阈上电离过程中光电子角分布的精细结构

应用非微扰散射理论并考虑自发辐射 ,研究了阈上电离过程中光电子的角分布。由于自发辐射的影响 ,电子的角分布具有精细结构 ,成功地解释了Nandor等人的实验观测。     

用波动光学研究X射线激光传播与放大过程

采用放大自发辐射模型，利用快速傅里叶变换解傍轴波动方程，考虑衍射，折射和增益饱和，编制了Ｘ射线激光在多靶中传播与放大的波动光学和程序ＸＷＡＶＥ，给出了Ｘ射线激光的空间分布，角分布和空间相干性的结果。计算结果与多靶实验所给出的增益系数和发射角结果相符合。     

几何光学近似下X光激光的三维传播与放大

 采用放大自发辐射(ASE)模型何光学近似,在考虑折射效应而不考虑饱和 ,用几效应和等离子体老化的情况下,编制了单靶三维光路计算程序,给出了出射X射线激光的强度角分布和空间分布。在线聚焦等离子体线宽方向尺寸有限和横向密度梯度为0的条件下,研究了X光激光传播放大特性,重新审视了计算横向发射角时所用的公式。     

利用Compton散射对自由电子激光器的研究

通过坐标变换的方法，利用康普顿散射对自由电子激光器(FEL)的自发辐射进行了研究，精确地推导了FEL的自发辐射的波长公式，其近似式就是经典散射理论推导的自发辐射波长公式；对自发辐射的辐射功率也进行了近似推导，结果与经典散射理论公式一致。     

储存环光学速调管自发辐射模拟研究

用蒙特卡洛方法模拟了合肥储存环上ＴＯＫ的自发辐射，通过模拟结果分析和讨论了电子束团能散和发射度对自发辐射谱的作用，并和实验结果进行了比较，分析了实验测出的自发辐射谱调制因子很低的原因。     

由半导体激光器端面输出谱确定自发辐射谱

利用射线法和平均载流子分布近似，从理论上预言了用阈值以下半导体激光器的端面输出谱来确定自发辐射谱的可能性。在此基础上，通过实验测得的阈值以下半导体激光器的端面输出谱确定了自发辐射谱，并且对自发辐射谱和增益谱进行了比较和分析。     

储存环光学速调管自发辐射模型研究

用蒙特卡洛方法模拟了合肥储存环上ＴＯＫ的自发辐射，通过模拟结果分析和讨论了电子束团能散和发射度对自发辐射谱的作用，并和实验结果进行了比较，分析了实验测出的自发辐射谱调制因子很低的原因。     

神光装置放大自发辐射输出特性测量

讨论了大型激光装置放大自发辐射输出的一般特性，给出了神光装置放大自发辐射特性的测量结果。     

储存环光学速调管自发辐射模拟研究

 用蒙特卡洛方法模拟了合肥储存环上TOK的自发辐射，通过模拟结果分析和讨论了电子束团能散和发射度对自发辐射谱的作用,并和实验结果进行了比较,分析了实验测出的自发辐射谱调制因子很低的原因。     

准分子激光放大器中的三维放大自发辐射效应

发展了小纵横比条件下、具有圆柱对称性介质的高功能ＫｒＦ准分子激光放大器中，放大自发辐射效应的三维理论模型和计算程序。考虑自发辐射的频率分布效应以及侧壁表面反射效应。结果分析表明，当纵横比及入射负载均较小时，放大自发辐射对输出光束质量有较大的影响。     

SASE自由电子激光起振问题及统计特性的数值模拟

 介绍一种自放大自发辐射自由电子激光（SASE FEL）的自发辐射和电子束噪声的数学描述，运用修正的一维非定态程序，对SASE FEL 起振问题及光场统计特性进行了数值模拟，分析了自发辐射谱的发展过程及一定频带宽度内光场随机特性的统计规律，数值模拟结果与理论结果符合较好。     

对过程e~＋e~－→J／ψ→γ＋X（J~（PC），X→BB（重子，反重子）的角分布和共振态X的自旋－宇称分析

用螺旋度角分布方法对过程ｅ＋ｅ－～Ｊ／ψ→γ＋Ｘ（ＪＰＣ）→ＢＢ（重子，反重子）进行了分析，得到了Ｘ具有不同自旋─—宇称时角分布及投影角分布的形式，从而可以通过对实验数据的分析来确定共振态Ｘ的自旋性质．     

金属镜面上纳米光学天线阵列自发辐射增强与定向辐射

本文提出一种金属镜面上纳米光学天线阵列结构,天线采用金纳米立方体,单个点辐射源位于天线和金镜面之间的纳米间隙内.天线和金镜面之间的纳米间隙支持间隙表面等离激元,能够增强自发辐射速率;同时,周期排布的纳米天线支持表面晶格共振(surface lattice resonance, SLR),通过适当设计阵列周期,可实现沿垂直于基底方向的远场定向辐射.本文结合阵列扫描法(array scanning method, ASM)和全波严格数值方法,计算了辐射源的自发辐射速率.对于远场辐射强度角分布的计算,本文给出了互易定理方法的严格表述和证明过程,该证明过程不同于已有文献中的证明过程,对于无限大周期结构具有更严格的适用性,或者具有更低的计算量.本文提出的天线结构和设计方法可用于指导设计高速、高亮度、定向辐射光源.     

