氟化铈晶体抗辐照机理的探讨

比较研究了氟化铈晶体、CeO2、草酸铈CeAc3粉末中Ce离子外层3d电子的X射线光电子能谱,给出了三种样品的X射线光电子光谱参数.CeF3中的Ce离子可能是混合价态,用电荷自补偿观点解释CeF3晶体抗辐照机理.     

X射线荧光光谱分析氟化铈晶体中掺杂元素钕

本文提出了用Ｘ射线荧光光谱定量分析氟化铈晶体中掺杂元素钕方法，对用ＸＲＦＳ进行晶体样品分析时的制样方法作了比较，并且对用ＸＲＦＳ非破坏分析晶体中的掺杂元素的方法进行了探讨。     

X射线荧光光谱分析氟化铈晶体中的掺杂元素钕

本文提出了用X射线荧光光谱（XRFS）定量分析氟化铈晶体中掺杂元素钕方法，对用XRFS进行晶体样品分析时的制样方法作了比较，并且对用XRFS非破坏分析晶体中的掺杂元素的方法进行了探讨。     

CeF3向CeO2的转变对掺杂Tb3+离子发光性能的影响

采用液相法合成CeF3:Tb3+并在不同温度下进行热处理,研究热处理温度对样品组成、相结构、形貌及发光性能的影响.结果表明:在300、400℃煅烧后得到的样品仍为CeF3:Tb3+,500℃煅烧后基质材料发生由六方相CeF3向立方相CeO2的转变,700℃时,完全转变为CeO2;紫外光激发下,掺杂Tb3+离子的发射光谱强度随煅烧温度升高而增加,400℃时达到最大,随后又逐渐降低,至700℃时则几乎不发光,这是由于CeF3向CeO2的转变切断了Ce3+、Tb3+离子间的有效能量传递所致.     

蓝宝石中子辐照色心的研究

研究了中子辐照对蓝宝石(α-Al2O3)单晶体缺陷形成及光学性能的影响,对采用提拉法与温度梯度法生长的蓝宝石晶体进行中子辐照,通过对比辐照前后的吸收及荧光光谱变化,发现辐照使得蓝宝石晶体内形成F、F^ 和F2^ 色心缺陷,但不同方法生长的晶体样品中色心浓度差异明显。其中提拉法样品的F心浓度要高于温度梯度法样品,而温度梯度法样品中F^ 色心浓度要高于提拉法样品。分析表明,这与两种方法生长的晶体中杂质含量差异有关。通过研究辐照后晶体的热致发光谱发现提拉法与温度梯度法生长的蓝宝石晶体分别在145℃与150℃有明显的热致发光出现,采用初始上升法计算出两种方法生长的晶体的热致发光陷阱深度分别为1．15eV及1．05eV。     

高功率脉冲电子束辐照SiO_2的光学和激光损伤性能

研究了不同剂量的60 kW高功率脉冲电子束辐照对高纯熔石英玻璃的微观结构、光学性能和激光损伤特性的影响规律.光学显微图像表明,辐照后熔石英样品由于热效应导致表面破裂,裂纹密度和尺寸随辐照剂量增加而增大,采用原子力显微镜分析表面裂纹的微观形貌,裂纹宽度约1μm,同时样品表面分布着大量尺寸约0.1—1μm的碎片颗粒.吸收光谱测试表明,所有样品均在394 nm处出现微弱的吸收峰,吸收强度随着电子束辐照剂量增大呈现先增加后减小的趋势.荧光光谱测试发现辐照前后样品均有3个荧光带,分别位于460,494和520 nm,荧光强度随辐照剂量的变化趋势与吸收光谱一致.利用355 nm激光研究了不同剂量电子束辐照对熔石英激光损伤阈值的影响,结果表明熔石英的损伤阈值随着辐照剂量的增加而降低.在剂量较低时,导致熔石英激光损伤阈值下降的原因主要是色心缺陷;剂量较高时,导致损伤阈值降低的原因主要是样品表面产生的大量微裂纹和碎片颗粒对激光的调制和吸收.     

