双稀土氧化物LnEuO3的Mossbauer效应研究

 本文首次利用高温高压方法合成了双稀土氧化物LaEuO₃、PrEuO₃、NdEuO₃和SmEuO₃。此外，还合成了CeEuO_3.5。X射线衍射分析表明LaEuO₃属A型（六方）结构，PrEuO₃、NdEuO₃和SmEuO₃属B型（单斜）结构，CeEuO_3.5属F型（萤石）结构。室温下用¹⁵¹Eu的21.6 eV γ射线测量了它们的Mossbauer谱，观察到了¹⁵¹Eu同质异能移位和四极劈裂强烈地依赖于Eu离子配位体体积而呈线性关系。超精细相互作用的这种体积效应，主要原因是由于Eu离子5s壳层的重叠畸变所引起。     

206At的[πh1/2νi-113/2]10-同质异能态研究

利用能量为60-80MeV的12C束流,通过197Au(12C,3n) 206 At反应研究了206At核的高自旋能级结构. 用7台BGO(AC)HPGe探测器和一台用于探测低能γ射线的平面型HPGe探测器进行了γ射线的激发函数、γ-γ-t符合及γ射线的角分布测量. 基于这些测量,首次建立了包括25条γ跃迁的206At高自旋能级纲图. 确定了一个半寿命为(908±400)ns、自旋和宇称为10-的同质异能态. 基于较重的双奇核 208,210At能级结构的系统性,对206At的10-同质异能态进行了讨论.     

~(206)At的[лh_(1/2)vi_(13/2)~(-1)]10~-同质异能态研究(英文)

利用能量为６０－８０ＭｅＶ的~(１２)Ｃ束流,通过~１９７Ａｎ（~(１２)Ｃ,３ｎ）~２０６Ａｔ反应研究了~２０６Ａｔ核的高自旋能级结构．用７台ＢＧＯ（ＡＣ）ＨＰＧｅ探测器和一台用于探测低能γ射线的平面型ＨＰＧｅ探测器进行了γ射线的激发函数、γ－γ－ｔ符合及γ射线的角分布测量．基于这些测量,首次建立了包括２５条γ跃迁的~２０６Ａｔ高自旋能级纲图．确定了一个半寿命为（９０８±４００）ｎｓ、自旋和宇称为１０的同质异能态．基于较重的双奇核~(２０８,２１０ )Ａｔ能级结构的系统性,对~(２０６)Ａｔ的１０~－同质异能态进行了讨论．     

Mssbauer谱学及其在熔渣铁离子行为研究中的应用张丽君

综述了M¨ossbauer谱学原理、基本参数和测定方法 ;分析了熔渣中铁离子行为 ,并从化学和谱学角度阐述了Fe2 +、Fe3 +tet 和Fe3+oct 离子的M¨ossbauer谱特征 ;讨论了铁离子行为与熔渣碱度、渣中全铁量及Na2 O、Al2 O3 含量的关系 ;提出该领域的研究前景     

M(Ⅱ)-Fe(Ⅲ)(M=Cu、Co)氰根桥联配合物的穆谱研究

利用穆斯堡尔谱分析合成分子磁体Co[Fe(CN)5NO]·5H2O与[Cu(en)2][KFe(CN)6]·H2O,通过分析超精细相互作用常数来研究其微观结构,研究铁在配合物中价态、价电子排布及同质异能移、四极分裂等超精细相互作用。     

机械合金化Fe-B合金的Mssbauer谱研究

用Mossbauer谱分析方法研究了配料原子比为Fe_(70)B_(30),Fe_(55)B_(45)和Fe_(30)B_(70)各样品经机械合金化所形成的合金相的结构特点及其非晶相在退火过程中的转变。揭示出此类非晶相与相应的Fe-B化合物之间存在一定程度的联系。     

掺杂稀土锰氧化物的巨磁电阻效应

介绍了掺杂稀土锰氧化物的巨磁电阻效应研究概况和最新进展，在综合目前实验和理论研究结果的基础上，对在掺杂稀土锰氧化物材料中引起巨磁电阻效应的物理机制进行了探讨，对这一材料的应用前景和需要做的工作进行了讨论。     

