分散橙3掺杂聚合物薄膜的全光极化特性及其驰豫过程研究

利用旋涂法制备了分散橙3（DO3）/PMMA主客体掺杂薄膜,对其吸收谱、厚度和折射率进行了测量,并采用全光极化的方法对薄膜的二阶非线性光学特性进行了研究。实验结果表明,随着厚度的增加其二阶非线性先增强后减弱,d33最大值约为0.827×10-2pm/V。对极化饱和后的驰豫情况进行了分析,发现不同厚度薄膜的驰豫时间不同,这是由于薄膜中偶氮含量和厚度的不同,分子间的相互作用对顺反异构逆过程的快慢有较大的影响。     

两种偶氮化合物主客体掺杂薄膜的全光极化特性研究

利用旋涂法制备了两种PMMA-偶氮化合物主客体掺杂型薄膜,并对其进行全光极化,采用紫外-可见吸收谱和二次谐波产生的方法研究了薄膜的二阶非线性光学特性.实验结果表明,4′-Nitro-4-dimethylaminoazobenzene的二阶非线性光学系数d33＝6.89×10-1 pm/V,4′-Iodo-4-dimethylaminoazobenzene的d33＝7.77×10-2 pm/V;这两种薄膜在全光极化过程中二次谐波产生(SHG)强度随膜厚的变化规律以及极化饱和后的弛豫情况不相同.这些现象可从理论上解释为偶氮化合物的取代基不同而导致偶氮分子的偶极性和偶氮分子与基质间相互作用不同所产生的影响.     

分散橙25掺杂的聚合物PMMA薄膜全光极化的研究

制备了以分散橙25为客体的掺杂型有机聚合物PMMA薄膜样品，对之进行了全光极化研究，极化使薄膜产生诱导二阶非线性光学效应，种子光的强度越大，其二阶非线性极化率达到的饱和值越大;种子光的位相差、相对强度比、光场强度等因素影响薄膜的二阶非线性的优劣.     

偶氮聚合物薄膜的全光极化研究

报告了分散红共聚物膜HMMM-DR1,HMMM-DR19和偶氮侧链聚合物膜PCN6和PCN2的合成和制备, 并以HMMM-DR1和PCN6为代表比较研究了这两种具有不同吸收性质材料的全光极化特性,研究了他们的实时极化和弛豫过程,对他们的全光极化性质作了最基本的表征.研究了倍频光吸收对薄膜光极化效率的影响,讨论了偶氮聚合物材料光诱导二阶非线性极化率的效率和倍频光透射率之间的折衷关系,这对实用化的全光器件的研制是至关重要的.实验确证了在PCN6薄膜中实现了准相位匹配.对厚膜中光诱导二阶非线性极化率的弛豫抑制效应作出解释.     

全光极化聚合物薄膜中染料分子取向的模型

对光极化后偶氮染料聚合物薄膜中染料分子的取向方式进行了研究,指出当写入光（基频与其倍频光）为线偏振且偏振方向互相平行时,极化薄膜中多数染料分子垂直写入光偏振的方向作轴向排列,而少数分子沿平行于写入光偏振的方向作极性排列,但只有后者对薄膜的宏观二阶非线性有贡献,实验证实了上述模型。     

纳米晶聚合物复合薄膜PbTiO3—PEK—c的电光特性及其驰豫过程的研究

制备了掺杂纳米晶聚合物钛酸铅－聚醚醚酮（PbTiO3-PEK-c) 复合薄膜，采用简单透射技术测量了该复合薄膜的线性电光系数,并研究了该复合薄膜的电光特性的驰豫过程。     

掺杂浓度与溶剂对偶氮聚合物薄膜全光开关

用重复旋转涂膜法制备了乙基红(ER)偶氮染料与聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)掺杂聚合物薄膜和乙基橙(EO)与聚乙烯醇(PVA)掺杂聚合物薄膜.测量了两种聚合物薄膜样品全光开关特性,比较分析了薄膜样品的掺杂浓度和溶剂对全光开关效应的影响,实验结果表明:增加掺杂浓度和溶剂,极性薄膜样品的全光开关效应增强且开关的本底信号增大,但对开关的响应速度影响很小;选择合适的掺杂浓度和强极性溶剂,在室温和几个mW的弱功率控制光条件下聚合物薄膜具有毫秒级开关响应时间和40%以上的开关调制深度,最大的调制深度达72%以上.     

