12位分辨率的磁旋转编码器AS5046

奥地利微电子公司推出了12位分辨率的磁旋转编码器AS5046．用于检测IC上方磁体的旋转角度、倾斜程度和垂直距离。该器件可检测数毫米以上的垂直距离．是导航旋钮等非接触式、多轴人机接口设备的理想解决方案。     

业内最小尺寸10位数字输出分辨率线性霍尔传感器IC

奥地利微电子（AMS）推出AS5510线性霍尔传感器IC,具有业内尺寸最小的10位数字输出分辨率。AS5510采用微小的1.46mm×1.1mm芯片规模封装,包括一个I2C2线串行接口,以便在4种不同灵敏度范围内切换,并实现到微控制器的简单的数据传输。     

再谈提高光电编码器分辨率的位置细分电路

本刊今年第5期介绍了一种提高光电编码器分辩率的位置细分电路,其分辩率最大为光电编码器分辩率的4倍。为满足更高精度的测量,本文介绍一种由CMOS锁相环和方向鉴别器组成的位置细分电路。其原理框图如图1所示。图中f_A、f_B分别表示A相和B相脉冲,A相脉冲为计数脉冲,B相脉冲为辨向脉冲。设A相脉冲在前作加法计数,否则,作减法计数。图1虚线框I部分,是由一块CMOS锁相环电路CD4046和一块双BCD加法计数器CD4518组成的最大为100倍的倍频电路,其电路图如图2所示。图中双BCD加法计数器CD4518组成20分频器。工     

亚微米集成电路的ESD保护设计

介绍了一种带ESD瞬态检测的VDD-VSS之间的电压箝位结构,归纳了在设计全芯片ESD保护结构时需要注意的关键点;提出了一种亚微米集成电路全芯片ESD保护的设计方案,从实例中验证了亚微米集成电路的全芯片ESD保护设计.     

SOI亚微米波导光栅的设计与制作

报道了SOI基亚微米小尺寸波导光栅器件的设计、制作与测试结果。提出了波导与光栅同步制作的方案,避免了套刻,节约了成本。实验中采用电子束光刻(EBL)、感应耦合等离子体(ICP)刻蚀等先进半导体工艺技术,结合图形补偿等技术手段,完成了亚微米波导光栅的制作。光栅周期为350nm,占空比16∶19。采用该光栅做反射镜,制作了法布里-珀罗(F-P)谐振腔,经测试得到了与模拟相吻合的结果,峰谷比达到11dB。     

增量式．线性磁编码器IC

AS5304和AS5306是两款高性能线性霍尔传感器IC。AS5304和AS5306采用20管脚、5×5mm、TSSOP封装,规定工作电压为5V,温度范围为40～＋125℃。与光学传感器类似,AS5304和AS5306可提供增量型A／B正交输出信号,每磁极对对应160步,并且每个磁极对会输出一个索引脉冲。参考上电后的已知起始位置,设计者还可结合索引脉冲与正交输出信号开发出跟踪绝对位置的应用。     

亚微米尺寸金属电极的制备工艺

亚微米尺寸金属电极在高电子迁移率晶体管(HEMT)等半导体电子学器件中有重要应用,其制作是器件制作中的关键工艺,对器件性能有着重要影响。本文选择合适的涂胶旋转转速、烘烤温度(180℃)和时间,可以有效地减少电子束曝光后所产生的气泡。通过对聚甲基丙烯酸甲酯/聚二甲基戊二酰亚胺(PMMA/PMGI)双层胶进行电子束曝光和显影,确定了合适的曝光剂量为550 μC/cm2。通过调整显影液配比,并将显影时间控制在合理范围,获得了光滑完整的PMMA/PMGI双层光刻胶曝光图形。开发了双层光刻胶电子束曝光工艺,制备出宽度为200 nm的金属电极。     

亚微米级硅尖端传感器的研制

提出了一种全新的亚微米级温度传感器的构想。作者在借鉴AFM悬臂测头的基础上，采用了微机械加工技术中的各向同性和各向异性腐蚀技术，在硅材料上完成了悬臂梁与硅尖制作。制成的梁的厚度在6μm左右、尖端曲径半径远小于1μm。随后对悬臂梁前端的硅尖进行尖端放电，隧穿其顶端的Si_3N_4层形成温敏器件──一个微型的热电偶。最后进行了这一温敏传感器的引线和封装。由于制作所形成的硅尖曲径半径在0．1μm左右，从而可以在其尖顶上形成亚微米级的温度传感器，在集成电路的探伤与修补以及生物技术领域，有着广阔的应用前景。     

用于光导板的亚微米光栅衍射特性研究

提出了利用亚微米光栅制作光导板的方法,用严格耦合波理论计算分析了亚微米光栅从光密介质到光疏介质的1级透射衍射效率与光栅槽深、入射角度的关系。讨论了在满足基底全反射条件的入射角时对应于R、G、B三原色光的亚微米光栅（0．651μm、0．508μm、0．405μm）在导波条件下的光场衍射特性,并用实验证明在导波条件下1级衍射效率率与光栅槽深关系的可靠性。给出亚微米光栅型光导板的初始结构,并进行了误差分析。     

亚微米BiCMOS电路纵向NPN管的ESD保护研究

文章以0.6μmN外延BiCMOS工艺为基础,研究了纵向NPN管的ESD保护行为,并对不同版图结构的纵向NPN管进行了ESD行为研究。实验表明,由于基区的内在电阻不一样,在该工艺条件下,CEB、CEBE结构比CBE、CBEB结构SNAPBACK效应明显,机器模式下ESD保护能力强。此外,还研究了兼容低压Vz工艺,单级保护NMOS输出管的纵向NPN器件的ESD行为,流片显示采用EB结齐纳击穿的纵向NPN能有效单级保护CMOS的输出级。     