某些稀土氧化物的高温高压合成及其结构稳定性研究

 首次用高压高温方法，在3.2~4.0 GPa，1 000~1 300 ℃下，对CeO₂-R₂O₃（R=Eu，Gd），CeO₂-Tb₄O₁₁，Pr₆O₁₁-Tb₄O₇稀土氧化物进行合成实验，得到具有F型结构的CeEuO_3.5，CeGdO_3.5，CeTbO_3.5；B型结构的CeEuO₃，CeGdO₃，CeTbO₃，PrTbO₃和P型结构的PrTbO₃。PrTbO₃是迄今自然界尚未发现，文献未见报导过的新物质。对上面的产物和NdYbO₃、PrTmO₃，利用高、低温X射线衍射实验，检测了其结构的稳定性，结果指出：从300 ℃直到1 000 ℃，发生由B型CeRO_x向F型CeRO_x（R=Eu，Gd，Tb）、B型PrTbO₃向C型PrTbO₃的结构转变。F型CeRO_x属于氧缺位萤石型结构。     

稀土掺杂锰氧化物庞磁电阻效应

过去十多年来,具有庞磁电阻效应的稀土掺杂锰氧化物成为了凝聚态物理研究的重要领域。锰氧化物的载流子自旋极化率高,且在居里温度附近表现出很大的磁电阻效应,因此在自旋电子学中有潜在的应用前景。另一方面,锰氧化物是典型的强关联电子体系,它对目前有关强关联体系的认识提出了很大挑战。本文综述了锰氧化物的各种性质及其物理原因。全文首先概述了锰氧化物的庞磁电阻效应及其晶格和电子结构,简单介绍了其他一些庞磁电阻材料;随后综述了锰氧化物的电荷/轨道有序相及其输运性质;在第四部分简单介绍了锰氧化物中庞磁电阻效应的机制;最后讨论了锰氧化物的一些可能的应用,如低场磁电阻效应、磁隧道结、磁p＿n结以及全钙钛矿的场效应管和自旋极化电子注入装置等。     

209Fr的能级结构研究

利用能量为90—105MeV的¹⁶O束流,通过¹⁹⁷Au(¹⁶O,4n)反应研究了²⁰⁹Fr的高自旋态能级结构.进行了γ射线的激发函数、γ-γ延迟符合及γ射线的角分布测量.首次建立了由21条γ射线构成的²⁰⁹Fr的能级纲图,其中包括一个半寿命为(52±20)ns的同质异能态.基于²⁰⁹Fr与²⁰⁸Rn低位能级结构的相似性,用一个h_9/2价质子与²⁰⁸Rn激发态的弱耦合解释了²⁰⁹Fr的低位能级结构.     

Mn3Sn的高压物性研究

非共线三角晶格的反铁磁体Mn_(3)Sn,由于其动量空间中非零的贝里曲率而表现出反常霍尔效应.利用金刚石对顶砧研究压力对Mn_(3)Sn低温电输运性质和反常霍尔效应的影响.结果表明:Mn_(3)Sn在0~60GPa压力范围内保持金属导电行为;从非共线磁有序到螺旋磁有序的转变温度随压力增加先降低,在5.5GPa以上迅速升高,对应一个等结构电子拓扑转变;Mn_(3)Sn的反常霍尔效应在5.5GPa被完全抑制.     

稀土锰氧化物的低场磁电阻效应

具有庞磁电阻效应的掺杂稀土锰氧化物因为其高的自旋极化率和自旋极化输运行为而表现出显著的低场磁电阻效应。这一效应在氧化物自旋电子学中有着深远的潜在应用前景。本文综述了国内外近年来在锰氧化物低场磁电阻增强这一研究领域的进展和存在的一些问题。全文分三个部分，首先概述了基于自旋极化散射和自旋极化隧穿两种输运机制的磁电阻理论；然后重点介绍掺杂稀土锰氧化物低场磁电阻增强的主要研究进展，这些进展背后的基本物理图象是通过人为引入自旋无序介质形成自旋极化散射和自旋极化隧穿，从而增强其低场磁电阻；第三部分讨论了基于掺杂稀土锰氧化物的磁性隧道结制备和输运性质。本文最后提出了锰氧化物低场磁电阻增强研究应该关注的一些物理问题。     

