铁电材料Pb(Zr_(0.44)Ti_(0.56)Ni_(0.30))O_2的光伏特性

通过对Pb(Zr0.44Ti0.56Ni0.30)O2(PZTNi3O)铁电材料单独掺杂铅后相界宽度的计算获得了铁电材料明显的通断光电流和较大的剩余极化强度,从而得出间接带隙为2.9e V,无栅极偏置电压大,偏置场的增加显著,光电流密度增大为0.1~0.5 m A/cm2。因此,铁电材料在极性相反的极化强度下可以决定开路电压(VOC)和短路电流(Isc),这一特性为非中心对称的铁电材料对可见光敏感的极性向前迈进了一步。     

利用遥感图像检测地震的地表地物变化

为了分析汶川县、茂县和理县地震重灾区的灾情状况,对震前2007年4月19日和震后2008年5月23日美国Landsat7ETM遥感图像进行辐射纠正、几何纠正、图像配准,然后使用Otsu最大类间方差阈值法二值化,分别通过二值图像逻辑异或处理、图像差值法自动检测地震造成的地表地物变化。结果表明,地震造成的地表地物变化主要沿岷江、杂谷脑河等河流两岸以及陡峭的沟谷地形地区,分布广且密集,其中杂谷脑河及流入其的溪谷地区的地表地物变化较大,地表地物变化的主要原因是地震引发了陡峭山体的大量崩塌、滑坡和坡面泥石流,灾情非常严重。遥感图像变化检测可有效检测出较大山体形态完整的块体滑坡的规模与形态。     

改革实验仪器与探究式教学

探究式教学不仅是学生科学知识的获取、科学技能的掌握及科学的情感态度与价值观发展的有效方法,也是学生个性发展、学习方式的改变以及终身学习能力的培养的一条有效途径。本文以波的干涉为例,介绍了通过改革实验仪器,为探究式教学的实施创造条件,优化教学活动设计,从而达到教学目的。     

布里渊散射决定0．67Pb（Mg1／3Nb2／3）03-0．33PbTiO3单晶的弹性、压电和介电常数

我们报道了用高分辨布里渊散射,确定0．67Pb（Mg1／3Nb2、3）O2-0．33PbTiO2单晶中的弹性、压电和介电常数．所有的实验数据都是在一块沿[001]方向的极化的单晶样品上获得的。我们实验中得到的这些常数的数值和以往超声共振技术获得的数值相似。我们还研究了压缩模和剪切模在（010）和（001）平面内的方向依赖性。TA1和TA2模式的强度对散射角度有很强列依赖性。在散射角度为45°～65°内,一个新的峰出现在～18GHz附近。它可能与晶体中的微观不均匀性或者局域微结构相关。     

La调节Pb(Zr,Sn,Ti)O_3反铁电陶瓷的相变与电学性质

利用X射线衍射、弱场介电温度谱、强场极化强度研究了不同La含量(Pb1-xLa2x3)(Zr06Sn03Ti01)O3(000≤x≤012)(PLZSnT)陶瓷的相变与电学特性.实验发现,随La含量增大,室温下材料由铁电三方相(x=000)转变为反铁电四方相(003≤x≤009)和立方相(x=012).介电测试表明,La含量增大,反铁电→顺电相变温度降低,峰值介电常量减小.在x=006的PLZSnT三元相图中,反铁电四方相区扩大到Ti含量约为18at%,该系统反铁电陶瓷具有“窄、斜”型双电滞回线和“三电滞回线”;在高Zr、高Sn区,反铁电→顺电相变呈现弥散相变和介电频率色散特征,即反铁电极化弛豫现象.从ABO3钙钛矿结构的容忍因子(t)和反铁电相的结构特征出发,讨论了La对Pb(Zr,Sn,Ti)O3相变与电学性质的影响机理 关键词： 场诱相变 弛豫型反铁电体 介电性能 La调节Pb(Zr Sn Ti)O3     

(111)取向生长Pb(Zr0:95Ti0:05)O3纳米晶薄膜的铁电与热释电特性

" 在Pt/Ti/SiO2/Si基片上用溶胶-凝胶法与快速退火工艺制备了300 nm厚的锆钛酸铅Pb(Zr0:95Ti0:05)O3 (PZT95/5)反铁电薄膜．结果显示600~700 ℃晶化处理的钙钛矿PZT95/5薄膜具有高度(111)取向生长特性．薄膜的电性能测量采用金属-铁电-金属电容器结构．在20 V电压作用下,600~700 ℃晶化处理的PZT95/5薄膜显示出饱和电滞回线．在1 kHz下,600、650和700 ℃晶化的薄膜介电常数与损耗分别为519与0.028、677与0.029、987     

Na0．15（H3O）0．2CoO2·ωH2O的超导电性

最近发现的水合钴氧化物超导体在某些方面具有与高温超导体十分相似的性质．本文报道含有高浓度的水合氢离子的钴氧化物超导体的超导电性磁测量结果．通过对样品的M（H，T）的测量，得到了大致的H～T相图．最后还讨论了系统中可能存在的2D-3D转变．     