用于光导板的亚微米光栅透射衍射特性分析

提出了利用亚微米光棚制作光导板的方法,用严格耦合波理论博分析了亚微米光栅从光密介质到光疏介质的1级透射衍射效率与光栅槽深的关系,讨论在满足基底全反射条件的入射角下,对应于红、绿、蓝(红光700mn,绿光555nm,蓝光465nm)三色光的亚微米光栅(0.651μm、0.516μm、0.433μm)在导波条件下的光场衍射特性,并用实验证明在导波条件下1级衍射效率与光栅槽深关系的可靠性,给出亚微米光栅型光导板的初始结构,进行误差分析.     

亚微米粒子虚拟冲击器的研制

亚微米虚拟冲击器是实现高灵敏度生物气溶胶光学在线监测的前提,是当前的研究热点之一。基于空气动力学理论与相关研究基础,设计了一种切割粒径为0.4μm的亚微米级粒子虚拟冲击器,利用计算流体动力学(CFD)分析软件Fluent以及离散相模型对虚拟冲击器结构的入口喷嘴与收集孔间距、收集孔径和流量比等各种设计参数进行模拟与分析,得到了一组优化设计参数并制作了虚拟冲击器实物。测试结果表明,该虚拟冲击器具有良好的浓缩效果,对0.37、0.5、0.7μm聚苯乙烯乳胶球(PSL)粒子的收集效率等参数与仿真结果基本吻合,验证了流体动力学分析方法的可行性。该虚拟冲击器切割粒径的实验测试结果达到0.4μm,满足实际应用需求。     

亚半微米投影曝光机的逐场调焦调平技术

介绍用于亚半微米分步重复投影曝光机的ＰＳＤ调焦调平、激光干涉调焦调平、多点高度测量传感和单光路多点检测等逐场调焦调平技术，较详细地阐述各技术原理、组成及能达到的精度，分析各种方法的优缺点和主要实用范围，为自主研制亚半微米分步重复投影曝光机的逐场调焦调平系统提供了参考方案。     

亚微米球形金粉的制备与应用

采用化学还原法,以草酸、亚硫酸钠和抗坏血酸(VC)等为还原剂,以PVP(聚乙烯吡咯烷酮)为分散剂还原雷酸金制备了亚微米球形金粉,利用SEM对所制金粉进行了表征。讨论了还原剂种类对金粉形貌的影响,优选出了弱还原性的VC作为制备亚微米球形金粉的还原剂。探讨了金溶液质量浓度、pH值、PVP用量对金粉粒径的影响。结果表明:当金溶液质量浓度为30 g/L,pH值为3.5,质量比ζ(PVP:Au)=0.5:1.0时,所制备的金粉具有规则的球形形貌和约0.3μm的粒径。该金粉制备的金导体浆料具有优良的导电性能。     

用于亚微米图形加工的离轴照明技术

本文主要介绍了国外用于提高光学片子步进机成像性能的高分辨率、大焦深的离轴照明技术。通过几种照明技术的比较，指出了可用于亚半微米器件图形转印的环形照明技术在未来６４Ｍ～２５６ＭＤＲＡＭ器件时代进行规模生产的潜力所在。     

SPS制备亚微米多晶LaB6块体的EBSD研究

用氢直流电弧法制备LaH2纳米粉末,再采用放电等离子烧结（SPS）技术,在压力50MPa,烧结温度1400℃～1600℃条件下制备了LaB6亚微米多晶块体。采用EBSD技术,对LaB6样品表面的晶粒、晶界特征及晶粒取向等进行了测试分析。结果表明,SPS制备的LaB6晶粒尺寸为0．14μm～1．10μm,晶粒大小随烧结温度升高而增大。随烧结温度的升高,小角度晶界（微取向差在10°以内）的含量逐渐增加。取向分析表明,SPS烧结LaB6多晶块体形成了几种择优取向。     

局部线性嵌入的快速单幅图像超分辨率技术

图像超分辨率的目的是在给定低分辨率图像的基础上产生超分辨率图像.单幅图像超分辨率是个病态和欠定的问题,需要通过样本学习和图像先验约束来重构图像丢失的高频细节.本文提出了一种基于局部线性嵌入的快速单幅图像超分辨率技术.首先,该方法利用大量的自然图像建立高低分辨率图像块样本训练库;其次,运用聚类算法将具有相似性质的高低分辨率样本块进行聚类;再次,基于局部线性嵌入技术,通过样本训练来学习低分辨率图像与高分辨率图像之间的映射函数;最后,用过映射函数来重构高分辨率图像.实验结果表明,本文算法不仅能高质量重构高分辨图像,而且快速高效.     

基于微米级LED阵列的高度集成半导体信息显示

提出信息显示设备不仅能够在显示屏的平面上展示信息,更重要的是能够在真实的三维空间中显示内容,使人与信息之间的自然交互成为可能。微米级LED显示屏有可能将我们带入一个真正身临其境和互动体验的新时代。响应时间快,体积小,应用环境温度宽,使用寿命长,使Micro-LED显示屏几乎适用于所有显示应用,甚至可以是柔性和透明显示屏。通过减小LED的尺寸,可以实现非常高像素密度的显示器。研究认为,基于微米LED阵列可以为实现高度集成的半导体信息显示（HISID）铺平道路,实现下一代信息显示技术。