硅分子束外延的最新进展：第五届国际硅分子束外延会议介绍

硅分子束外延的最新进展──第五届国际硅分子束外延会议介绍王迅（复旦大学应用表面物理国家重点实验室，上海２００４３３）一、概况第五届国际硅分子束外延会议（ＳｉＭＢＥ－Ｖ）作为１９９３年国际固态器件和材料会议（ＳＳＤＭ’９３）的一部分于１９９３年８月３０...     

全国第二届分子束外延会议简讯

全国第二届分子束外延会议简讯全国第二届分子束外延会议于１９９３年９月４日至７日在成都市举行。参加会议的１２０名代表分别来自中国科学院、高等院校、电子工业部、航空航天工业部署单位。他们从事分子束外延材料、器件和物性研究以及设备的研制工作，会议收到论文１...     

1993年斯德哥尔摩音乐声学会议简讯

１９９３年斯德哥尔摩音乐声学会议简讯１９９３年斯德哥尔摩音乐声学会议于１９９３年７月２８日至８月１日在斯德哥尔摩瑞典皇家工学院（ＫＴＨ）举行．会议由ＫＴＨ的语言通信和音乐声学系主办。参加会议的有来自英国、法国、德国、日本、美国、中国、意大利、波兰...     

固态离子学及其材料与器件

 固态离子学是一门研究固态中离子运动的现象和技术的新学科.它包括从现象和原子尺度上对晶态、非晶态、有机和无机固体中离子迁移过程的理解,这些材料(称为固态离子学的材料)的特性与其它材料的特性之间的关系,对其一般和专门过程的描述,以及日益增长的许多实际应用.近年来在能量的储存和转换、环境保护领域中的许多实际应用大大加速了这一学科的研究和发展.     

第十七届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议(第二轮通知)

由中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料分会主办,河南大学承办的第十七届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议将于2012年10月13日至15日在历史文化名城河南省开封市召开。会议将邀请国内外知名学者就化合物半导体材料、微波器件和光电器件等有关学术领域的前沿热点问题进行交流、总结和展望。我们由衷地欢迎国内外广大学者和科研人员踊跃投稿并参加会     

第十七届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议(第二轮通知)

由中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料分会主办,河南大学承办的第十七届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议将于2012年10月13日至15日在历史文化名城河南省开封市召开。会议将邀请国内外知名学者就化合物半导体材料、微波器件和光电器件等有关学术领域的前沿热点问题进行交流、总结和展望。我们由衷地欢迎国内外广大学者和科研人员踊跃投稿并参加会     

第二届IMACS计算物理会议简讯

第二届ＩＭＡＣＳ计算物理会议简讯第二届ＩＭＡＣＳ（国际数学与计算机模拟）计算物理会议于１９９３年１０月６日至９日在美国Ｓｔ．Ｌｏｕｉｓ（圣路易斯）城召开。会议代表１００多人，宣读论文（包括大会特邀报告与分组会报告）共９５篇。分组会报告分如下专题：（１...     

第七届全国固态离子学学术会议征文通知

第七届全国固态离子学学术会议征文通知中国硅酸盐学会固态离子学专业委员会委托中国科学院成都有机化学研究所承办（成都科技大学协办）的第七届全国固态离子学学术会议拟于１９９４年９月在成都召开，现将征文有关事项通知如下：１．征文内容（１）固态离子学基础理论及...     

一种新的半导体材料和器件结构:COS

国际半导体技术发展进程表预期器件的特征尺寸不久将减小到0.1μm以下，SiO2作为MOS器件栅介质遇到不可克服的困难，人们在寻找新的栅介质材料时，提出一种新的结构，称为半导体上的晶态氧化物（COS），最近，COS被用作Si衬底上生长GaAs的过渡层，成为半导体材料和器件发展中一项新的突破，文章对这一结构的进展情况做一简要介绍。     

第二届国际计算物理会议简讯

第二届国际计算物理会议简讯第二届国际计算物理会议（ＩＣＣＰ－２）于１９９３年９月１３日至１７日在北京举行，本次会议由美国特雷克塞（Ｄｒｅｘｅｌ）大学、橡树岭（ＯａｋＲｉｄｇｅ）国家实验室和我国北京应用物理与计算数学研究所发起并组织。中国科学技术协会、...     

化合物半导体发光材料和器件测试学术讨论会在京召开

根据一九八一年九月学会常务理事会议的决定,委托冶金部有色金属研究总院筹备的化合物半导体发光材料和器件测试学术讨论会于今年三月二十六日至二十九日在北京召开。参加会议的有来自全国各地的科研、院校和厂家等二十五个单位,共四十一位代表。     

有机磷光材料的固态阴极射线发光研究

采用有机磷光材料三-(2-苯基吡啶)-铱(Ir(PPY)₃)与无机材料SiO₂复合制成夹层结构器件,用交流电压驱动获得了Ir(PPY)₃主峰位于517nm的发光和主峰位于435nm的蓝色发光.通过分析器件的光谱特性,发现这两个发光峰都是源于SiO₂中加速电子直接碰撞激发有机层引起的固态阴极射线发光.继实现多种有机聚合物材料和有机小分子材料八羟基喹啉铝(Alq₃)的固体阴极射线发光之后,又证实了有机 关键词： 夹层结构器件 有机磷光材料 固态阴极射线发光     

表面结构研究的新进展──第四届国际表面结构会议介绍

表面结构研究的新进展──第四届国际表面结构会议介绍蒋平（复旦大学李政道物理学综合实验室，复旦大学应用表面物理国家重点实验室，上海２００４３３）第四届国际表面结构会议（ＩＣＳＯＳ－ＩＶ）于１９９３年８月１６日至８月１９日在上海举行。来自１３个国家和地区...     