极化条件对偶氮化合物薄膜中分子取向的影响

为探索不同的极化条件对分子取向的影响,用旋涂法制备了偶氮主客体掺杂薄膜,并用电晕极化的方法分别在不同温度和厚度条件下使分子取向,通过测量极化前后紫外-可见吸收谱,研究了平均取向因子的变化,并和二次谐波产生结果进行了比较。实验结果表明：对于厚度相同的偶氮薄膜,随着温度的升高,平均取向因子增大,但二次谐波信号强度先增大后减小;温度越接近聚合物玻璃转变温度,分子越容易取向,但温度过高,聚甲基丙烯酸甲酯变为粘滞态,部分偶氮分子容易在高温下蒸发掉,导致二次谐波信号强度降低,而平均取向因子增大;随着薄膜厚度的增大,针-板电极电场造成薄膜内部电场分布的不均匀性增加,极化效率降低,平均取向因子不断减小,二次谐波信号强度先增大后减小。     

高压气体振动驰豫过程的微观研究

此文利用分子动力学计算机模拟方法，研究温度达到一千度，压力为几十万大气压下气体的振动驰豫速率与双原子分子的非谐性及温度的关系，发现振动驰豫速率随双原子分子的非谐性增大而迅速加快，却与温度几乎无关。     

可擦除光存储教学实验的开设

研究了在聚甲基丙稀酸甲脂（PMMA）中掺杂羚羟基亚甲基苯胺N-salicylideneaniline(SA)样品的可擦除光存储特性，依据相干光调制光强分布诱导光异构形成相位光栅和光异构产生压力梯度引起质量输运形成表面光栅机理，分析了两光栅的相位关系，合理解释了写入过程和擦除过程中衍射信号强度随时间的变化关系，通过阐述上述复杂的分析过程，培养和提高学生分析问题与解决问题的能力。     

甲基橙掺杂聚乙烯醇薄膜简并四波混频特性的实验教学研究

介绍了在近代物理实验课中开设甲基橙掺杂聚乙烯醇薄膜的简并四波混频特性的实验设计，论述了实验原理和实验中采用的非线性介质的结构与性能．研究了泵浦光与探测光之间的夹角等实验条件对实验结果的影响，得到了相位共轭光强度与探测光和泵浦光的关系．分析了实验中产生的信号光强度和反射系数的变化及产生这种变化的机制．     

Tm3+掺杂锗铌酸盐玻璃及其红外光谱特性

用高温熔融法制备了相同质量百分比浓度4%Tm₂O₃掺杂浓度下(90-x)GeO₂-xNb₂O₅-10Na₂O(其中数字为摩尔百分比x=1,2,4,6,8)以及Tm₂O₃掺杂浓度分别为质量百分比1%,2%,3%,4%下86GeO₂-4Nb₂O₅-10Na₂O(其中数字为摩尔分数)系列玻璃.研究了Nb₂O₅组分对玻璃热稳定性,荧光强度和J-O参数的影响.应用Judd-Ofelt理论,计算了Tm³⁺离子在Nb₂O₅浓度不同时的J-O强度参数(Ω₂,Ω₄,Ω₆)及Tm³⁺离子各激发态能级的自发跃迁概率、荧光分支比以及辐射寿命等光谱参量.根据McCumber理论,计算了Tm³⁺离子能级³F₄→³H₆(1.8 μm)跃迁的吸收截面和受激发射截面.从获得的吸收截面、发射截面与离子掺杂浓度计算了1.8 μm荧光波段的增益截面曲线.在808 nm波长光的激发下,研究了Tm³⁺掺杂玻璃在1.47与1.8 μm附近的荧光特性.发现当Tm₂O₃掺杂浓度为质量百分比3%时,在1.8 μm处的荧光强度达最大,然后随着掺杂浓度的增大,其荧光强度反而降低;当Nb₂O₅摩尔分数含量大约在2%时,Tm³⁺在1.8 μm处的荧光强度最强.并讨论了Nb₂O₅组分变化对玻璃结构与光谱特性的影响情况. 关键词： 3+掺杂锗铌酸盐玻璃')" href="#">Tm³⁺掺杂锗铌酸盐玻璃 红外光谱性质 交叉弛豫 2O₅')" href="#">Nb₂O₅     

