有机薄膜的光致发光和电致发光

制备了以Alq3为发光物质的有机薄膜电致发光器件,得到了30V直流电压下100cd/m2的绿色发光.探讨了Alq3薄膜的光致发光和器件的电致发光机理.     

聚酰亚胺薄膜的电致发光和光致发光

测量了氙灯辐照后聚酰亚胺(PI)薄膜的光致发光(PL)强度、PL谱和氙灯辐照后直流高电场下PI薄膜的电致发光(EL)强度、EL谱、XRD谱和吸收光谱,研究了其EL、PL特性与微观结构的关系.结果表明:PI薄膜的PL强度随测量时间呈指数衰减,EL强度随场强呈指数增长;辐照39 h后,PI的预击穿场强为2.56MV/cm,...     

Ⅱ-Ⅵ族单晶和粉末材料中的电致发光机理

本文首先综述了在Ⅱ-Ⅵ族单晶材料中电致发光的激发和复合机理.然后介绍了在ZnS型粉末材料中交流和直流激发的电致发光机理.     

三价铽离子高分子配合物的光致发光和电致发光

对接枝在高分子链上的铽离子的发光行为进行了研究，得到了其在溶液和薄膜状态下的光致发光光谱，研究发现，聚乙烯基唑（ＰＶＫ）对铽离子的发光有影响，氯仿溶液中对铽离子的发光起猝灭作用，而在薄膜状态下却使其发光增强了对此现象的机理进行了初步探讨，把此种材料做成电致发光器件，可以观察到铽离子的绿色特征发光。     

不同激发密度下CdS晶体的光致发光和受激发射

本文主要研究在77-111K温度范围内、不同激发密度的N2激光器的337.1nm谱线激发下,激子-激子(Ex-Ex)、激子-载流子(Ex-e)的相互作用和发射一个LO声子(Ex-1LO)、两个LO声子(Ex-2LO)的自由激子的辐射复合行为.并在77K温度下观测到由Ex-Ex发射产生的受激发射.     

温度对CdS纳米颗粒形状和光致发光特性的影响

采用反胶束法,在常温和低温下(接近零度)合成了硅土包裹的CdS纳米颗粒.高分辨电镜表明常温下合成的颗粒呈现直径小于5 nm的球形,而在低温下出现了短棒形和长达微米量级的线形.通过对实验过程的分析表明:不仅合成CdS纳米颗粒溶液的浓度,而且温度对CdS纳米颗粒的形状产生了重要的影响.进一步研究了CdS纳米颗粒的光致发光特性.     

热压ZnS-ZnSe多晶混合粉末的光致发光和电致发光的研究

热压技术被引用来研究ZnS—ZnSe多晶混合粉末的光致发光和电致发光。用热压方法将粉末压缩成优质致密,便于制造发光器件的基片。制备了一系列的金属半导体结构的器件,这些器件发射从黄橙色到绿兰色的光。绿兰色发光器件的室温量子效率在10~(-5)—10~(-4)光子/电子范围,比用ZnS—     

高纯CdS单晶生长及光学性质

本文报道用物理蒸气输运(PVT)法,通过对原料的提纯和控制组分蒸气压生长出高纯CdS单晶.叙述了控制晶体化学比的方法并通过比较CdS的激子光谱以评价材料的纯度.     

ZnO单晶的微区光致发光特性研究

ZnO单晶材料以其优良的综合性能在光电子器件方面掀起了研究热潮,因此对ZnO单晶的研究具有重要的理论和实践意义。采用激光辐照的方式,对ZnO单晶进行了光致发光(photoluminescence, PL)光谱实验,分析研究了ZnO单晶在不同温度(低温)和不同激光能量强度照射下其光致发光特性。研究结果表明,ZnO单晶内存在少量杂质及表面氧缺陷,这些结构对其发光特性有一定的影响;在低温条件下,ZnO单晶具有良好的发光特性,且随着温度的提高,发光光谱峰的位置会向长波长方向移动,但强度会减小;当激光光源的强度增大,ZnO单晶的PL发射光谱的强度也会随之增大,且峰的位置和相对强度不变。结合拉曼(Raman)光谱实验,从分子及原子振动、转动类型验证了纤锌矿ZnO单晶的六方晶系结构;配合X射线衍射(X-ray diffraction, XRD)技术,得出ZnO单晶良好的结晶特性以及晶轴取向。     

