电子被HF和HCl分子散射总截面的计算

利用光学势方法计算了能量在１０ｅＶ—１０００ｅＶ范围内电子被Ｈ、Ｆ和Ｃｌ原子散射的总截面，并与已有的实验结果和理论计算进行了比较；又利用可加性规则（ａｄｄｉｔｉｖｉｔｙｒｕｌｅ）计算得到了电子被ＨＦ和ＨＣｌ分子散射的总截面，计算结果也与已有的实验结果和理论计算进行了比较     

30-3000eV的正电子被O2、H2O及CH4散射的总截面计算

使用可加性规则，在Hartree-Fock水平上计算了30-3000eV的正电子被三个分子（O2、H2O及CH4）散射的总截面。计算正电子被三个分子散射的总截面时，首次使用了被束缚原子概念修正过的复光学势（这一复光学势考虑了分子中两个原子间的电子云重叠效应）。将正电子被这三个分子散射的总截面计算结果与实验结果及其它理论计算结果进行了比较，结果显示出在30-3000eV内，文中的计算结果与实验结果及其它理论计算结果具有较好的一致性。因此，可加性规则与修正后的复光学势相结合，完全适用于正电子被分子散射的总截面的计算。     

中高能量电子波NO2和SO2分子散射总截面的研究

利用可加性规则和作者最近提出的经验公式计算了能量在１０ｅＶ－１０００ｅＶ范围内电子被ＮＯ２和ＳＯ２分子散射的总截面，并对计算结果进行了讨论计算结果与已有的实验和理论结果进行了比较。     

中高能正电子被CO，HCl，NH3及SiH4散射的总截面

利用可加性规则，使用Hartree-Fock波函数，采用由束缚原子概念修正过的复光学势(由静电势、极化势及吸收势三部分组成)，在30—3000eV内对正电子被CO，HCl，NH₃和SiH₄散射的总截面进行了计算，且将计算结果与实验结果及其他理论计算结果进行了比较.结果表明，利用被束缚原子概念修正过的复光学势及可加性规则进行计算，所得结果与实验结果的符合程度要比利用未被束缚原子概念修正的复光学势及可加性规则进行计算得到的结果好很多.因此，在复光学势中采用束缚原子概念可提高正电子被分子散射的总截面的计算准确度. 关键词： 正电子散射 可加性规则 束缚原子 总截面     

100～5000eV下电子被若干分子散射的总截面

利用可加性规则，使用Hartree-Fock波函数，在100～5000eV内采用由束缚原子概念修正过的复光学势，对电子被约40个分子散射的总截面进行了计算，并将计算结果与实验结果及其它理论计算结果进行了比较。得出如下结论：①对大多数散射体系而言，仅当入射能量E≥100eV时，计算结果即与实验结果符合得较好，少数较复杂的体系，当E≥200～300eV时，也能与实验结果符合得较好。但采用未修正的复光学势进行计算，仅当E≥500～800eV时才与实验结果符合得较好，不少体系只有在E≥1000eV时才能得到较好的结果。这说明本修正是成功的；②在较高的能量下，对于同类型分子构成的散射体系，在同一能量下其总截面与分子内的总电子数成正比，且电子数越多，其线性度也就越好；③在较高能量下总截面与能量间存在QT≈aE^-b的关系。②与③相结合，可推算出一些复杂分子的总截面。     

中高能正电子被CO,HCl,NH3及SiH4散射的总截面

利用可加性规则,使用Hartree-Fock波函数,采用由束缚原子概念修正过的复光学势(由静电势、极化势及吸收势三部分组成),在30-3000eV内对正电子被CO,HCl,NH3和SiH4散射的总截面进行了计算,且将计算结果与实验结果及其他理论计算结果进行了比较.结果表明,利用被束缚原子概念修正过的复光学势及可加性规则进行计算,所得结果与实验结果的符合程度要比利用未被束缚原子概念修正的复光学势及可加性规则进行计算得到的结果好很多.因此,在复光学势中采用束缚原子概念可提高正电子被分子散射的总截面的计算准确度.     

正,负电子被原子散射的光学势方法—e^±—Na散射总截面的计算

将原子核散射理论中的光学势方法应用于正、负电子被原子散射的计算，提出了不含任意参数的光学势以及由此确定散射矩阵元的方法，计算了低能（≤５０ｅＶ）正、负电子被Ｎａ散射的总截面并与实验结果进行了比较。     

正、负电子被原子散射的光学势方法──e~±－Na散射总截面的计算

将原子核散射理论中的光学势方法应用于正、负电子被原子散射的计算，提出了不含任意参数的光学势以及由此确定散射矩阵元的方法，计算了低能（≤５０ｅＶ）正、负电子被Ｎａ散射的总截面并与实验结果进行了比较。     

中高能电子被氟代甲烷散射的总截面计算

利用可加性规则,使用Hartree-Fock 波函数,采用被束缚原子概念修正过的复光学势,首次在100～5 000eV内对电子被具有较多电子数的氟代甲烷分子散射的总截面进行了计算,且将计算值与实验值及经验公式进行了比较,得出了被束缚原子概念修正过的复光学势可成功用于"电子-氟代甲烷"散射总截面计算的结论;研究了"电子-氟代甲烷"的散射总截面与目标分子总电子数及电子入射能量间的关系,初步分析了结构因子与总电荷数相关的原因,并指出了对复光学势进行进一步修正时应遵循的原则.     

