加成型液体硅橡胶的研究进展

结合加成型液体硅橡胶的硫化原理,综述了加成型液体硅橡胶导热性能、耐高温性能及粘结性能的最新研究进展,发现加入金属氮化物导热填料是提高加成型液体硅橡胶导热性能的有效途径;改善分子结构是提高加成型液体硅橡胶耐高温性能的主要途径;共混粘结促进剂是提高加成型液体硅橡胶粘结性能的重要途径。介绍了加成型液体硅橡胶的最新应用领域,提出功能化加成型液体硅橡胶,如3D个性化打印硅橡胶、人体器官硅橡胶、高折光封装硅橡胶等功能材料是未来加成型液体硅橡胶的发展方向。     

提高聚氨酯表面硅橡胶涂层粘接性研究

利用表面处理并借助硅烷偶联剂大幅提高了聚氨酯/硅橡胶(PU/SR)的界面粘接性.利用红外光谱、水接触角以及表面元素分析对PU表面处理效果及偶联剂的反应效果进行检测,利用扫描电镜对材料的表面形貌及界面情况进行观察.并对不同方法得到的PU/SR界面进行剪切和振动疲劳测试以考察其粘接效果并进行比较.结果表明,经过硫酸短时处理过的PU表面生成大量羟基,使得亲水性提高,并大大增强了端异氰酸酯基硅烷偶联剂与PU的接枝反应效果.当室温缩合固化的硅橡胶预聚体涂覆到其表面后,以化学键联接在PU表面的硅烷偶联剂又可以与硅橡胶一起缩合,从而有效的提高了PU/SR的界面粘接性.     

食品中聚二甲基硅氧烷检测方法研究

建立了裂解气相色谱-质谱(PGC-MS)测定食品中聚二甲基硅氧烷残留量的方法。样品中的聚二甲基硅氧烷以石油醚-乙酸乙酯(5∶1,体积比)提取,通过硅胶小柱净化,经石油醚淋洗除去油脂后,用石油醚-乙酸乙酯(5∶1)洗脱。采用裂解气相色谱-质谱法将聚二甲基硅氧烷热裂解为小分子产物,测定裂解产物的组成,以相对分子质量相差74的系列甲基环硅氧烷作定性成分,以六甲基环三硅氧烷基为定量指标,以m/z207作定量离子,选择离子监测法(SIM)定量。方法的线性范围为10~500 mg/L,相关系数为0.995,加标回收率为91%~103%,相对标准偏差为7.1%~8.3%,定量下限(S/N=10)为5 mg/kg。方法适用于食品中微量聚二甲基硅氧烷的检测。     

聚氯乙烯表皮成分对加成型硅橡胶固化的影响

采用流变学方法研究了双组分加成型硅橡胶在不同聚氯乙烯(PVC)表皮上的固化动力学,并利用红外光谱、核磁共振波谱、电感耦合等离子体质谱仪等手段分析了PVC表皮成分,以确定导致双组分加成型硅橡胶不固化的具体原因。 结果表明,PVC表皮中导致硅橡胶不固化的主要元素为P元素。 在固定硅橡胶厚度为1 mm的情况下,当PVC表皮中的P元素质量分数低于3×10^-3%时,浇注在其上的双组分加成型硅橡胶依然能固化;而当PVC表皮中的P元素质量分数超过约2.4×10^-2%时,虽然浇注在其上的双组分加成型硅橡胶的中间层依然能固化,但与PVC表皮接触部分的硅橡胶不固化,且不固化层厚度随P元素质量分数增加而增加。 本文还研究了在P元素质量分数低于3×10^-3%的PVC表皮上,降低硅橡胶厚度至微米级时的固化行为,在P元素质量分数低于3×10^-3%的PVC表皮上,当硅橡胶厚度低于2 μm时,硅橡胶出现不完全固化现象。 双组分加成型硅橡胶在含有P元素的PVC表皮表面的固化行为主要是由硅橡胶样品中铂催化剂总含量及PVC表皮中的P元素含量确定的,同时也会受到双组分加成型硅橡胶反应速率以及铂催化剂、P元素在硅橡胶中的扩散速率的影响。     

可膨胀石墨对室温硫化硅橡胶性能的影响

以α,ω-二羟基聚二甲基硅氧烷为基胶、纳米碳酸钙为填料、可膨胀石墨为阻燃剂,制得室温硫化硅橡胶.采用垂直燃烧、氧指数、热分析、拉伸和扫描电镜等手段研究了硅橡胶/可膨胀石墨体系的阻燃、热分解、力学性能,以及燃烧前后的微观形态.研究结果表明,可膨胀石墨是硅橡胶的良好阻燃剂,添加剂的质量分数为10%时,硅橡胶达到UL94 V...     

