式构型中,这个差值小于或等于2ppm,且△(δC-3'trans-δC-3'cis)>1ppm。     

离子束诱变水稻多胚苗突变株的筛选及其多胚来源

以低能氮离子束为诱变源, 通过对同源四倍体水稻品系“IR36 4X”进行离子注入后在其第2代群体内筛选得到了1株具有多胚苗性状特征的突变株（IR36 双）, 对该突变株后代的多胚苗形态特征及其多胚来源进行了研究。 结果表明, 多胚苗突变株系“IR36 双”在双胚苗性状的表现形态上有其特异性, 在同一纯合株系的群体内双胚苗的苗位有非完全双苗和完全双苗两种类型。 非完全双苗包括单胚轴单胚根双苗和单胚根异胚轴双苗这两种类型; 完全双苗也可以进一步划分为正常双苗和异常双苗两种类型。 在多胚苗材料中, 单胚根单胚轴双苗所占的比例相对较大。 其多胚（额外胚）的来源主要有4种可能性, 即双套胚囊形成多胚、 多卵卵器形成多胚、 反足细胞团发育形成不定胚及胚乳细胞形成不定胚（胚乳细胞胚状体）。 由此可见, “IR36 双”植株表现双胚苗性状有其胚胎学根源。