共查询到18条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
2.
采用真空压力浸渗技术制备了两种不同体积分数的SiCp/Al复合材料,研究了热处理工艺对复合材料尺寸稳定性的影响,并对其影响因素进行了分析。结果表明:残余应力的存在对复合材料的尺寸稳定性有着重要的影响;退火和固溶时效处理能提高复合材料的尺寸稳定性,与铸态相比,在100MPa下复合材料的残余应变降低了60%,而淬火处理对复合材料的尺寸稳定性不利。 相似文献
3.
4.
5.
真空及大气下激光对复合材料的烧蚀试验对比 总被引:1,自引:0,他引:1
激光与物质相互作用受到环境因素的影响。为了研究真空及大气环境下激光对复合材料的烧蚀模式和烧蚀规律,开展了激光辐照碳纤维复合材料对比试验。在不同辐照能量水平下,研究了两种环境中激光对复合材料的烧蚀特征,获得了复合材料瞬态温度响应数据,并对烧蚀样品进行了显微观测。试验结果表明,环境因素的影响与入射激光能量水平紧密相关。在低辐照能量水平下,复合材料表面烧蚀形貌具有差异,但瞬态热响应非常接近。在较高辐照能量水平下,复合材料烧蚀形貌差异较大:在真空环境下复合材料的环氧树脂发生热解和挥发,碳纤维束发生脱层;在大气环境下复合材料的环氧树脂发生明显的氧化反应,碳纤维束轻微脱层。最后,结合样品显微观测结果,分析了真空及大气环境下激光对复合材料烧蚀模式差异的原因,为建立激光烧蚀理论模型提供了参考。 相似文献
7.
8.
厚铜箔印制板尺寸稳定性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
伴随着电源模块等大功率元器件的市场需求量不断加大,厚铜箔印制电路板的产量也不断增加,其对品质的要求也越来越严格。众所周知,厚铜箔印制电路板在其生产制作中产生的热膨胀系数量一直是影响其品质的重要因素,本文正是着眼于信息产业高科技、高精度的要求,通过对厚铜箔板的工艺流程、材料本身特点、设计三个因素来试验找出厚铜箔印制板系数补偿的重点考虑因素,同时对热膨胀系数量进行统计分析,从而保证厚铜板涨缩控制在范围之内,达到客户的要求。 相似文献
9.
解决真空微电子器件的稳定性和寿命问题,可以扩大场臻发射器的应用范围。本文概述了影响真空微电子场致发射阴极阵列发射稳定性的几个因素,认为阴极材料和功函数是决定真空微电子器件发射稳定性的主要因素。最后提出了解决发射稳定的几个建议。 相似文献
10.
11.
非制冷红外热像仪随着环境温度、电源波动以及吸收红外辐射的增加,将会产生严重的温度漂移现象,这将影响到红外探测器的响应特性,从而导致输出信号受一定的影响。本文针对应用在测温检测方面的非制冷红外热像仪开展研究,提出了一种红外热像仪稳定性验证试验方法,并通过此方法对国内外多款非制冷红外热像仪进行了稳定性测试,绘制其输出信号随时间变化的曲线。根据稳定性情况确定针对热像仪温度漂移的温度补偿算法,提升应用产品的测温精度。 相似文献
12.
飞机复合材料超声红外无损检测实验研究 总被引:2,自引:0,他引:2
结合飞机复合材料无损检测需求,介绍了复合材料试件的材料工艺,分析了超声红外无损检测技术的基本原理及其特点,并对几块复合材料试件进行了无损检测实验,通过实验结果的分析、评估显示,超声红外无损检测可以有效检测复合材料试件中的缺陷,特别是闭合类缺陷。 相似文献
13.
A series of electron transporting materials was designed and used in organic light-emitting diodes (OLEDs), exhibiting green phosphorescence. We used the tetrahedral structural motif of silicon atom, which annulated with the 1,2-diphenyl-benzoimidazole (DBI) units in its periphery (1–4) and their thermal, photophysical, and electrochemical properties were investigated. Among the series, the X-ray crystal structure of compound 1 was obtained and investigated. Photophysical and electrochemical properties showed that their LUMO levels can be slightly tuned as increasing number of DBI units and enhancing the electron injection capability. Furthermore, thermal stability correlated well with an increase in the number of DBI units, showing a gradual increase in Tg values in the range of 100–141 °C. The electron-only devices (EOD) based on compounds 2 and 3 were fabricated; EOD device with compound 3 showed higher current densities at the same voltages, indicating higher electron transport (ET) capability compared to compound 2. The electron mobilities (μ) of compounds 2 and 3 were estimated as 1.93 × 10−5 cm2/V and 3.67 × 10−5 cm2/V at 1 MV/cm, respectively. We further investigated the excellent ET property of compound 3 via the phosphorescent OLEDs in which the electron-transporting material (ETM) was coupled with the green emitter, Ir(ppy)3. Finally, we compared it with the device based on compound 2. The OLEDs device with compound 3 exhibited maximum current and external quantum efficiencies of 62.8 cd/A and 18.0%, respectively, with a small efficiency roll-off at high current densities. 相似文献
14.
15.
16.
17.
高功率热稳定及不对准低敏感TEM00模谐振腔设计 总被引:1,自引:0,他引:1
针对全固态激光器高功率运转时存在的热效应问题,本文从热稳定腔理论出发,给出了凸凹热稳定及失谐不敏感腔的设计方法和步骤,并以Nd:YAG激光器为例,用曲线图解法求出最佳腔参数。这种凸凹腔型具有基模体积大,热稳定性好,不对准灵敏度低的优点。 相似文献
18.
摘要:研制了基于0.5 µm 标准CMOS工艺的,用于气压测量的片上微机电系统。传感器采用微热板结构并与轨至轨运算放大器及8 位逐次逼近式模数转换器进行单片集成。微热板上的钨电阻作为敏感元件用来测量气压变化。牺牲层由多晶硅制作,并采用表面微加工工艺进行腐蚀。配置运算放大器使传感器工作在恒电流模式。系统输出一组数字位流。测量结果表明:真空传感器的气压敏感区间是1-105 Pa。在1-100 Pa的气压范围内,传感器的灵敏度为0.23 mV/ Pa,线性度为4.95%,最大迟滞为8.69%。运算放大器能不失真地驱动200 Ω的电阻,SAR A/D转换器在采样频率为100 kHz时有效位为7.4位。运算放大器及SAR A/D转换器的性能满足传感器系统的要求。 相似文献