MOSFET的热载流子效应及其表征技术

介绍了热载流子引起MOS器件退化的机制及其退化模型、最大应力模式和典型的寿命预测模型等，并对器件退化的表征技术进行了概述。     

深亚微米SOI MOSFET低压热载流子效应研究

当器件尺寸进入深亚微米后，SOI MOS集成电路中的N沟和P沟器件的热载流子效应引起的器件退化已不能忽视。通过分别测量这两种器件的跨导、阈值电压等参数的退化与应力条件的关系，分析了这两种器件的退化规律，对这两种器件的热载流子退化机制提出了合理的解释。并模拟了在最坏应力条件下，最大线性区跨导Gmmax退化与漏偏压应力Vd的关系，说明不同沟长的器件在它们的最大漏偏压以下时，能使Gmmax的退化小于10％。     

不同沟道长度MOSFET的热载流子效应

对同一工艺制作的几种不同沟道长度的 MOSFET进行了沟道热载流子注入实验。研究了短沟 MOS器件的热载流子效应与沟道长度之间的关系。实验结果表明 ,沟道热载流子注入使 MOSFET的器件特性发生退变 ,退变的程度与器件的沟道长度之间有非常密切的关系。沟道长度越短器件的热载流子效应越明显 ,沟道长度较长的器件的热载流子效应很小。利用热载流子效应产生的机理分析和解释了这一现象     

MOSFET的热载流子损伤及其退火

对国内常规54HC工艺制作的PMOSFET进行了F-N热载流子注入损伤实验,研究了MOSFET跨导、阈电压等参数随热载流子注入的退化规律,特别是从微观氧化物电荷和界面态变化对阈电压影响角度,对国内外较少见报道的MOSFET热载流子损伤在室温和高温(100°C)下的退火特性进行了研究,并从该角度探讨了MOSFET热载流子注入产生氧化物电荷和界面态的特性。     

电路级热载流子效应仿真研究

随着集成电路制造工艺的不断进步,沟道长度、结深、栅氧厚度等特征尺寸不断减小,而电路的电源电压没有按比例减小,易造成MOSFET的电流-电压特性退化,需要提前在设计阶段加以考虑。对电路长期可靠性问题中的热载流子效应(HCI)进行了仿真研究。     

注F短沟MOSFET的沟道热载流子效应

通过对短沟 NMOSFET的沟道热载流子效应研究 ,发现在短沟 NMOSFET栅介质中引入 F离子能明显抑制因沟道热载流子注入引起的阈电压正向漂移和跨导下降以及输出特性曲线的下移 .分析讨论了 F抑制沟道热载流子损伤的机理 . Si— F键释放了 Si/Si O2 界面应力 ,并部分替换了 Si— H弱键是抑制热载流子损伤的主要原因 .     

注F短沟MOSFET的沟道热载流子效应

通过对短沟NMOSFET的沟道热载流子效应研究,发现在短沟NMOSFET栅介质中引入F离子能明显抑制因沟道热载流子注入引起的阈电压正向漂移和跨导下降以及输出特性曲线的下移.分析讨论了F抑制沟道热载流子损伤的机理.Si—F键释放了Si/SiO2界面应力,并部分替换了Si—H弱键是抑制热载流子损伤的主要原因.     

异质栅MOSFET热载流子效应的研究

异质栅MOSFET器件的栅极由具有不同功函数的两种材料拼接而成,能够提高载流子输运速度、抑制阈值电压漂移等.文中比较了异质栅MOSFET和常规MOSFET的热载流子退化特性.通过使用器件数值模拟软件MEDICI,对能有效监测热载流子效应的参数,例如电场、衬底电流和栅电流等参数进行仿真.将仿真结果与常规MOSFET对比,从抑制热载流子效应方面验证了新结构器件的高性能.     