射频场照射下扩展的Solomon方程及射频场的照射对异核体系弛豫速率与NOE的影响

根据WBR理论,采用“改进的矩阵计算方法”,推导出了射频场照射下扩展的Solomon方程,并据此研究了射频场的照射对异核体系各种弛豫速率与NOE的影响,得出了如下结论:1)给出的方程比Boulat和Bodenhausen的方程更准确、更具普遍性,能够具体描述射频场对各种弛豫速率与NOE的影响.2)射频场的照射对纵向与横向弛豫速率的影响甚微,可以忽略,而交叉弛豫速率在射频场的照射下则有一定程度的降低.3)射频场的照射将使NOE变弱,且射频场越强,NOE越弱. 关键词： 核磁共振 Solomon方程 弛豫 射频场     

Strain relaxation and optical properties of etched In0.19Ga0.81N nanorod arrays on the GaN template

InGaN/GaN epilayers,which are grown on sapphire substrates by the metal-organic chemical-vapour deposition(MOCVD) method,are formed into nanorod arrays using inductively coupled plasma etching via self-assembled Ni nanomasks.The formation of nanorod arrays eliminates the tilt of the InGaN(0002) crystallographic plane with respect to its GaN bulk layer.Photoluminescence results show an apparent S-shaped dependence on temperature.The light extraction efficiency and intensity of photoluminescence emission at low temperature of less than 30 K for the nanorod arrays are enhanced by the large surface area,which increases the quenching effect because of the high density of surface states for the temperature above 30 K.Additionally,a red-shift for the InGaN/GaN nanorod arrays is observed due to the strain relaxation,which is confirmed by reciprocal space mapping measurements.     

采用瞬态EL和延迟EL测试方法研究磷光掺杂体系的内部发光过程

有机磷光发光二极管(OLED)因为理论内量子效率能达到100%而成为研究热点,但是至今有机磷光OLED器件发光机理及过程仍然不完全清楚,需进一步研究. 本文中搭建了一套瞬态电致发光和延迟电致发光的测量系统,并首次综合运用瞬态电致发光和延迟电致发光测量来探测有机磷光OLED 器件发光层内部电荷载流子的运动,从而分析研究其内部发光过程及机理. 研究中首先制备了一种高效红色磷光材料(pbt)₂Ir(acac)衍生物(Irf)掺杂荧光材料作为发光层的器件,对其进行了瞬态EL测量,发现当驱动脉冲信号撤销时瞬态发光强度会突然出现一个瞬时过冲现象(transient overshoot),通过实验分析证实这个发光的瞬时过冲是由于发光层内部电子和空穴累积造成的,还证实了在发光层与空穴传输层界面存在空穴的累积. 通过延迟电致发光的研究发现在这种掺杂体系中发光主要来自于客体材料Irf的直接俘获电子空穴复合发光,而不是来自于主客体之间的能量传递,器件中的空穴传输发生在客体材料Irf上,而电子传递则主要在主体材料TAZ上. 同时还发现空穴注入是整个掺杂体系中重要的影响因素. 关键词： 瞬态EL 延迟电致发光 三线态-三线态湮没 overshoot     

Investigations on the electrical and structural properties of polyaniline doped with camphor sulphonic acid

Polyaniline is chemically synthesised and doped with camphor sulphonic acid. FTIR studies carried out on these samples indicate that the aromatic rings are retained after polymerisation. The percentage of crystallinity for polyaniline doped with camphor sulphonic acid has been estimated from the X-ray diffraction studies and is around 56% with respect to polyaniline emeraldine base. The change in dielectric permittivity with respect to temperature and frequency is explained on the basis of interfacial polarisation. AC conductivity is evaluated from the observed dielectric permittivity. The values of AC and DC conductivity and activation energy are calculated. The activation energy values suggested that the hopping conduction is the prominent conduction mechanism in this system.     

Initial study on the structure and photoluminescence properties of SiC films doped with Al

SiC films doped with aluminum (Al) were prepared by the rf-magnetron sputtering technique on p-Si substrates with a composite target of a single crystalline SiC containing several Al pieces on the surface. The as-deposited films were annealed in the temperature range of 400-800 °C under nitrogen ambient. The thin films have been characterized by X-ray diffraction (XRD), Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) and scanning electron microscopy (SEM). The results show that the introduction of Al into films hinders crystalline formation process. And with the increase of annealing temperature, more Si particles are formed in the films, which strongly affect the optical absorption properties. The photoluminescence (PL) spectra of the samples show two peaks at 370 nm and 412 nm. The intensities of the PL peaks are evidently improved after Al doped. We attribute the origin of the two PL peaks to a kind of Si-related defect centres. The obtained results are expected to have important applications in modern optoelectronic devices.