30-5000eV的电子被若干分子散射的总截面计算的一种修正势方法

利用可加性规则，使用Hartree-Fock波函数，采用由束缚原子概念修正过的复光学势，在30~5000eV这一较大的能域内对电子被N2、NO、NO2、CH4、CF4、CF3H、C2H2及C2H4散射的总截面进行了计算。束缚原子不同于自由原子之处，是束缚原子概念考虑了不同分子中的不同的电子云重叠情况，并根据电子云的重叠情况对复光学势进行修正。文中，将定量的计算结果与实验结果及其它理论计算结果进行了比较，结果显示出在30~5000eV内，计算结果与实验结果及其它理论计算结果间有较好的一致性。同时结果也表明，在较低的能量下，尤其是当入射电子的能量低于500eV时，利用被束缚原子概念修正过的复光学势进行计算得到的结果，要比利用未被束缚原子概念修正的复光学势计算得到的结果更接近于实验值。因此，在复光学势中考虑电子云的重叠效应可改善电子被分子散射的总截面的计算精度。     

H^＋与He原子碰撞中电子俘获截面的BIB方法计算

用考虑边界修正的一级玻恩畸变波方法（ＢＩＢ）计算了质子与Ｈｅ原子碰撞中的电子俘获面。结果表明在所关心的能区（１００ｋｅＶ～２４００ｋｅＶ）与实验结果较好地一致     

一种不含自由参数的正电子吸收势

在准自由电子气模型的基础上得到一种不含自由参数的正电子吸收势，把它作为光学势的虚部，计算了能量在最小非弹性阀值到１００ｅＶ范围内正电子被Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ原子散射的总截面和能量为２００ｅＶ和３００ｅＶ时的散射微分截面，计算结果与实验进行了比较。     

光学模型与ADS靶的反应截面

利用核反应中光学模型理论,对质子入射能量从阈能到450MeV,加速器驱动的洁净核能系统的靶材209Bi、208Pb、202Hg、197Au、184W、181Ta与质子的反应进行了研究.给出了两套与实验数据符合很好的光学势参量;预言了质子与Bi、Pb、Hg、Au、W、Ta的反应截面;对现有的实验数据进行了理论验证.     

TOTAL CROSSS ECTIONS FOR ELECTRON SCATTERING FROM SIMPLE HYDROCARBON MOLECULES: C_2H_4,C_2H_6 AND C_3H_8

１ＩＮＴＲＯＤＵＣＴＩＯＮＳｉｍｐｌｅｈｙｄｒｏｃａｒｂｏｎｍｏｌｅｃｕｌｅｓａｓａｎｉｍｐｏｒｔａｎｔｃｏｍｐｏｎｅｎｔｉｎｔｈｅｐｌａｎｅｔａｒｙａｎｄｃｏｍｅｔａｒｙａｔｍｏｓｐｈｅｒｅａｎｄａｓａｄｏｍｉｎａｎｔｍａｔｅｒｉａｌｉｎｔｈｅｆｉ...     

电子被氩,氪,氙原子散射总截面的光学模型研究

文中基于光学模型势方法，详细分析并改进了一种准自由模型吸收势，把它作为光学模型的虚部，在能量０．１－３００ｅＶ的范围内计算了电子被Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ原子散射的总截面，计算结果与实验值进行了比较。     

用于真空紫外光吸收和光电离截面测量的多电极光电离室装置

详细介绍了所制的多电极真空紫外光电离室实验装置。它主要由光学聚焦系统、真空系统、多级光电离吸收室和数据采集系统四部分组成。其主要特点是使用圆筒形多级电极收集光电离产生的电子和离子，并能精确地测量分子的绝对光吸收、光电离和光离解截面，以及光电离量子产率和光学振子强度分布等。结合光电离质谱技术，可获得碎片离子的部分光电离截面。最后给出初步实验结果。     

Al_2O_3/C复合微粒子光学截面及发射率光谱的计算

本文用米氏(Mie)散射理论首次全面地计算了球形复合微粒子Al_2O_3/C的吸收、散射及消光截面。给出了吸收截面、消光截面与核心粒子半径及复合层厚度的关系曲线。此外,还计算了复合粒子半径为 3.0μm时的发射率光谱。并对计算结果进行了讨论。