Polarized Micro-Raman Study of the Temperature-Induced Phase Transition In 0.67 Pb（Mg1/3Nb2/3）O3-0.33PbTiO3

Polarized Raman spectra of ferroelectric relaxor 0.67Pb（Mg1/3Nb2/3）O3-0.33PbTiO3 （0.67PMN-0.33PT） single crystal are systematically investigated in a wide temperature range from -196 to 600℃ by micro-Raman scattering technique. The results clearly reveal that there are two structural phase transitions in such composite ferroelectric relaxor： the rhombohedral-tetragonal （R- T） phase transition and the tetragonal-cubic （T- C） phase transition. The former occurs at about TR-T =34℃, corresponding to the vanishing of the soft A1 mode at 106cm^-1 recorded in the parallel polarization. The latter appears at about TT-C = 144℃, which can be verified with the vanishing of mode at 780cm^-1 measured in the crossed polarization.     

Bi_（1．8）Pb_（0．2）Sr_2Ca_2Cu_3O高温超导体的I－V特性

我们测量了Ｂｉ１．８Ｐｂ－．２Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ高温超导体在磁场下不同温度的等温Ｉ－Ｖ曲线．观测到在等温ｌｇＩ－ｌｇＶ曲线上会同时存在正曲率和负曲率．这是通常的Ａｎｄｅｒｓｏｎ－Ｋｉｍ磁通蠕动模型和涡旋玻璃态的标度理论Ｖ∞ｅｘｐ［－（Ｊ－／Ｊ）Ｈ］所不能解释的．我们在蠕动模型的基础上，考虑到磁通运动时的耗散对激活能会有一个动力学的贡献，对上述现象进行了解释，并与实验进行了对比．     

Pb(Zr,Sn,Ti)O3反铁电陶瓷的低温相变扩散与极化弛豫

用弱场介电温谱、热释电流谱、强场电滞回线和变温X射线衍射谱研究了微量La掺杂Pb(Zr ,Sn ,Ti)O3(PZST)反铁电 (AFEt)陶瓷在 - 10 0— 180℃温区内的结构与电学特性 .弱场介电温谱显示 ,AFEt陶瓷在低温段(- 10 0— 5 0℃ )呈现介电频率弥散 (0 1— 10 0kHz)和扩散型相变的特征 ,而变温X射线衍射谱却表明材料在这一温区内保持四方相结构 ;低温下经强场作用后 ,AFEt被诱导为亚稳三方铁电态 ,介电频率弥散消失 .基于多元复杂化合物的组分起伏理论 ,讨论了PZSTAFEt陶瓷的相变扩散与极化弛豫新现象 .     

Pb(Zr0.6Ti0.4)O3/YBa2Cu3O7-x双层结构的制备及其特性的研究

我们通过脉冲激光淀积的方法在Ｙ－ＺｒＯ２衬底上原位生长了Ｐｂ（Ｚｒ０．６Ｔｉ０．４）Ｏ３／ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ双层薄膜,在此样品上利用电子探针分析了成分,Ｘ衍射谱证实了两层薄膜为单取向生长,对Ｐｂ（Ｚｒ０．６Ｔｉ０．４）Ｏ３薄膜的铁电性质进行了测试,得到了典型的电滞回线,并对介电常数和损耗角正切值随频率变化进行了测量。     

Magnetoelectric Coupling in Bilayers of Pb（Zr, Ti）O3 Epoxy and Hot Pressed Manganite Perovskite

The synthesis and magnetoclectric （ME） characterization of bilayers of Pb（Zr, Ti）O3 （PZT） and hot pressed manganite perovskite La0.7Sr0.3MnO3 （LSMO） are discussed. Very strong ME interactions are measured for the bilayers. The bilayers exhibit superior ME coupling compared to thick-film composites prepared by tape casting process. Data of the ME voltage coefficient have been obtained as functions of bias magnetic field H, temperature and frequency. The transverse coupling is stronger than the longitudinal interactions and a maximum in the ME voltage coefficient is measured at 225K. The frequency dependence of the ME voltage coefficient reveals a peak at the electromechanical resonance due to radial modes.     

Tailoring thermomagnetic properties in Pb(Zr0.52Ti0.48)O3–Ni(1−x)ZnxFe2O4

The effect of Zn content on magnetocaloric effect (MCE) in Pb(Zr_0.52Ti_0.48)O₃–Ni_(1?x)Zn_xFe₂O₄ (PZT-NZF) with x?=?0, 0.20, 0.30, 0.40 and 0.50 were investigated by phenomenological model. The results show that MCE for PZT-NZF is enhanced with low Zn content. However, for high Zn content samples, MCE for PZT-NZF decreases with Zn. In addition, MCE in PZT-NZF is tunable with Zn content and extends in highly temperature range. It is recommended that that MCE in PZT-NZF is beneficial for magnetic refrigeration for in high temperature.     