双组分加成型硅橡胶交联固化过程的流变学研究

采用流变学方法研究了双组分加成型硅橡胶的交联固化过程,并研究了反应温度对反应速率的影响.随着加成反应的进行,体系中的交联程度逐渐增加;反应温度升高,硅橡胶完全交联固化所需时间减少.     

含有稠环侧链的聚硅氧烷的合成及其对加成型高温硫化硅橡胶性能的影响

将含有多乙烯基的聚硅氧烷与菲式环戊二烯酮和苊式环戊二烯酮分别在α-氯萘中进行Diels-Alder反应,生成含有稠环侧链的聚硅氧烷.该聚硅氧烷具有较好的耐热性.将其作为组分制成高温加成型硅橡胶,综合性能达到较高水平(高模量).随着其用量的增加,可使其耐热性能得到较大改善。     

真空紫外辐照对加成型硅橡胶光学性能的影响

考察了加成型硅橡胶在真空环境中经1000ESH紫外辐照后的性能变化。结果表明,辐照后材料均出现发黄的现象,光学透过率大幅度 下降,同时加入硅酸钾包覆后制备的热控涂层反射率下降。经原位测试与离位测试,发现加成型硅橡胶在两种不同条件下测得的结果差异较小,而在有机硅橡胶中加入ZnO后原位与离位测试结果则差异明显,表现出明显的漂白作用。     

硅橡胶泡沫材料辐照稳定性的初步理论探索

采用密度泛函理论的B3LYP方法,以硅橡胶泡沫材料单体二甲基硅氧烷和甲基乙烯基硅氧烷为基础,对这2种单体和由其构成的4种短链结构进行了构型优化、能量计算、前沿轨道和振动分析等方面的理论计算探索,结果显示,当分子链结构中的原子排布更易形成共轭或等效于共轭的离域结构时,在遭受辐照等能量注入的情况下可将能量及时转移而一定程度上避免了链结构的断裂,分子链裂解的部位发生在共轭链段间隙处的可能性比较大,甲基乙烯基硅氧烷的引入并非一定会对材料的耐辐照稳定性起到增强作用.     

有机硅橡胶裂解产物气相色谱-质谱联用分析

以室温硅橡胶和高温硅橡胶产品的边角废料及次品作为实验原料,进行到催化和碱催化裂解,将裂解产物进行气相色谱－质谱（ＧＣ－ＭＳ）联用分析,经过质谱数据检索,确定了两种酸催化产物的组成,高温橡胶的酸催化裂解产物主要是环状化物合;室温橡胶的酸催化一妥产物中有太和链状两类化合物,该实验为硅像胶废料利用提供了依据。碱催化产物太复杂,产物利用存在困难。     

一种提高有机硅导电橡胶复合材料导电和电磁屏蔽性能的方法

描述了一种利用多元复合导电网络提高有机硅橡胶复合材料导电和电磁屏蔽性能的思想。这种含有多元复合导电网络的复合材料是通过将镀银泡沫、导电填料和有机硅橡胶复合在一起而制备的。利用扫描电子显微镜观察了复合材料的微观结构,采用电阻测试仪、矢量网络分析仪、热失重分析仪分别研究了复合材料的导电性、电磁屏蔽性能及热稳定性,并探讨了补强剂SiO2对这些性能的影响。结果表明,2%碳纳米管/导电泡沫/硅橡胶多元复合体系相比于2%碳纳米管/硅橡胶单一复合体系电阻率降低了6个数量级,平均电磁屏蔽效能由12dB提高到52dB,增大了4倍。当导电填料换为炭黑后,2%炭黑/导电泡沫/硅橡胶多元复合体系相比于2%炭黑/硅橡胶单一复合体系电阻率降低了7个数量级,平均电磁屏蔽效能由10dB提高到50dB,增大了5倍。由于多元复合导电网络,材料的导电性能和电磁屏蔽性能大幅度提升。此外,补强剂的加入增大了复合材料的热稳定性,但降低了其导电和电磁屏蔽性能。     

Nanoscale three‐dimensional optical visualization method for a deformation of elastomer printing plate to realize soft nano‐printing technology

