离子氮化均匀性研究

本工作试验了四种不同的工艺方案,测定了各工艺方案对长杆件离子氮化均匀性的影响,并就其结果进行了较详尽的分析,提出了改善离子氮化均匀性的途径。     

强流氧离子注入机注入均匀性分析及提高

对强流氧离子注入机的注入靶室进行分析探讨,对影响均匀性指标的靶盘结构、束的形状和束扫描注入方式进行研究,结合主体硬件,增加晶片自旋装置和采用新的扫描方式,来提高注入均匀性指标。     

注入离子的横向扩展

本文评论了注入离子横向分布这一课题的最近研究成果,为了知道三维离子的分布,先论述了理论方法。考虑到分布范围的四次项,讨论了横向扩展最大时横向分布的形状和深度。其次给出检验理论预言的实验方法,并且把实验数据和理论数据作了比较。最后作为一个实际例子,用实验结果讨论了砷化镓绝缘层中质子的横向扩展。最终的结果是,对于制作微米尺寸的器件来说,注入离子和绝缘层中质子的横向扩展是不容忽视的。     

砷化镓外延层纵向浓度分布均匀性的改善

一、引言为了改善砷化镓外延层浓度分布的均匀性,自70年9月开展了立式外延炉的工作,两年多来,做了一定工作,有了一些初步的认识。采用本设备,外延层的横向均匀性有所改善,在此基础上又采用汽相腐蚀方法,明显地改善了外延层的纵向浓度分布,获得的较均匀的材料有较好的重复性。用这种材料已制出的3公分耿氏二极管,输出功率一般在200～300毫瓦左右,效率3％;最高450毫瓦,效率4.9％。     

反应离子腐蚀中径向腐蚀速率的不均匀性

本文就确定形成边沿到中心的剥离的“牛眼窗”图形的几个原因进行了研究。为某些膜在一个平行极板反应离子腐蚀系统中被腐蚀时,观察到在出现 “牛眼窗”效应的情况下,腐蚀速率从片子周边到中心单调地下降。研究发现,基片边沿反应剂密度值高于中心区的局部反应剂浓度梯度是导致所观察到的不均匀性的主要原因。该浓度梯度可认为是反应剂引起的二个现象和损耗机理的结果。反应剂引起的现象是:(i)“局部过热”(热点)。对等离子体来说,片子的边沿即相当于“热点”。从而,在该处形成较多的反应剂;(ii)从射频发生器到等离子体的电容耦合结构中,阴极上放片子的位置与阴极上其余地方间的空隙。在强耦合包围下的片子周围将形成比其正上方的区域较多的反应剂。反应剂损耗机理受片子与阴极材料的相对腐蚀速率控制。发现,当所使用的阴极在等离子体中以一个较大的速率被腐蚀时,可促进均匀性的改善。还发现,在整个片子表面上,离子轰击是均匀的。因而,与轰击强烈有关的腐蚀过程也是均匀的。     

梯度浓度掺杂复合板条抽运分布均匀性的分析

为了提高板条介质内抽运分布的均匀性,基于LD双端抽运Nd:YAG陶瓷板条放大器设计方案,理论分析了端面抽运条件下,单一浓度掺杂和梯度浓度掺杂板条介质吸收的抽运功率密度分布情况。通过分析可知,对于单一浓度掺杂板条,会产生抽运效率与抽运吸收功率均匀性之间的相互制约问题,而采用梯度浓度掺杂板条介质,在较高的抽收效率情况下,抽运吸收功率分布更加均匀。结果表明,采用梯度浓度掺杂结构可以提高板条介质内抽运分布的均匀性。     

指数式离子剂量仪与均匀性检测装置

<正> 由于离子注入机注入晶片的离子(如B、P、A等)数量及注入深度等均可严格控制,故比传统工艺优越得多。特别是在中、大规模集成电路及一些特殊用途器件生产中,已成为必不可少的工艺设备之一。 随着半导体工艺水平的不断提高,对离子注入机的扫描面积、注入剂量、均匀性、重复性等方面提出了更高的要求。根据目前半导体生产的实际需要,我们研制了一套检测离子剂量与均匀性的装置,供微控中束流离子注入机使用。该装置手动工作时,作离子剂量仪使用,剂量预置最大范围达1×10~(19)离子/厘米~2,     

辐射型加热磁控注入电子枪温度均匀性和热形变分析

基于140 GHz兆瓦级回旋振荡器电子枪设计和研制,利用ANSYS热分析软件,建立相应的磁控注入电子枪模型,分析电子枪工作时阴极温度均匀性及热形变,尝试通过相关几何和电参数的调整,在改善阴极温度均匀性的基础上,尽可能消除热形变对电子轨迹质量的影响。通过对比相同加热功率下阴极发射带的实测温度及仿真温度,评价了仿真模型及结果的合理性,为阴极组件的实际设计提供了参考数据。     

注入离子分布及其有关现象

本文对空间的注入离子分布及其有关现象的理论和实验研究的现状作了一般性评论.首先,简要地叙述了确定离子分布的基本因子,如:核子和电子的阻挡本领.同时,根据采用 Legendre 多项式的数学分析,推导出有关离子分布的基本理论。其次,把理论结果与实验结果加以比较,表现出两者之间符合得相当好.本文还评述了与理论上所预示的分布之间有偏差是由于沟道效应和衬底表面的溅射现象所致.最后,讨论了不适用于上述理论的某些问题,如:多层衬底中的离子分布、损伤分布及碰撞效应.     

