首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
用积分法测量了 YBCO 烧结样品和熔融织构样品在 LN_2温度下的磁滞损耗和剩余磁滞量Δm_(rem)与最大外场 H_m 的关系,发现织构样品的测量结果与 Bean 模型很吻合,而烧结样品偏离了 Bean 模型.根据实验结果对两种样品的性能进行了对比分析,并讨论了一些与磁滞损耗相关的问题.  相似文献   

2.
国际热核聚变实验装置需要超导磁体提供强磁场来约束等离子体。超导体在外磁场变化等非稳态环境中会产生以磁滞损耗为主的交流损耗。因此在制作绕制PF磁体的导体前须测量所使用Nb Ti股线的磁滞损耗特性,确保其性能达到ITER组织要求,防止影响磁体运行的稳定性。选择使用综合物性测量系统平台(PPMS)中的振动样品磁强计(VSM),测量了Nb Ti股线样品在模拟运行环境中的磁滞回线,从磁滞回线积分得到了样品的磁滞损耗。测得样品的磁滞损耗数据离散程度较小,且全部小于要求的限值,样品均达到了ITER的要求,此Nb Ti股线可用于超导导体、磁体的制作。  相似文献   

3.
应力对铁磁薄膜磁滞损耗和矫顽力的影响   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
郭子政  胡旭波 《物理学报》2013,62(5):57501-057501
改进了JA-SW混合模型, 使之能处理具有两种单轴各向异性的磁体. 数值研究了面内应力对铁磁薄膜磁滞损耗和矫顽力的影响. 结果表明, 磁滞损耗和矫顽力与应力强度和应力施加方向以及外场取向有关. 磁滞损耗或矫顽力随应力强度变化的关系曲线并不完全是单调增加的, 比如当外场与易轴方向平行时会出现弯曲. 另外, 应力会造成矫顽力随外场取向角关系曲线的峰值偏移. 结果与文献资料进行了广泛对比并对其差异进行了解释. 关键词: JA-SW混合模型 磁滞损耗 矫顽力 应力  相似文献   

4.
李靖元 《物理学报》1982,31(6):758-763
本文采用一种用光电倍增管作为检测装置的技术,可以自动绘出透明磁性介质的磁滞迴线,测得了不同磁泡外延膜样品,在不同磁畴形状等条件下的磁迴线;解释了曲线的特点,并从实验上证实,具有泡阵磁畴的磁泡膜是处于一种特殊的剩磁状态。 关键词:  相似文献   

5.
本文研究了Cu-Nb多芯复合线微观结构对磁滞特性的影响.样品通过不同塑性应变和热处理获得不同显微结构.结果表明,经冷加工变形和800℃/1.5h退火,尺寸为Φ1.06mm样品的磁化曲线中只在高场下出现了一个峰,这个峰来源于Nb的体钉扎.Φ2.04mm样品在退火后的曲线中出现了三峰结构,低场下的两个峰是由于临界效应使Cu基体中产生了超导电性引起的,而高场下出现的第三个峰也与Nb的体钉扎有关.样品中Nb芯丝直径及芯丝间距等因素影响了复合材料直流磁化曲线的特征.  相似文献   

6.
高温超导体的磁化与磁滞损耗   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
胡立发  周廉  张平祥  王金星 《物理学报》2001,50(7):1359-1365
利用三种临界态模型(Bean模型、Kim模型和指数模型),采用比较简单的方法,以Bi2223高温超导体为例,给出了平板状超导体的初始磁化曲线和磁滞回线的解析表达式.对不同温度和磁场下的磁化强度进行了编程计算,对计算结果进行讨论.利用推导的公式,讨论了温度和外加磁场对高温超导体的磁滞损耗的影响. 关键词: 磁滞损耗 磁通钉扎 高温超导体 临界态模型  相似文献   

7.
《物理》1965,(10)
过去在教学中讲磁滞迥线时。只能用描绘曲线的方法一段一段讲给学生听,结果同学们对于甚么是磁饱和、剩磁、矫顽力、磁滞等概念只停留在定义上,没有具体的印象.用示波器显示磁滞迥线也不能很好地说明问题,反倒把同学注意力集中到复杂的电路上去了.我们考虑到一般工科同学的特点,设计制作了这具示教板,比较简单、值观,  相似文献   

8.
介绍了2014年中国大学生物理学术竞赛中的"磁滞刹车"问题.通过磁荷及分子电流观点之间的转换,从受力和能量两个角度分析了磁铁的运动及受力.最后得出其运动状态与金属管及磁铁的几何性质、物理性质有关,并进行了实验验证.  相似文献   

9.
曹建  徐慧 《物理实验》1994,14(1):39-40
测量金属导线磁滞损耗的简易装置曹建,徐慧(中南工业大学应用物理系,长沙410083)金属材料在交流磁场中会产生涡流损耗,磁性材料还会产生磁滞损耗.组建一套实验装置来测量这些损耗,会加深学生对有关的理论知识的理解.我们结合科研工作的需要,设计并安装了一...  相似文献   

10.
本文用简单的方法推导了非磁滞RF-SQUID在低激励频率(ω≤10~3/sec)下工作的等效电路表示式,其中包括准粒子对干涉电流项的影响.等效电路的解析表示式很简单明瞭,便于实际应用.  相似文献   