Printed electronics, in which microcircuit patterns are fabricated using printing methods, are the focus of considerable attention for the fabrication of devices such as flat panel displays, solar cells, and flexible electronics. In particular, gravure offset printing is considered to be a highly promising approach for rapid printing of fine patterns with well‐controlled thickness. At present, however, because of the occurrence of side etching during fabrication of metal printing plates, features with dimensions of less than 10 µm cannot be printed. In order to overcome this problem, we have previously proposed the use of a rubber printing plate fabricated by photolithography and molding, which is free from side‐etching issues. However, deformation of the printing plate can have a detrimental influence on the transferred pattern. In the present study, we developed a method for visualizing the deformation of a printing plate containing both micropatterns and nanopatterns, in order to study its effect on the printing process. The results were compared with those predicted by an analytic equation under a uniform controlled pressure. Copyright © 2015 John Wiley & Sons, Ltd.     

p型Si上Ni—Pd薄膜的电化学制备及其表征

采用控电位沉积方式在ｐ型Ｓｉ上制备了Ｎｉ－Ｐｄ合金薄膜；考察了合金的阴极沉积和阳极溶出行为；研究了极化方式对膜组成、厚度、结构及形貌的影响．结果表明，在沉积初期，膜主要以层状方式生长，当膜增厚或阴极极化增强时，则以岛状形式生长．Ｘ射线衍射测试表明，Ｎｉ－Ｐｄ合金呈面心立方结构，其晶面间距随合金组成不同而变化．     

填充粒子对复合型导电硅橡胶电阻温度特性的影响

研究了炭黑填充复合型导电硅橡胶的电阻温度特性,分析了升温过程中导电硅橡胶电阻特性的详细变化过程。研究了导电粒子和白炭黑含量对导电硅橡胶电阻温度特性的影响,测量了在不同热处理温度下电阻率的变化及加力时电阻的驰豫时间。分析了热处理对电阻特性影响的机理。     

原位氧化聚合制备导电PAn-PC和PAn-SIR复合膜

以聚碳酸酯（PC）和硅橡胶（SIR）为基体浸泡于苯胺（An）的盐酸溶液中,然后经氧化剂（NH4）2S208（APS）或FeCl3在基体中原位氧化聚合,制备导电聚苯胺（PAn）复合材料PAn-PC和PAn-SIR。研究了聚合反应的工艺条件对复合材料导电性能的影响,确定了合适的制备条件。采用扫描电镜（SEM）及荧光光谱对复合膜进行表征。     

Preparation of Semi—interpenetrating Polymer Network of Silicon Rubber and Poly （methyl methylacrylate） Using Supercritical CO2

The heterogeneous free-radical polymerization of methyl methylacrylate(MMA) and divinylbenzene (DVB) as cross-linker within supercritical carbon dioxide-swollen silicon rubber (SR) has been studied as an approach to preparing semi-interpenetrating polymer network (semi-IPN) of SR and poly(methyl methylacrylate)(PMMA). The SR/PMMA semi-IPNs were characterized by scanning electron microscopy(SEM) and dynamic mechanical analyzer (DMA).     

半导体硅上激光诱导选择性电镀铜

在ｐ型硅上利用氩离子激光进行了选择性电镀铜的研究，考察了半导体表面处理条件、阴极偏压和激光强度对阴极光电流及空间选择性的影响．表面氧化膜和阳极钝化膜的存在使光电流降低近一个数量级，少量氧化膜可使选择性提高．外加阴极偏压和激光强度的增加导致光电流增大，选择性降低．将氢氟酸处理的硅片在电解液中放置１０～２０ｍｉｎ，于稳定电位附近，用较弱激光照射可获得选择性铜镀层     

Solar Fuels: Photoelectrosynthesis of CO from CO2 at p‐Type Si using Fe Porphyrin Electrocatalysts

Photoelectrocatalytic conversion of CO₂ to CO can be driven at a boron‐doped, hydrogen terminated, p‐type silicon electrode using a meso‐tetraphenylporphyrin Fe^III chloride in the presence of CF₃CH₂OH as a proton source and 0.1 M [NBu₄][BF₄]/MeCN/5 % DMF (v/v) as the electrolyte. Under illumination with polychromatic light, the photoelectrocatalysis operates with a photovoltage of about 650 mV positive of that for the dark reaction. Carbon monoxide is produced with a current efficiency >90 % and with a high selectivity over H₂ formation. Photoelectrochemical current densities of 3 mA cm^?2 at ?1.1 V versus SCE are typical, and 175 turnovers have been attained over a 6 h period. Cyclic voltammetric data are consistent with a turnover frequency of ${k{{{\rm Si}\hfill \atop {\rm obs}\hfill}}}$ =0.24×10⁴ s^?1 for the photoelectrocatalysis at p‐type Si at ?1.2 V versus SCE this compares with ${k{{{\rm C}\hfill \atop {\rm obs}\hfill}}}$ =1.03×10⁴ s^?1 for the electrocatalysis in the dark on vitreous carbon at a potential of ?1.85 V versus SCE.