钨酸铅晶体的本征色心和辐照诱导色心

根据钨酸铅晶体(PbWO4,简称PWO)的缺陷化学和晶体结构特点,用光吸收谱、广延X射线吸收精细结构(EXAFS)和精密X射线衍射(XRD)方法对高温退火后PWO晶体进行微结构研究,获得了其退火前后缺陷变化的情况,据此提出生成态(asgrown)晶体中350nm本征色心吸收带起源于V-F空穴心,并指出PWO中紫外区色心吸收带的强度取决于晶体中铅空位和氧空位浓度之差:[VPb]-[VO];然后,结合晶体在紫外光(UV)辐照过程中色心的转化规律和偏振吸收谱的实验结果,提高420nm辐照诱导色心吸收带起源于V0F双空穴心.并对所提出的PWO晶体色心模型的合理性进行了讨论. 关键词： 钨酸铅 本征色心 辐照诱导色心 色心模型     

掺铈氟化钡闪烁晶体荧光特性的研究

测定了系列掺铈氟化钡闪烁晶体时间衰减特性和荧光的光谱成分.通过对实验结果的分析,表明掺有适量Ce⁺³离子的BaF₂晶体具有一些引人注目的性质,例如荧光发射谱从UV波段向蓝光红移,一种具有中等快的近蓝荧光成分(τ<80ns)完全取代了不掺杂的BaF₂的慢成分(τ～600ns)和特快成分(τ～800ps).该成分的光产额与不掺杂晶体两成分的光产额这和相当.它可能成为一种有广泛应用前景的新的闪烁晶体.     

氟化Si（100）表面的结构研究

用Ｈｅ原子衍射研究了氟化Ｓｉ（１００）表面的结构。由Ｈｅ衍射测定表明Ｓｉ的悬空键是氟吸附的位置。Ｆ２与Ｓｉ（１００）２&#215;１反应并不扰乱Ｓｉ－Ｓｉ二聚键，在Ｆ２入射平动能低时反应实际上在氟的复盖度为一个单层上停止进行。提高了Ｆ２入射平动能可经活化而使Ｆ２与氟化的表面进一步反应，而且在高能Ｆ２暴露后观察到无序的表面结构。     

伽马辐照对掺镱光纤材料特性影响的研究

掺镱光纤是高功率激光器的核心材料,但在高能射线辐照后其应用性能会显著下降,因此有必要对掺镱光纤材料在辐照环境下的性能变化进行深入研究。采用改进型化学气相沉积法结合稀土螯合物掺杂制备了系列光纤预制棒及光纤,测试了光纤在不同剂量下射线辐照前后的高功率输出性能,以及光纤预制棒辐照前后的吸收光谱及镱离子荧光寿命。结果表明：小剂量辐照后掺镱光纤的高功率输出显著下降,通过预制棒吸收光谱可看出主要是因为伽马辐照后使掺镱光纤材料中Al的相关缺陷浓度增多,在可见光区域吸收损耗增加。Ce离子的掺杂通过缓减辐致铝氧空位中心（Al-OHC）色心缺陷的增加,减少Yb离子荧光寿命的下降,可在一定程度上抑制高功率掺镱光纤的辐致暗化。     

强光场下类氢原子的电离能谱

用Ｆｌｏｑｕｅｔ方法迭代求解强光场下类氢原子的Ｓｃｈｒｏｅｄｉｎｇｅｒ方程,较严格地计算线极化光场下的波函数,并用电离边界条件,求出复本征值,最后得到多光子共振电离公式,并与实验比较。     

不同规范下横场与纵场的特性分析

文章按照矢量场分解为横场和纵场的方法,采用亥姆霍兹定理,研究电磁场的性质与结构.对不同规范下电磁场的横场和纵场特性进行分析与比较,讨论电磁场与源之间的对应关系.结果表明,电磁场问题由电荷场和电磁波动场两个相互独立的问题组成,远区辐射场由横场部分决定,纵场部分并不辐射出去;电磁势函数存在过多自由度可以归因于纵场分量的不唯一性,标量势所满足的方程并不独立于各自对应的矢量势所满足的方程.     