等离子体聚合物发光性质的研究

通过等离子体聚合合成了发光聚合物,反应条件的改变可使聚合物的荧光峰值从415nm变化到550nm。对聚合物的荧光性质进行了讨论,且制备了电致发光器件LED(A1/聚萘/ITO),实现了其电致发光。结果表明等离子体聚合物的电致发光与光致发光产生的机理基本相同,都是由聚合物中的多个生色团产生的。     

SiGe/Si量子阱的低温光荧光和电注入发光

使用Si-MBE生长了阶梯形折射率分布SiGe/Si量子阱材料,在低温下观测到无声子参与的光荧光和电注入发光。阶梯形折射率分布SiGe/Si电子阱结构有利于提高发光效率。讨论了这种结构的光学和电学特性。     

窄谱带绿色有机电致发光器件

以Tb³⁺:水杨酸(Tb³⁺:(SA)₃)为空穴传输层兼发光层、高荧光材料Alq₃为电子传输层,得到了窄谱带的绿色有机薄膜电致发光双层结构器件.实验证实,双层器件的电致发光是电荷载流子隧穿内界面(Tb³⁺:(SA)₃/Alq₃)之后分别在两有机层内的复合发光,是两有机层本征发光的叠加.其光谱随着电子传输层厚度而改变,因而减少电子传输层厚度能得到亮度高、稳     

纳米尺寸CdS半导体微晶的光致发光线宽宽化研究

测量了各种温度下玻璃中掺杂纳米尺寸ＣｄＳ半导体微晶的光致发光光谱，研究了其光致发光带的峰值能量和线宽对温度的依赖关系．考虑ＣｄＳ微晶的ＬＯ声子的相互作用，拟合了其带隙发光带的线宽随温度的变化曲线，获得样品的非均匀线宽．ＣｄＳ微晶的非均匀线宽主要是由于微晶的尺寸分布引起的．     

纳米尺寸CdS半导体微晶的光致发光线宽宽化研究

测量了各种温度下玻璃中掺杂纳米尺寸CdS半导体微晶的光致发光光谱,研究了其光致发光带的峰值能量和线宽对温度的依赖关系.考虑CdS微晶的LO声子的相互作用,拟合了其带隙发光带的线宽随温度的变化曲线,获得样品的非均匀线宽.CdS微晶的非均匀线宽主要是由于微晶的尺寸分布引起的.     

GaP纯绿发光二极管的近红外发光研究

本文测量了GaP纯绿发光二极管在室温和液氮温度下的近红外发光光谱,观测到许多重叠的宽带发光.按高斯线型对光谱进行拟合,将其分解为6个发光谱峰,讨论了这些深能级发光的来源和它们对GaP发光二极管的发光强度的影响.     

ZnSexS1-x MIS发光二极管的兰色和紫色电致发光

在40—290K温度范围内,研究了用高纯ZnSe0.8S0.2和ZnSe0.5S0.5单晶制备的MIS发光二极管在正向电压激发下的电致发光光谱。在室温时,观察到二个强的发射谱带,对于ZnSe0.8S0.2晶体,谱带峰值分别为4460和4554Å,对于ZnSe0.5S0.5晶体,则分别为4128和4276Å。在低温40K时,观察到电致发光光谱的精细结构。研究了这些光谱的温度依赖。根据作者在ZnSe MIS发光二极管中提出的观点[10],讨论了ZnSexS1-x混晶中二个室温谱带的起因。     

CdS半导体纳米晶体高强度激发下光谱特性研究

CdS半导体微晶作为代表性介观材料(mesoscopic material)其光学吸收和发光与量子尺寸效应的关系已经得到广泛研究[1-4],发现随着CdS微晶尺寸减小,CdS本征吸收和发射带呈现显著蓝移.Rossetti等人[3]和Y.Wang等人[4]分别通过对溶胶、沸石、聚合物和玻璃中CdS纳米晶体的光致发光测量研究了发光来源以及发光与尺寸的关系,确定了两个宽带发光分别属于带隙发光(350-500nm)和表面态或缺陷发光(500-700nm).本文首次报道了利用溶胶凝胶方法制备的钠硼硅中纳米尺寸CdS晶体高激发功率条件下的发光光谱测量结果,观察到随激发功率增加发光光谱兰移和线宽明显宽化,讨论了其物理机制.     

掺铒的ZnS薄膜直流电致发光和光谱强度

使用同时蒸发的办法制备薄膜ZnS:Cu,Er,Cl,薄膜具有良好的直流电致发光.将实验观察铒离子从激发态到基态跃迁的光谱强度同振子强度的理论计算相比较,两者之间符合得很好.因而进一步证明在稀土离子掺杂的ZnS薄膜直流电致发光过程中,热电子能量分布遵从玻尔兹曼分布.