11.
我们通过对重Pb掺杂的Bi-2212((Bi,Pb)-2212)单晶磁化性质的测量来研究磁通钉扎性能,发现样品中存在与温度有明显依赖关系的鱼尾效应,且此鱼尾效应不仅体现在磁滞洄线上,还体现在不同磁场下零场冷的M~T曲线的交叠上.同时我们采用非线性磁通蠕动模型,并考虑表面位垒和体钉扎的影响,运用数值模拟分析了样品的磁化性质,结果表明(Bi,Pb)-2212单晶的鱼尾效应源于重Pb掺杂导致样品各向异性的降低所引起的强的体钉扎效应,而高温的磁化性质主要取决于表面位垒的作用.  相似文献   

12.
尽管常规换向直流法可消除已知副效应干扰并得到霍尔电压,但它掩盖了存在未知附加电势的实验事实。将4次换向测量归纳为磁场与样品电流同相组合和反相组合,根据在磁场中样品电流和热扩散电流具有相似物理行为,必须考虑不等位热扩散电势差的影响。这一方案不仅更清晰地解释4次换向测量平均的物理原理,还通过同相测量平均和反相测量平均之差与和得到不等位热扩散电势差与确定且可重复的霍尔电压。实验事实及分析结果表明,引入不等位热扩散电势差才能完整描述霍尔测量中所有副效应的贡献。  相似文献   

13.
利用设计的大量程Asay-F窗技术,从实验上准确诊断了不同加载状态下金属Pb样品表面微喷物质量和密度-速度分布信息,重点阐释了熔化前后金属样品表面微喷特性的异同,并从理论分析的角度解释了该现象产生的物理原因,为研究熔化对金属样品表面微喷射的影响机制奠定了重要基础.  相似文献   

14.
本文首先介绍了单芯高温超导带材交流损耗的机理,然后以SMES磁体磁滞损耗计算为例,分析了两种单芯超导带材磁滞损耗计算模型的计算结果,发现在不同场强范围内两种模型计算结果有明显的差异,并给出了计算交流损耗时两种模型的适用范围.最后简要说明了两种模型计算结果不同的原因.  相似文献   

15.
林子敬  汪克林 《物理学报》1989,38(6):891-899
本文利用微扰的方法考虑了占据态与空态间的耦合对能带能量的影响,给出延展键轨道近似下半导体力常数的解析表达式.利用这些表达式求出Si(111)的理想、1×1弛豫及2×1Haneman模型重构表面的声子色散曲线及其表面振动的振幅分布.不同表面结果的比较显示弛豫及重构对表面声子性质具有决定性的影响.同时,分析表明Haneman的2×1表面重构模型不足以满意地解释有关实验结果.  相似文献   

16.
为了确定磁性材料的性能,很重要的一项工作就是测定磁滞迴线。我們可以从磁滞迴线上得到一些很重要的参数:最大磁感应B_m,最大磁场強度H_m,剩磁感应B_r,矫頑力H_c,矩形比B_r/B_m等。  相似文献   

17.
针对中国聚变工程实验堆中心螺管模型线圈(CFETR CSMC)中用内锡法工艺制备的Nb_3Sn导体的磁化及损耗特性展开研究。采用国际热核聚变实验堆(ITER)标准磁化样品和测量程序,获得4.2K到14K温区下的磁化曲线;利用钉扎定律及优化模型,模拟不同磁场区间内的磁化强度,拟合获得不同温度下钉扎模型参数;对磁化特性的重要参量进行了详细分析和讨论,并探讨了不影响Jc条件下合理减少磁滞损耗的途径。  相似文献   

18.
以Cl-为例 ,应用格子气模型 ,建立了阴离子吸附层对Au(111)表面应力贡献的统计热力学理论 ,计算了吸附层Cl-离子间相互作用能、表面应力贡献和二维体积弹性模量 .计算结果表明 ,Cl-吸附层对表面应力贡献的大小 ,与实验值相近 ;在Cl-低覆盖度时 ,经验包括ClO4 -贡献 ,计算了表面应力变化 电荷密度曲线 ,近似呈线性关系 ;对于Cl-/Au(111)体系 ,表面应力与表面张力之差与表面应力同量级 ,两者差别不可忽略 .较好地解释了有关的实验事实 .  相似文献   

19.
样品电流模式下外磁场引起的X射线吸收谱强度变化   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
在用样品电流模式的测量过程中发现,磁场强度、磁场与样品表面的夹角以及光斑在样品表面的位置都会对吸收谱强度产生影响;在光斑、磁场和样品的不同几何配置下,测量并分析了表面均匀氧化的铝箔中氧的K边吸收谱,指出外磁场下吸收谱强度随各种条件变化的趋势,并对实验结果给出了合理解释;结果表明所用的模型分析与实验数据符合得很好;所得到的信息对于XMCD实验的设计安排、相应数据的分析以及物理信息的提取具有重要意义.  相似文献   

20.
测量了 YBCO 样品在 LN_2温区及低中场的磁化曲线,得到了磁滞量△M=M^+—M^-与外场 Ba 及温度的关系.根据电磁理论的普遍关系及临界态方程,拟合了钉扎力 F_p 与磁场、温度的关系 F_p(B,T).发现存在两种类型的钉扎力:一类钉扎力很弱,在低场时起主要作用,等效于弱连接的贡献;另一类在中场和高场时起主要作用,反映了晶粒内部的钉扎性质.  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号