YBa_2Cu_3O_7中Cu的NQR自旋晶格弛豫研究

在室温至77K 范围内,测量了 YBa_2Cu_3O_7高 T。超导体中 Cu 的核四极共振的自旋晶格弛豫时间。磁化矢量的增长服从单指数规律,自旋晶格弛豫主要由于磁偶极相互作用。弛豫时间与温度的关系,在 T_o 以上可近似用 T_1T~(0.5)=常数拟合,在 T_o 以下,未观察到经典 BGS 超导体的弛豫行为。     

YBa_2Cu_3O_7中Cu的NQR自旋晶格弛豫研究

在室温至77K范围内,测量了YBa_2Cu_3O_7高T_c超导体中Cu的核四极共振的自旋晶格弛豫时间.磁化矢量的增长服从单指数规律,自旋晶格弛豫主要由于磁偶极相互作用.弛豫时间与温度的关系,在T.以上可近似用T_1T~(0.5)=常数拟合,在T.以下,未观察到经典BCS超导体的弛豫行为.     

Fe掺杂对YBa_2Cu_(3-x)Fe_xO_(7-δ)超导体表面XPS的影响

本文对合成出的单相YBa_2Cu_(3-x)Fe_xO_(7 σ)系列样品的晶体结构、电阻特性及磁化特性进行了测量。结果表明,Fe掺杂的系列样品,当x增加时,经历了由正交到四方,超导到非超导,抗磁性至铁磁性的变化。经对样品的XPS分析可见,Ba_(34)_(5/2)和O_(1s)的低结合能峰与晶体结构和超导特性有关,而且它们的相对强度随x变化呈有规律的相似变化趋势,从XPS上未直接观察到Cu~(3+);Fe的高价态含量随x的增加略有增加。     

YBa_2Cu_3O_7磁取向粉末中Cu的NMR和NQR研究

制备了YBa_2Cu_3O_7的磁取向粉末样品,在室温下(293K)对B_0||C轴和B_0⊥C轴两种情况下,测量了Cu(Ⅰ)和Cu(Ⅱ)的NMR谱和NQR谱。通过分析,求得Cu(Ⅰ)和Cu(Ⅱ)的各向异性电场强度梯度、奈特位移和Cu(Ⅱ)的各向异性的自旋晶格弛豫时间。     

YBa_2Cu_3O_7磁取向粉末中Cu的NMR和NOR研究

制备了YBa_2Cu_3O_7的磁取向粉末样品,在室温下(293K)对Bo∥C轴和B_0⊥C轴两种情况下,测量了Cu(Ⅰ)和Cu(Ⅱ)的NMR谱和NQR谱.通过分析,求得Cu(Ⅰ)和Cu(Ⅱ)的各向异性电场强度梯度、奈特位移和Cu(Ⅱ)的各向异性的自旋晶格弛豫时间.     

YBa_2Cu_3O_7的LDF-LMTO电子结构

本文用密度泛函理论和线性丸盒轨道方法计算了YBa_2Cu_3O_1系统的电子能带结构.结果表明有两个强2D特征的能带和一个1D特征的能带与Fermi面相交.它们分别对应于原胞中的两个准2D Cu-O平面和一个含有Cu-O线链的基平面上Cu 3d和O 2p态之间的相互作用.各原子分波态密度的分析表明,对电导和超导起决定作用的Cu-O平面和Cu-O线链中,2D Cu-O面对态密度的贡献是基本的.     

YBa_2Cu_3O_(7-y)体系高Tc的理论研究(Ⅰ)——帽氧原子(O_Ⅳ)的位移对正交相电子能带结构、Fermi面及Fermi面电子态密度的影响

本文基于 EHMO 计算讨论了帽氯原子(O_(IV))的位移对 YBa_2Cu_3 O_(i-y)(y0.19)正交相电子能带结构、Fermi 面及 Fermi 面电子态密度的影响,结果表明 O_(IV)原子的位移改善了 YBa_2 Cu_3 O_(i-x)体系的电子能带结构,导致了体系中铜原子价态的混合和 Fermi 面电子态富度的增大,我们的工作证明 O_(IV)原子在其平衡位置附近的振动对 YBa_2 Cu_3 O_(i-y)超导体的高T_c 有重要贡献     

柠檬酸溶胶凝胶法合成YBa_2Cu_3O_(7-δ)

采用溶胶 凝胶法制备了均匀的YBa2Cu3O7-δ超导细粉·讨论了凝胶的形成过程·配合剂柠檬酸与金属离子结合形成了可溶性的大分子化合物,除水后缩聚反应形成的聚合物长大为小粒子簇,相互连结成连续的三维网络·柠檬酸盐溶液的pH值控制在6 4～6 7之间可防止白色Ba(NO3)2沉淀·溶剂挥发温度宜控制在300℃,使凝胶的形成和自燃过程能在相同温度条件下连续进行·合成YBa2Cu3O7-δ的温度大约在880℃左右,其粉末粒度大约在0 2～1μm之间·     