线光束照射下局部病变组织背散射场角分布研究

将内含异质层的半无限生物组织作为研究线光束照射下局部病变组织背散射场的近似模型，在此基础上，引入倍加算法对线光束照射下局部病变组织背散射场角分布进行数值计算。根据数值计算结果，分析了不同组织层几何参量和光学参量对背散射场角分布的影响，结果表明：“病变组织层对背散射场中小角度光的影响明显大于对大角度光的影响；背散射场的角分布对病变组织的几何参量(埋藏深度和光学厚度)较为敏感，而对病变组织光学参量亦即病变组织性质的差异敏感度较低。”同时还对含肿瘤的乳房组织的背散射场角分布进行了计算和分析，为将背散射场角分布应用于组织内隐藏异物的无创伤诊断提供了理论参考。     

激光器泵浦的波导染料放大器的研究

本文对波导染料自发辐射放大器进行了理论和实验研究。利用矩形波导模型求出波导模式、放大自发辐射阈值、放大自发辐射的近场及远场光强分布。实验获得放大自发辐射的远场光斑图样与理论计算比较基本一致,并对放大自发辐射输出特性进行研究。     

低频强场作用下三维光子晶体中二能级原子的自发辐射性质

研究了处于三维光子晶体中，且在强相干的低频场的驱动下的单个二能级原子的自发辐射性质.由于低频场的影响，使得原子产生了在跃迁过程中吸收或发射一个低频光子的衰减渠道.这些跃迁导致了自发辐射的量子干涉，再加上光子晶体能带带边的作用，自发辐射被显著抑制.原子的布居俘获依赖于原子上能级与能带带边的相对位置，低频场的频率和原子不同跃迁通道间的相对跃迁强度. 关键词： 光子晶体 二能级原子 自发辐射     

掺铒光纤自发辐射特性研究

本文对掺铒光纤的自发辐射特性进行了研究,分析了掺杂铒离子光纤的吸收截面、辐射截面、自发辐射谱、净增益系数等的特性,以及在掺铒光纤中,泵浦功率、自发辐射功率、光纤长度、自发辐射谱之间的关系,并用单色仪和波长为1.48um的InGaAsP半导体激光器测试了国产掺铒光纤的吸收谱和它的自发辐射谱。     

准分子激光器放大自发辐射特性的研究

本文考虑了XeCl激光振荡器中放大自发辐射对阈值条件和输出特性的影响,建立了激光和放大自发辐射归一化光通量的耦合输运方程,求得激光和放大自发辐射光通量分析和输出功率的解析表达式。结果表明:(1)放大自发辐射的存在增加了激光的阈值增益;(2)随着腔的Q值的提高,放大自发辐射的输出减弱;(3)适当地选取腔镜的反射率,即可有效地抑制放大自发辐射,从XeCl准分子激光器空间相干性的测量证实了上述结果。     

介质加载型表面等离子体波导中发光粒子的自发辐射特性

研究了介质加载型表面等离子体(DLSPP)波导中发光粒子的自发辐射特性。通过经典偶极子近似,给出了发光粒子在SPP波导任意位置处的自发辐射速率与自发辐射耦合成表面等离子体(SPP)导波模概率的计算方法;采用有限元法(FEM)模拟计算了单模DLSPP波导中若丹明6G(R6G)发光粒子的自发辐射速率和自发辐射耦合成SPP模式的概率。模拟结果表明,在DLSPP波导中,当发光粒子距金属界面较近时,自发辐射速率大幅增强,当远离金属界面时,自发辐射速率降低并趋于真空中的值;同时,DLSPP波导中发光粒子自发辐射耦合成SPP模式的概率也与其位置相关,当处在波导截面中心位置时,自发辐射耦合成SPP导波模的概率可高达70%。基于上述模拟结果,指出通过优化发光粒子在截面上的掺杂分布,可以提高截面上平均粒子数反转度,也可以提高截面上发光粒子自发辐射耦合成SPP导波模的总效率。     

考虑自发辐射后原子在激光衰波场中的传输

本文考虑了自发辐射对原子波函数的影响，得到了激光衰波作用下含自发辐射的原子波函数传输解。在此基础上我们数值计算了基态和激发态原子的波场结构，发现在负失谐情形，当Ｒａｂｉ频率较大和光子反冲大于一阶失谐能时，原子会被束缚在靶面附近。