In离子掩模注入GaAs(001)衬底的均匀有序纳米团簇的形成和扩散

离子注入技术是一种重要的制备低维量子结构的方法,它能通过精确控制注入能量、剂量以及注入温度等形成有序纳米团簇.我们利用有序的阳极氧化铝模板作为掩模板在GaAs(001)衬底上进行In离子选择性注入以及快速热退火,获得了均匀有序的纳米团簇,采用原子力显微镜研究了量子点随温度变化的形貌变化特征,观察到注入吸附原子在衬底的扩散随温度变化而加快,退火温度达到680℃时,沿[110]方向的扩散要比[110]方向扩散快,而且呈现各向异性.     

射频阱中离子的激光溅射注入

通过实验测出了激光溅射碳靶时存储离子强度随延迟时间的变化 ,计算出团簇离子的相对存储效率与离子动能之间的关系 ,并对实验结果作出了定性的解释。     

In离子掩模注入GaAs(001)衬底的均匀有序纳米团簇的形成和扩散

离子注入技术是一种重要的制备低维量子结构的方法,它能通过精确控制注入能量、剂量以及注入温度等形成有序纳米团簇.我们利用有序的阳极氧化铝模板作为掩模板在GaAs(001)衬底上进行In离子选择性注入以及快速热退火,获得了均匀有序的纳米团簇,采用原子力显微镜研究了量子点随温度变化的形貌变化特征,观察到注入吸附原子在衬底的扩散随温度变化而加快,退火温度达到680℃时,沿[110]方向的扩散要比[110]方向扩散快,而且呈现各向异性.     

大气中正负离子的浓度测定

很早人们就知道大气中存在空间电荷,这些电荷的携带者可以是气体分子,也可以是尘埃或其他微粒.为了方便起见,把它们通称为“空气离子”.这些空气离子有些具有正电荷,有些具有负电荷,随其符号和浓度的不同,各对人体起着生理和病理的影响.对于正常的成人作观察可以发现多量的正离子将引起恶心、头痛、疲乏、眩晕和精神不安;相反地多量的负离子却可以有镇静和使人感到恬适与舒畅的感觉.后来就证     

提拉红宝石铬离子浓度的分布

本文简要地介绍了红宝石中铬离子浓度及其分布的测定方法,着重讨论提拉红宝石中的铬浓度分布。指出,在晶体中横向铬浓度分布是很均匀的,而纵向分布则有缓慢下降的趋势。这是由于铬离子浓度的分凝系数大于1所造成,初步计算表明K_0≈1.1。同时,指出在缺陷区(如云层区)铬浓度比较高。     

曝光均匀照明系统光照均匀性研究

本文叙述了曝光照明系统的均匀照明原理及实现方法，并提出用计算模拟的方法研究曝光系统的光照分布情况，编制了相应的计算模拟程序。作为实例，给出了作者设计的两个典型的曝光系统光照分布的计算模拟结果。     

硅中注入高剂量氮离子的研究

研究了高剂量氮离子注入硅所形成的高阻层.对该层的研究将有助于使离子注入技术应用于半导体集成电路的隔离工艺. 选用电阻率为0.5Ω-cm,<111>取向的N型硅单晶片作衬底.氮离子注入能量为80keV,注入剂量用1～2×10~(17)cm~(-2),注入后表面可以形成高阻层.这一层的物理、化学、电学性能均较稳定. 用俄歇电子谱仪、背散射沟道技术、红外光谱仪、光电子谱仪等手段对该层的晶体结构及化学键合机理进行了分析.所得结果证明,注入的氮呈高斯分布,该注入层是无序的氮化硅与硅的混合结构. 用8～10Ω-cm的P型硅单晶也可以得到同样的结果.     

离子注入机注入离子能量分布的计算机模拟

本文参考ＴＲＩＭ程序，建立用于模拟计算多种荷电态离子注入过程的程序。在此基础上，对注入离子荷电态进行拟合。本文的结论对注入离子束能量分析有应用价值。     

硼离子选择注入制备多孔硅微阵列

根据p型硅和n型硅不同的制备多孔硅的工艺条件,利用硼离子选择注入,在n型硅片上的局部微区域,形成易于腐蚀的p型硅,用电化学腐蚀方法制备出图形化的多孔硅阵列.省去了传统掩膜腐蚀工艺的掩膜材料的选取与制备以及后道工艺中掩膜材料的清除等工艺,克服了掩膜材料掩蔽效果较差以及存在横向钻蚀等缺点.通过AFM,SEM测试,证明该方法的效果很好.