Structural and Electrical Characteristics of Pb（Zr0.53,Ti0.47）O3 Thin Films Deposited on Si （100） Substrates

Pb(Zr0.53, Ti0.47)O3 (PZT) films were directly deposited on Si substrates without a buffer layer by pulsed laser deposition. Only(110)-oriented PZT peaks (other than Si substrate peaks) were observed from the XRD data. The electrical properties of the PZT/Si capacitor were characterized in terms of both the capacitance versus voltage (C-V) and current versus voltage (I-V) measurements. The clockwise trace of the C-V curve shows ferroelectric polarization switching, as is expected. From the I-V curves, the Schottky emission and spacecharge-limited-current behaviour are found to be the mainly leakage current mechanism in a certain electric field range in the negative and positive bias, respectively.     

SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12复合铁电薄膜的制备与特性研究

采用溶胶凝胶工艺在p-Si衬底上制备了SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12复合铁电薄膜. 研究了SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12复合薄膜的微观结构与生长行为、铁电性能和疲劳特性. 研究表明: Si衬底Bi4Ti3O12薄膜易于沿c轴择优生长,并有利于SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12复合薄膜的生长.合理的SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12厚度配比能获得较好的铁电性能和优良的抗疲劳特性,SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12厚度配比为1∶3的复合薄膜的剩余极化强度和矫顽电场分别为8.1 μC/cm2 和 130 kV/cm,其无疲劳极化开关次数达1011以上.     

Evolution from Diffuse Ferroelectric to Relaxor Ferroelectric in Pb1-xBax（Fe1/2Nb1/2）O3 Solid Solutions

Dielectric and ferroelectric characteristics for Pb1-xBax（Fe1/2Nh/2）O3 （x = 0,0.05,0.1,0.15, and 0.2） ceramics are determined together with their structures. X-ray diffraction （XRD） analysis confirms the solid solutions with the cubic structure. The dielectric nature changes from diffuse ferroelectric to relaxor ferroelectric with increasing x, while the phase transition temperature Tc （or Tm） decreases monotonously. The diffuse ferroelectric phase transition is observed in the solid solutions with 0≤x ≤0.05. For Pbl-xBax（Fe1/2Nb1/2）O3 with 0.1≤ x≤0.2, relaxor ferroelectric behavior is determined, and the Vogel-Fulcher equation is used to describe the relaxor behavior. The 1/ε versus T plots reveal the diffusion dielectric characteristics in both diffuse and relaxor ferroelectrics.     

Pb(Zr1-xTix)O3中组分调制诱导的不寻常的铁电相

Pb(Zr1-xTix)O3（PZT）是一种重要的钙钛矿结构铁电固溶体,在其准同型相界处发现单斜相引起研究的热潮.文章报道了作者最近对沿着［100］赝立方方向组分调制的PZT体系的铁电性质的研究结果.发现组分调制导致极化偏离调制方向,在准同型相界附近诱导出新型的铁电三斜相和C型单斜相,以及极高的机电特性.证明偶极相互作用是导致以上行为的主要微观机制.     

Pb(Zr,Sn,Ti)O_3反铁电陶瓷场诱相变性能的改进

为了获得场诱反铁电 (AFEt)—铁电 (FER)相变临界电场Ef 小、电滞ΔE小、场致应变x适当的反铁电陶瓷 ,对Pb(Zr ,Sn ,Ti)O3 采用Ba2 置换Pb2 ,同时在四方反铁电相AFEt—三方铁电FER 相界附近调节Ti/Sn比 ,来控制FER AFEt,AFEt 顺电相 (FEC)之间的相变温度TFA,TC,最终实现了对场诱相变参量 (Ef,ΔE)和反铁电工作温区 (ΔT =TC-TFA)的优化与调节 .获得了ΔE =0 85kV/mm ,Ef=1 6kV/mm ,x =0 1% - 0 2 %可用作开关致动器的新型反铁电陶瓷 .借助于X射线衍射、介电温谱、去极化电流谱、电滞回线等手段得到了这一系统AFEt/FER相界附近的温度 Ti含量相图 .     

Y＿（0．9）Eu＿（0．1）Ba＿2Cu＿3O＿（7－δ）中的磁通蠕动研究

在较宽的温度（４．２－８０Ｋ）和磁场（０－８Ｔ）范围内测量了ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）和Ｙ＿（０．９）Ｅｕ＿（０．１）Ｂａ＿２·Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）样品的磁滞回线和磁弛豫，研究了其Ｍ（ｔ），Ｊ＿ｃ（Ｔ）和Ｕ＿（ｅｆ＿ｆ）（Ｊ）关系，并与现有的一些理论模型所预言的结果进行了比较。结果表明：（１）与ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）相比，Ｙ＿（０．９）Ｅｕ＿（０．１）·Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）样品的有效钉扎势和无磁通蠕动时的临界电流密度有明显提高，表明Ｅｕ的部分替代引入了新的、具有更大的钉扎势的钉扎中心；（２）与其它模型相比，集体钉扎——蠕动理论对我们的实验结果作了更好的描述，因而本文为这一理论提供了新的实验证据。