强场作用下二能级原子双光子过程中辐射场的压缩效应

本文采用数值计算方法研究了强场作用下二能级原子双光子过程中辐射场的压缩效应.结果表明:辐射场主要处于压缩态,并周期性地出现短时的非压缩效应,随着值的不断增大,场与原子的非线性耦合越来越强,压缩的最大深度不断加深.     

强激发二能级原子双光子过程的量子特性

本文用数值计算研究了强激发二能级原子双光子过程粒子数反转的崩塌与复苏性质和光子统计演化,结果发现,至于崩塌与复苏的性质与低激发情况不同,将随着工值的不断增大,场与原子的非线性耦合越来越强,重复地出现复苏收缩现象.     

激光辐射下约瑟夫森结的直流Ⅰ-Ⅴ特性

研究了激光辐照下约瑟夫森结的直流Ⅰ-Ⅴ特性变化,并对Ⅰ-Ⅴ曲线下移的实验结果进行了分析,认为是光拆库柏对效应所致.该结果为发展一种新的可见光探测器提供了思路.     

人体气功态辐射的特征谱

用光学多道分析仪，对长期练气功的五位人员手掌发出的辐射进行探测，所得特征谱如图２～５所示。     

强磁场下的输运过程与Liouville方程的两种定态解

本文中讨论了在外场中Liouville方程的两种定态解,指出在用Kubo公式计算输运系数时的关键之处是:在完成Kubo公式中的时间积分之前,必须把关联函数的时间行为表示成趋向平衡的形式。注意到这一点就能得到正确的输运系数表示式。用这种办法,我们重新计算了文献[1]中曾讨论过的强磁场下的电导率,得到了正确的非零的结果。 关键词：     

SCREENING EFFECT OF THE SPIN DISTRIBUTION IN THE ATOMS OF HYDROGEN AND ALKALI METALS UNDER THE DISTURBANCE OF A STRONG PERIODIC MAGNETIC FIELD

Using the path integral method, we calculated all the distribution probability ratios for the spin projection of the electron in a hydrogen atom under the disturbance of a strong periodic magnetic field, and studied the screening effect of the coupling of spin with the periodic magnetic field B(t) on the ratios of the spin distributions. It is found that the screening exists not only in the usual direction along the magnetic field (not affected by initial conditions) but also other directions affected by the initial conditions. For the valence electron in the alkali metals, such as ^{3/sup>Li, 11Na, 19K, 37Ru, and 55Ce, etc., a similar conclusion can be drawn.}     

相位掩模的近场衍射特性分析

用相位掩模法制造光纤光栅是一种简单、有效的方法.本文用标量衍射理论对相位掩模的近场衍射特性进行了分析,讨论了各级衍射光形成的干涉条纹的分布情况,得到了一些有益于光纤光栅制造的结论和有用公式.     

低于再碰撞阈值下强激光场原子非序列双电离(英文)

在最近的实验和理论研究中,我们探讨了氩原子和氖原子在红外强激光场中低于再碰撞阈值的非序列双电离问题。在研究中,我们发现在非序列双电离过程中,氖原子的电子关联表现为在激光偏振面内肩并肩出射,而对于氩原子的电子关联行为表现为在激光偏振面内的背对背出射,我们采用三维半经典模型(考虑电子隧道电离)很好地解释了实验结果。在阈值附近,我们发现电子在激光场中的多次散射以及电子再碰撞激发后电子隧道电离是氩原子反关联行为的主要原因,而电子在激光场作用下的单次碰撞是电子关联行为的主要原因。通过测量双电离过程中产生电子的横向电子动量分布,观察到了库伦聚焦效应,我们认为这是非经典的关联行为。最后,我们给出了氩原子和氖原子在激光场中阈值的解析模型,并给出了原子的关联和反关联激光强度区域。