亚微米器件制造技术的发展动态

主要从光刻隔离,金属互连线三个方面讨论了亚微米器件所面临的挑战及其发展趋势。     

半导体器件与集成电路制造中的亚微米技术

本文叙述了当前世界上亚微米、深亚微米技术的发展趋势,分析了我国亚微米技术的现状,最后介绍了机械电子工业部第十三研究所在亚微米技术方面的进展及其在半导体器件与集成电路制造中的成功应用。     

一种制作亚微米间隔的方法

本文研究了利用光刻图形转移过程中,湿法化学刻蚀存在的侧向钻蚀,通过对钻蚀程度的控制获得小于0.5μm的线条间隔.     

亚微米离子束技术

本文主要介绍液镓场致发射离子源及其在聚焦离子束加工方面的应用,同时简要评述了离子束微细加工技术研究状况与亚微米离子束的功能特点,展望了亚微米离子束技术的发展前景。     

一种制作亚微米线条的有效方法

本文介绍利用普通接触式曝光系统和等离子刻蚀机来制作亚微米线条。基本工艺是用深紫外线作为光源，对曝光后的光刻胶在ＨＭＤＳ或ＴＭＤＳ气氛下加热处理，然后采用氧反应离子刻蚀，结果可得到０．７微米的光刻胶线条，其端面完整、侧壁陡直，非常适合于大规模集成电路制造中的剥离工艺。     

DEEMO——一种新的微结构制造技术

干法腐蚀的最新进展使其成为微铸模制造中有发展前途的工艺技术。就像ＤＥＥＭＯ工艺展示的那样，高深宽比、方向自由度、低不平度、高腐蚀速率以及对掩模材料的高选择比，使多用的微铸模制作工艺能进一步电镀和模压。ＤＥＥＭＯ是英文缩写，含意是干法腐蚀（ＤｒｙＥｔｃｈｉｎｇ）、电镀（Ｅｌｅｃｔｒｏｐｌａｔｉｎｇ）和铸模（ＭＯｕｌｄｉｎｇ）。     

DEEMO——一种新的微结构制造技术

干法腐蚀的最新进展使其成为微铸模制造中有发展前途的工艺技术，就像ＤＥＥＭＯ工艺展示的那样，高深宽比，方向自由度，低不平度，高腐蚀速率以及对掩模材料的高选择比，使多用的微铸模制作工艺能进一步电镀和模压。ＤＥＥＭＯ是英文缩写，含意是干法腐蚀、电镀和铸模。     

亚微米激光光刻技术

<正> 对实验室和小量生产,为获得亚微米分辨率最好的办法是采用远紫外曝光光源,如Cd—He或Hg—Xe真空接触方式进行光刻。其缺点是光源的强度低,同时由于光致抗蚀剂的敏感度差,其曝光时间过长,通常需5～10分钟。 最近卡尔修斯公司采用了新的远紫外光源,即采用准分子激光器(波长为193nm)产生的强光束作为曝光光源(激光物质为氟化氩气体)。其曝光时间缩短到15～30秒钟,采用PMMA光刻胶,分辨率小于0.2微米。 这种激光光源可用于该公司的MJB—3和MA56系列光刻机。     

用新工艺制造亚微米发射极晶体管

以前,人们为了改善双极型晶体管在微波领域的噪声系数曾做过种种努力。众所周知,这类晶体管的噪声系数可表示为:(?)从上式可知,这种晶体管在微波领域使用,要求 f_α即 f_T 尽可能地高,要求 r_(bb)′尽可能地小。为此需要努力改进杂质扩散技术和微细图形加工技术。在微细图形加工方面,现在的情况是利用电子束法、投影曝光法等技术能够实现亚微米发射极,但是,目前这些方法尚处于研究阶段,不仅需要高价设备而且在稳定性及批量生产方面也不实用。     

一种亚微米垂直硅墙的刻蚀方法

亚微米垂直硅墙的制备是垂直硅薄膜耦合约瑟夫逊结的关键工艺.本文作者在普通光刻设备基础上,开发了一种在〈100〉硅片上制备亚微米硅墙的刻蚀方法:首先用普通光刻手段刻出较宽的墙区;其次,对非墙区进行迭加注入掺杂;第三,杂质高温横向扩散,第四,掺杂选择性刻蚀;第五,高温氧化减薄.实验结果表明,这种方法可以获得墙宽为0.29μm,墙高为1μm左右的硅墙,而且还有一定的改进潜力.     

微米、亚微米掩模等离子刻蚀技术初探

本文将着重阐述等离子刻蚀技术在制作超大规模集成电路中精细掩模的优越性及工艺原理。然后结合介绍等刻设备LFE501的特性和具体实验报告，分析等刻技术在进入实用阶段时的技术难点。最后简述一下等刻技术在掩模工艺中的应用前景和由此带来的经济效益。     

亚微米门阵列ASIC设计技术

本文主要论述亚微米CMOS门阵列的设计技术,包括建库技术,可测性设计技术、时钟设计技术、电源、地设计技术、电路结构优化、余量设计技术等,最后给出了应用实例。     

硅亚微米外延生长技术

随着硅微波低噪声接收器件向更高频率、低噪声、高可靠性等方面发展,相应对硅外延材料提出了新的要求.它们要求材料的表面浓度低、外延层厚度薄.而且理论和实验上指出,相同的薄层,若外延层表面浓度控制得更低,器件电学参数将能进一步提高.由此可见,亚微米薄层生长技术的研究不仅是一种材料的基础研究,而且在需要薄层材料的器件研制方面有着很大的现实意义.     

深深亚微米技术中的超纯水

以我国深亚微米水平的超纯水系统的实践经验为基础，以３００ｍｍ芯片厂和深深亚微米加工技术的需要为对象，推测其水质、水量的要求和费用能力，评述若干制水关键技术的现状，展望其发展。     

向微米、亚微米进军——日本超大规模集成电路制造设备一瞥

<正> 从某种意义上说,集成电路制造设备就是物化了的集成电路制造技术。本文拟从设备的角度介绍日本超大规模集成电路(VLSI)制造技术的一些近况。目前,日本集成电路企业生产的64KRAM(线宽3～2微米)占世界产量的80％,不少企业又计划在一、两年内开始生产256KRAM(线宽1.5微米)、同时,正在研制中的VLSI的线宽已突破(小于)1微米而进入亚微米的阶段。因此,实现微米,亚微米级微细加工是日本集成电路制造技术面临的中心课题。电子束曝光是突破光波波长的局限,实现亚微米级图形加工的一个基本手段。但是,由于目前的电子束曝光机的加工速度慢,不适于     

亚微米集成电路库设计技术

一、前言 集成电路制造工艺已经从亚微米过度到深亚微米。随着设计规模与复杂度的不断增加,产品推向市场的时间要求又越来越短,现在逻辑设计的IC设计师大都脱离原来的低层次原理图设计方法而采用高层次设计(HDL:High Level Design Language),设计综合成为逻辑设计的主流,以达到提高设计效率、缩短开发产品周期的目的,而逻辑综合就必需要有综合库。现在的逻辑综合工具是     

亚微米干法刻蚀技术的现状

综述了亚微米、深亚微米干法刻蚀和相关技术的最新进展及其在超大规模集成电路制造中的应用。