漏雪崩应力热载流子注入引起的MOSFET退变特性研究

本对亚微米ＭＯＳＦＥＴ在漏雪崩恒流应力（ＤＡＳ）条件下热载流子注入引起的退变现象做了实验研究，实验结果表明：在一般的恒流应力条件下，栅氧化层中由空穴注入形成的空穴陷阱电荷对器件特起主要影响作用，恒流应力过程中，任何附加的电子注入都可使器件退变特性发生明显变化。实验结果还证实，漏雪崩应力期间形成的空穴陷阱电荷可明显降低器件栅氧化层的介质击穿特性。     

深亚微米MOSFET热载流子退化机理及建模的研究进展

本文给出了深亚微米ＭＯＳ器件热载流子效应及可靠性研究与进展,对当前深亚微米ＭＯＳ器件中的主要热载流子现象以及由其引起的器件性能退化的物理机制进行了详细论述。不仅对热电子,同时也对热空穴的影响进行了重点研究,为深亚微米ＣＭＯＳ电路热载流子可靠性研究奠定了基础。本文还讨论了深亚微米器件热载流子可靠性模型,尤其是ＭＯＳ器件的热载流子退化模型。     

不同栅氧厚度NMOS管的热载流子效应

文章主要讨论在相同工艺条件下,针对不同栅氧厚度(例如:Tox分别为150A、200A、 250A)的NMOSFET进行加速应力试验,在试验中当某些参数的漂移量达到失效判据规定的值时(例如:阈值电压改变50mV),可以得到器件的应力寿命,由此估计该器件在正常工作条件下的寿命值, 并对该工艺的热载流子注入效应进行评价。     

电子设备可靠性预计概述

本文总结了电子设备可靠性预计的程序和一些方法,同时还介绍了光电子器件的可靠性应力模型。对可靠性预计和分配软件也作了介绍。     

美国军用手册217F以外的可靠性预计方法

介绍美国军用手册217F之外的可靠性预计方法——EPRD-97和NPRD-95数据库,PRISM方法以及FIDES方法等,分别讨论其适用条件和失效率模型,全面比较了包括217F在内的各种可靠性预计方法的优劣。     

MOSFET热载流子退化/寿命模型参数提取

基于 MOSFET热载流子可靠性物理 ,并结合电应力条件下热载流子退化特征量ΔIds/Ids0 、Isub等实测数据的拟合处理 ,发展了可表征退化物理意义的衬底电流与退化 /寿命参数提取模型 ;进而由自动测试 ATE与 CAD技术相结合的监测系统 ,实现了载流子速度饱和临界电场Ecrit、有效导电长度 LC和寿命因子 H、m、n提取 .实验研究结果表明 ,模型及提取参数合理可信 ,并可进一步应用于 MOSFET及其电路的退化 /寿命模拟预测     

美国军用手册338B中的软件可靠性预计模型及其应用

介绍美国军用手册338B中软件可靠性以及软件可靠性预计,具体讨论四种软件可靠性预计模型——Musa执行时间模型、Putnam模型、以及罗马实验室的RL-TR-92-52模型与RL- TR-92-15模型,并给出其适用条件和应用例子。     

美国军用手册217F中的可靠性预计方法及其应用

介绍美国军用手册217F中的两种可靠性预计方法——部件应力分析法与部件计数分析法,分别讨论其适用条件和失效率模型,并给出可靠性预计方法在计算数字计时芯片和发动机失效率时的具体步骤。     

MOSFET衬底电流模型在深亚微米尺寸下的修正

建立精确的衬底电流模型是分析ＭＯＳＦＥＴ器件及电路可靠性和进行ＭＯＳＦＥＴ电路设计所必需的．在分析载流子输运的基础上建立了一个常规结构深亚微米ＭＯＳＦＥＴ衬底电流的解析模型,模型公式简单．对模型进行了验证,研究了衬底掺杂浓度与栅氧化层厚度对拟合因子的影响,并分析了模型中拟合因子的物理意义．     

基于4S一体化系统移动端的可靠性预计

文章来源于数字空间试验室4S一体化测绘系统的移动端部分,该系统是从底层结构上将3S技术和通信系统技术（CS）集成于一体化平台上。文中从移动端体系统功能和应用特点出发,结合系统中主要部件在具体应用中的作用．在对可靠性特征量和移动端系统性能,可靠性框图进行分析的基础上,应用元器件计数法对本体系结构进行了可靠性预计。