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用射频磁控共溅射法制备了Cu体积分数分别为10%,15%,20%和30%的Cu-MgF2复 合金属陶 瓷薄膜.用x射线衍射、x射线光电子能谱和变温四引线技术对薄膜的微结构、组分及电导特 性进行了测试分析.微结构分析表明:制备的Cu-MgF2复合薄膜由fcc-Cu晶态纳 米微粒镶嵌 于主要为非晶态的MgF2陶瓷基体中构成,Cu晶粒的平均晶粒尺寸随组分增加从1 1.9nm增 至17.8nm.50—300K温度范围内的电导测试结果表明:当Cu体积
关键词:
2复合纳米金属陶瓷膜')" href="#">Cu-MgF2复合纳米金属陶瓷膜
微结构
组分
电导特性
激活能
渗透阈 相似文献
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用射频磁控共溅射法制备了Cu体积分数分别为 10 % ,15 % ,2 0 %和 3 0 %的Cu MgF2 复合金属陶瓷薄膜 .用x射线衍射、x射线光电子能谱和变温四引线技术对薄膜的微结构、组分及电导特性进行了测试分析 .微结构分析表明 :制备的Cu MgF2 复合薄膜由fcc Cu晶态纳米微粒镶嵌于主要为非晶态的MgF2 陶瓷基体中构成 ,Cu晶粒的平均晶粒尺寸随组分增加从 11 9nm增至 17 8nm .5 0— 3 0 0K温度范围内的电导测试结果表明 :当Cu体积分数qM 由 15 %增加到 2 0 %时 ,Cu MgF2 复合薄膜的电阻减小了 8个量级 ,得出制备的复合薄膜渗透阈qCM 应处于 15 %和 2 0 %之间 .qM 在 10 %和 15 %之间的薄膜呈介质导电状态 ,而在 2 0 %和 3 0 %之间的薄膜则呈金属导电状态 .从理论上讨论了复合薄膜中杂质电导和本征电导的激活能及其对电导的贡献 ,并讨论了Cu MgF2 复合纳米金属陶瓷薄膜的渗透阈 ,得到了和实验一致的结果 相似文献
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利用多靶磁控溅射技术制备了Au/SiO2纳米颗粒分散氧化物多层复合薄膜.研究了在保持Au单层颗粒膜沉积时间一定时薄膜厚度一定、变化SiO2的沉积时间及SiO2的沉积时间一定而改变薄膜厚度时,多层薄膜在薄膜厚度方向的微观结构对吸收光谱的影响.研究结果表明:具有纳米层状结构的Au/SiO2多层薄膜在560 nm波长附近有明显的表面等离子共振吸收峰,吸收峰的强度随Au颗粒的浓度增加而增强,在Au颗粒浓度相同的情况下,复合薄膜
关键词:
2纳米复合薄膜')" href="#">Au/SiO2纳米复合薄膜
多靶磁控溅射
吸收光谱
有效介质理论 相似文献
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应用射频磁控共溅射方法在石英玻璃和抛光硅片上制备了InP/SiO2复合薄膜,并在几种条件下对这些薄膜进行退火.X射线光电子能谱和卢瑟福背散射实验结果表明,复合薄膜中InP和SiO2的化学组分都大体上符合化学计量配比.X射线衍射和激光喇曼谱实验结果都证实了复合薄膜中形成了InP纳米晶粒.磷气氛保护下的高温(520℃)退火可以消除复合薄膜中残存的In和In2O3并得到了纯InP/SiO2纳米复合薄膜.实验观察到了室温下纳米复合薄膜的明显的光学吸收边蓝移现象和光学非线性的极大增强
关键词:
InP
纳米晶粒
微观结构
光学性质 相似文献
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为提高VO2薄膜的热致变色性能,采用纳米结构和复合结构二者相结合的方法,通过磁控溅射技术先在玻璃衬底上制备高(002)取向ZnO薄膜,再在ZnO层上室温沉积钒金属薄膜,最后经热氧化处理获得纳米结构VO2/ZnO复合薄膜.利用变温拉曼光谱观察分析了VO2/ZnO薄膜相变前后的晶格畸变和键态的演变过程,讨论了薄膜的结构与热致红外开关特性和相变温度的内在关系.结果显示,与相同条件获得的同厚度的单层VO2薄膜相比,纳米VO关键词:
ZnO
2')" href="#">VO2
纳米复合薄膜
热致变色
拉曼光谱 相似文献
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用多靶磁控溅射技术制备了Au/SiO2纳米多层薄膜.利用透射电子显微镜以及吸 收光谱对Au/SiO2复合薄膜的微观结构、表面形貌及光学性能进行了表征和测试 .研究结果表明:单层Au/SiO2薄膜中Au沉积时间小于10s时,分散在SiO2< /sub>中的Au颗粒随Au的沉积时间的延长而增大;当沉积时间超过10s后,Au颗粒的尺寸几乎 不随沉积时间变化,但Au颗粒的形状由网络状结构变为薄膜状结构.[Au(t1
关键词:
尺寸效应
纳米复合薄膜
吸收光谱
有效媒质理论 相似文献
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利用反应磁控溅射方法在单晶硅和高速钢(W18Cr4V)基片上制备出不同C含量Ti-B-C-N纳米复合薄膜. 使用X射线衍射和高分辨透射电子显微镜研究了Ti-B-C-N纳米复合薄膜的组织和微观结构,用纳米压痕仪测试了它们的硬度和弹性模量. 结果表明,利用往真空室通入C2H2气体的方法制备得到的Ti-B-C-N纳米复合薄膜中,在所研究成分范围内只发现TiN基的纳米晶. 当C2H2流量较小时,C元素的加入可以促进Ti-B-C
关键词:
Ti-B-C-N薄膜
磁控溅射
微观结构
力学性能 相似文献
10.