固态阴极射线器件复合加速层的研究

固态阴极射线器件的加速层,是提高固态阴极射线性能的重要部分,它能够加大电子能量,倍增电子数量。其中增加注入电子从而提高过热电子的数量,是提高固态阴极射线器件性能的关键。为此 ,文章尝试将加速层复合,兼顾加速与电子注入性能。首先将SiO₂,ZnS和ZnO分别与有机聚合物MEH-PPV组合,确定较适合的复合加速层的组合：SiO₂/ZnS和 ZnO/SiO₂。然后将这两种复合加速层的性能对比,发现SiO₂/ZnS的性能更优越,因为电子注入性能ZnS和ZnO相当,而电子加速倍增性能ZnS明显优于ZnO,其中 SiO₂为主要的加速层,而ZnS起到降低注入势垒变成阶梯势垒的作用。最后又将复合加速层结构的固态阴极射线器件和传统的SiO₂夹层固态阴极射线器件对比,发现这种复合 加速层结构,尤其在高场下,可提高固态阴极射线的初电子源和过热电子的数目,从而提高其发光效率具有促进作用。     

扫描隧道显微学研究的最新进展—STM‘93国际会议评述

扫描隧道显微学研究的最新进展──ＳＴＭ’９３国际会议评述高凡，白春礼（中国科学院化学研究所，北京１０００８０）第七届国际扫描隧道显微学大会（ＳＴＭ’９３）于１９９３年８月９日至１３日在北京召开。大会共接收了５５０多篇论文摘要，中外学者４００多人出席了...     

新型蓝光OLED材料和器件

基于有机材料的电致发光技术可以应用于超薄平面显示和有机固体激光器等方面,在近20年来取得了飞速的发展,基本实现了红、绿、蓝三基色发光.绿色材料发展最快,基本达到了商业化实用阶段,而红色和蓝色材料的问题较多,特别是稳定、高效率的蓝光更具有挑战性.综述了近期我们对蓝光材料的分子设计与合成,以及蓝光器件的一些研究.主要包括金属络合物2,3-二甲基-8-羟基喹啉锂和聚芴衍生物树枝状的聚芴化合物的蓝光材料,以及利用基激复合态实现蓝光的电致发光器件.通过光致发光、电致发光光谱以及电压-电流-发光亮度特征曲线等研究了这些发光材料和器件的性质.现在蓝光器件的色纯度和工作寿命还有待提高.     

氧化锌基材料、异质结构及光电器件

Ⅱ-Ⅵ族直接带隙化合物半导体氧化锌（ZnO）的禁带宽度为3.37 eV,室温下激子束缚能高达60 meV,远高于室温热离化能（26 meV）,是制造高效率短波长探测、发光和激光器件的理想材料。历经10年的发展,ZnO基半导体的研究在薄膜生长、杂质调控和器件应用等方面的研究获得了巨大的进展。本文主要介绍了以国家“973”项目（2011CB302000）研究团队为主体,在上述方面所取得的研究进展,同时概述国际相关研究,主要包括衬底级ZnO单晶的生长,ZnO薄膜的同质、异质外延,表面/界面工程,异质结电子输运性质、合金能带工程,p型掺杂薄膜的杂质调控,以及基于上述结果的探测、发光和激光器件等的研究进展。迄今为止,该团队已经实现了薄膜同质外延的二维生长、硅衬底上高质量异质外延、基于MgZnO合金薄膜的日盲紫外探测器、可重复的p型掺杂、可连续工作数十小时的同质结紫外发光管以及模式可控的异质结微纳紫外激光器件等重大成果。本文针对这些研究内容中存在的问题和困难加以剖析并探索新的研究途径,期望能对ZnO材料在未来的实际应用起到一定的促进作用。     

敏感材料和固态传感器的发展

木文介绍当前敏感材料和固态传感器发展的情况．新型敏感材料和新工艺的出现，使传感器不断趋向于微型化、智能化，而且性能也愈来愈好．固态传感器是当前主要发展方向．文中介绍了半导体传感器、固体陶瓷传感器、功能有机薄膜传感器、光纤传感器、表面波传感器和复合敏感材料传感器等方面的发展．在半导体传感器中着重介绍当前新兴的微机械加工技术和利用微机械加工技术及大规模集成电路技术发展出的智能传感器．     

中国的晶体学和晶体学界

中国的晶体学和晶体学界唐有祺（北京大学物理化学研究所，北京１００８７１）编者按：国际晶体学联合会（ＩＵＣｒ）第１６届大会于１９９３年８月２１日至２９日在北京召开。本文是作者应邀在８月２１日下午举行的开幕式上作的报告，报告介绍了中国晶体学和晶体学界的沿...     

不同加速层材料对固态阴极射线发光的影响

在固态阴极射线发光中,过热电子碰撞激发有机材料而发光,因此加速层对电子的加速能力是影响器件发光亮度的关键因素之一.分别以SiO2和ZnO作为加速层.制备出两种固态阴极射线发光器件A:ITO/MEH-PPV/SiO2/Al和B:ITO/MEH-PPV/ZnO/Al.通过理论计算比较了电子从电极注入到加速层的隧穿电流密度以及SiO2层与ZnO层的电场强度,计算结果表明:在相同驱动电压下,SiO2作为电子加速层时隧穿电流的密度要大于ZnO层的隧穿电流的密度,并且SiO2层的电场强度比ZnO层的电场强度大.实验结果表明:SiO2作为加速层的器件的发光强度高于以ZnO为电子加速层器件的发光强度.