Nd_(0.9)Ca_(0.1)Ba_2Cu_3O_(7-δ) 超导体的结构

用固相反应法制备，并通过不同条件的热处理得到了一组不同氧含量的Ｎｄ０．９Ｃａ０．１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ样品。用ＸＲＤ确定了预烧粉末的结构特征，发现其为（Ｎｄ，Ｃａ，Ｂａ）ＣｕＯ３钙钛矿结构，较之典型立方钙钛矿（ＳｒＴｉＯ３）出现新的１１３峰，且晶胞参数相应增大了一倍。随着氧含量的增大，Ｎｄ０．９Ｃａ０．１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ的结构发生从四方到正交相变，并讨论了其结构与超导电性的关系。     

Y_1Ba_2Cu_3O_(7—δ)的结构变化特征与超导电性的关系

利用动态高温X射线衍射和高温TG-DTA实验相结合,可得到不同温度时氧缺位量δ所对应的结构形态。但该法不能同时给出不同结构的超导性能的情况。本文通过对空气中缓慢退火过程中的样品,在不同温度下,于不同淬火介质(水、液氮和空气)中的淬火,分析测     

用电阻法研究超导体YBa2Cu3O7—x的高温特性

本文报道用测量电阻的方法,研究高温超导体YB_(a2)Cu_3 O_(7-x)的高温电阻率,正交一四方结构相变和氧在晶格内的扩散,并对实验结果进行了分析和讨论。     

脉冲激光沉积法原位后退火生长MgB2薄膜的研究

采用脉冲激光沉积的方法在 Al₂O₃（0001）基片上先生成 Mg-B 混和薄膜,然后采用原位后退火的方法生成 MgB₂ 超导薄膜,采用磁测量（M-T）、X射线衍射、扫描电子显微镜技术分析了各种沉积及退火条件对 MgB₂ 超导薄膜表面形貌、晶体结构、超导电性的影响。在沉积温度为 200 ℃,退火时间 5min 时,改变退火温度得到一组薄膜,研究退火温度对超导薄膜性质的影响,得到了转变温度-退火温度曲线。在退火温度为 670℃、720℃ 时,得到了最高的临界转变温度 T_c=33K,X射线衍射结果表明此时的薄膜有 c 轴取向。同时比较了在 200℃ 下沉积,在 670℃ 下分别退火不同时间的薄膜的超导性质。还比较了分别在不同温度下沉积,然后在 670℃ 下退火 5min 的薄膜的超导性质。结果表明,沉积温度和退火温度、退火时间极大的影响了薄膜的各种性质。     

脉冲激光沉积BST铁电薄膜的厚度分布

使用193nm脉冲激光在高真空条件下沉积Ba0.5Sr0.5TiO3(BST)薄膜,通过观测薄膜形成的等厚干涉条纹,发现溅射光斑形状对膜层厚度分布有显著影响.通过精确测量干涉条纹的分布,推出了溅射产物的角分布函数.     

溅射Ga2O3反应自组装和脉冲激光沉积(PLD)法制备GaN薄膜

用溅射Ga2O3反应自组装和脉冲激光沉积（PLD）法分别在硅和蓝宝石衬底上制备CaN薄膜,用X射线衍射图谱（XRD）和原子力显微镜（AFM）对GaN薄膜的结构和形貌进行分析,结果表明,采用两种方法在两种衬底上均可制备出结晶较好的CaN薄膜,但硅衬底上制备的GaN薄膜的晶粒明显大于在蓝宝石衬底上制备的GaN薄膜的晶粒,进一步表明硅基溅射Ga2O3反应自组装GaN薄膜晶化程度较高.     

Y1—xNdxBa2Cu3O7—δ微结构及临界电流密度

研究Ｎｄ替代Ｙ后对ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ（Ｙ１２３）超导织构体的临界电流密度及微结构的影响,采用溶胶－凝胶工艺制备名义组份为Ｙ１－ｘＮｄｘＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ的先驱物,用熔融织构生长（ＭＴＧ）工艺生长织构样品．结果表明,组份的熔点［θｍ（ｘ）］随着ｘ的增加而提高,并随着Δθ＝θｍａｘ－θｍ（ｘ）（θｍａｘ是ＭＴＧ工艺过程的最高保持温度）的提高,织构体中ＣｕＯ的含量增加,晶界之间及织构畴之间的弱连接的性质更加明显．由于晶粒内部及织构畴的磁通钉扎力得到一定程度的提高,临界电流密度ＪＣ随ｘ的变化有１个最大值．