La2/3Ca1/3Mn1-xFexO3化合物铁掺杂效应的M(o)ssbauer谱研究

利用固相反应方法制备了名义成分为La2/3Ca1/3Mn1-xFexO3（0.01≤x≤0.20)的一系列样品。在整个掺杂范围内晶体结构没有明显变化。在室温下测量了各样品的Mossbauer谱,拟合结果表明＋3价高自旋态的铁离子占据锰的八面体晶体,随Fe掺杂量的增加,铁离子的3d电子出现局域化趋势,并伴随Fe-O配位体畸变程度的增强,本文对此进行了讨论。     

稀土掺杂氧化物纳米发光材料研究

综述了稀土掺杂纳米发光材料方面的研究进展;主要介绍稀土掺杂氧化物纳米晶与体相材料相比所具有的一些特有的光谱学性质,包括光谱的移动与谱线的展宽、4fN电子的跃迁与弛豫过程、表面局域环境和格位对称性、电子-声子耦合、能量传递、浓度猝灭、温度猝灭以及光诱导发光强度变化等光谱现象,同时也探寻了其中的物理实质。主要对上转换纳米发光材料和一维纳米线/管的发光性质进行了介绍。     

LaAlO_3/SrTiO_3界面增强光伏效应

探索LaAlO_3/SrTiO_3(LAO/STO)界面产生的新奇物理特性对理解关联电子系统中多自由度耦合和设计功能材料器件具有重要的价值.本文通过脉冲激光沉积方法在SrTiO_3基底上制备了LAO/STO薄膜,研究了正面照射LAO/STO膜面和侧面照射LAO/STO界面时的光伏效应,探讨了LAO/STO界面对光伏效应的影响.研究结果表明,在同样光照能量下侧面照射LAO/STO界面产生的光电压远高于正面照射LAO/STO膜面产生的光电压,说明LAO/STO界面对光伏效应有明显的增强作用.通过偏压调控可以进一步增强照射LAO/STO界面产生的光电压,当偏压为60 V时, LAO/STO样品的位置探测灵敏度达到了36.8 mV/mm.这些研究结果为设计场调控位置敏感探测器等新型光电子器件提供了新的思路.     

143Nd中高自旋同质异能态的识别与研究

利用能量为80MeV的18O束流,通过¹³⁰Te(¹⁸O,5n)反应研究了¹⁴³Nd的高自旋态能级结构.基于γγ延迟符合、γ射线的角分布及线性极化测量,首次发现了¹⁴³Nd的一个半寿命为(35±8)ns,自旋和宇称为49/2⁺的同质异能态.用形变独立粒子模型探讨了此同质异能态的形成机制.     

单晶Nd3Co的低温压力效应研究

本文测量了沿Nd3Co单晶b轴在不同压力下电阻率随温度的变化,并对Nd3Co的居里温度和磁性转变场随压力的变化规律进行了研究.结果表明:随着压力的增大,样品剩余电阻率逐渐减小,居里温度平均每GPa 升高2.1 K,磁性转变场平均每GPa增大0.9 T.通过对结果的分析,可以认为压力增大使样品中原子间距变小,晶粒间的连接更加紧密,导致电阻率减小;原子间距变小,4f电子和传导电子间的关联增强,导致样品中Nd离子磁矩的转向变得困难,从而磁性转变场增大.     

198Bi的高自旋态结构研究

利用能量为85—105MeV的¹⁶O束流,通过¹⁸⁷Re(¹⁶O,5n)反应研究了¹⁹⁸Bi的高自旋态能级结构.用6台BGO(AC)HPGe探测器和一台用于探测低能γ跃迁的平面探测器进行了γ射线的激发函数、γ-γ—t符合及γ射线的角分布测量.基于这些测量,首次建立了包括26条γ跃迁的¹⁹⁸Bi的高自旋能级纲图,确定了一个半寿命为(8.0±3.6)ns,自旋和宇称为15+的同质异能态.基于较重的双奇铋核^200—206Bi能级结构的系统性,定性地对¹⁹⁸Bi的能级结构进行了解释.