用脉冲激光沉积技术制备了掺杂纳米金属颗粒Au或Fe的BaTiO3复合薄膜.用透射电子显微镜和x射线光电子能谱表征了金属颗粒的形态和化学态.330—800nm范围的吸收谱研究表明,掺Au颗粒的BaTiO3薄膜在580nm附近有一个明显的共振吸收峰,而掺Fe颗粒的BaTiO3薄膜没有这样的吸收峰.用Mie散射理论对结果进行了分析.
关键词:
复合薄膜
金属颗粒
脉冲激光沉积
吸收谱 相似文献
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We study a percolation process in which both sites and bonds are randomly blocked, independent of each other. In the Bethe lattice, the exact solution for the percolation threshold is found to be a hyperbola in thex-p plane, wherex andp are the respective probabilities of each site and bond being unblocked. Percolation threshold for a square and a simple cubic lattice is obtained by computer simulation. We also present a result obtained by a real-space renormalization group technique for the square lattice. 相似文献
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利用金属铁、镍(Fe与Ni保持mol比为22∶78不变)与钛酸钡复合,在保护气氛下成功烧结制备了高介电常数Fe-Ni-BaTiO3复合陶瓷材料,并研究了该复合材料的电导和介电性能及其物理机理.分析结果表明,由于渗流效应,随着陶瓷中金属含量的增加,材料经历了绝缘体—导体突变.同时,在渗流阈值附近,材料的介电常数有了极大的提高.当金属体积含量为0.23时,即在绝缘体向导体转变的渗流阈值附近,复合材料的介电常数达到了22000,为同条件下制备的纯钛酸钡陶瓷体介电常数的12倍,同时材料的介电
关键词:
3')" href="#">Fe-Ni-BaTiO3
渗流理论
介电性能
Maxwell-Wagner效应 相似文献
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采用逾渗理论对含随机裂纹网络的孔隙材料渗透性进行研究. 开裂孔隙材料渗透率的影响因素包括裂纹网络的几何特征、孔隙材料本体渗透率以及裂纹开度, 本文使用连续区逾渗理论模型建立了渗透率的标度律. 对于裂纹网络的几何特征, 本文基于连续区逾渗理论并考虑裂纹网络的分形特征提出了有限区域内二维随机裂纹网络的连通度定义; 对随机裂纹网络的几何分析表明, 随机裂纹局部团簇效应会降低裂纹网络的整体连通性, 随机裂纹网络的标度指数并非经典逾渗理论给出的固定值, 而是随着网络的分形维数的减小而增大. 本文在网络连通度和主裂纹团的曲折度的基础上, 提出了开裂孔隙材料渗透率标度律的解析表达, K=K0(Km,b)(ρ-ρc)μ, 分别考虑了裂纹网络的几何逾渗特征 (ρ-ρc)μ、孔隙材料渗透率Km 以及裂纹开度比b; 对有限区域含有随机裂纹网络的孔隙材料渗透过程的有限元模拟表明, K0 在裂纹逾渗阈值附近与b呈指数关系, 但当裂纹的局部渗透率与Km比值高于106 后, 开度比b对渗透率不再有影响. 相似文献
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从非晶合金的微观结构出发,基于处理强无序和具有随机几何结构系统常用的理论方法——逾渗理论来描述非晶合金剪切屈服时的塑性流变.为了更好地理解非晶合金剪切带萌生时的临界问题,结合已有的"自由体积(free volume)模型"和"剪切转变区(shear transformation zone)模型",建立了非晶合金剪切转变的逾渗模型.以Cu_(25)Zr_(75)二元非晶合金为例,计算了在剪切转变区内易发生塑性流动的原子团簇剪切失稳的逾渗阈值,并粗略估算了这些原子团簇的大小.研究发现,剪切失稳的逾渗阈值与临界约化自由体积浓度(x_c~2.4%)有着相似的特性,不同之处在于其值与自由体积的分散度有着密切联系.研究结果作为非晶合金的韧脆转变问题提供了新思路. 相似文献
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制备了MnZn铁氧体/SiO2颗粒复合体.研究了磁性颗粒复合体的有效磁导率μ、 比磁化强度σ以及矫顽力Hc随磁性颗粒含量的变化.研究发现,在MnZn铁氧体体积百分含 量为90%—98%的区域,复合体的有效磁导率μ的变化速率发生突变,出现磁渗流现象,从实验得到的体系磁渗流阈值Vc=97.9%.在磁渗流区,矫顽力表现出异常行为.结果表明 ,这种异常行为与复合体微观结构有着密切关系.在磁渗流前,矫顽力Hc的变化主要来 源于磁
关键词:
颗粒复合体
磁渗流
矫顽力 相似文献