基于压缩感知理论的非线性γ谱分析方法

γ谱分析是一种重要的放射性核素定量分析方法. 弱峰的检测和重叠峰的分解是γ 谱分析中的难点. 为了解决这两个问题, 基于压缩感知理论, 提出了一种新的γ 谱分析方法. 这一方法从谱仪对γ 谱调制的物理机理出发, 通过数学建模, 将γ 谱分析转化为一个以真实γ 谱为解的求逆问题, 并在压缩感知理论框架下, 运用γ 谱特征峰的稀疏性, 进行逆问题的求解, 直接获得γ 谱的估计结果. 数值模拟结果和蒙特卡洛模拟结果表明: 该方法能在降低统计涨落的同时, 有效减小谱仪调制带来的能谱展宽, 从而提高γ 谱分析精度. 关键词： γ谱分析')" href="#">γ谱分析 压缩感知 非线性 逆问题     

氢化丁苯共聚物结构的核磁共振波谱表征Ⅰ.13C谱带的归属

本文分别用JEOL FX-90Q和Bruker AM-300波谱仪测定了氢化聚丁二烯和氢化丁苯共聚物的¹H,¹³C-NMR谱,得到了分辨率较高的谱图和新的结构信息。借助DEPT技术确定了各谱带的CH或CH₂类型。利用Grant-Paul和Lindeman-Adams介绍的化学位移经验计算公式,考虑苯基对α、β和γ碳原子的影响,计算了各种三单元序列中有关碳原子的化学位移。对脂肪碳部分的28组谱带重新进行了归属。化学位移计算值与实测值基本相符,并得到了不同组成的模型聚合物¹³C-NMR谱的各谱带强度变化规律的验证。     

用C语言编写的γ-电子级联过程的蒙特卡罗模拟程序GET

用C语言编写成γ-电子级联过程的蒙特卡罗模拟程序,可在IBM系列微机上运行。程序可实时显示粒子输运与反应的模拟物理过程,并可有选择地累积各种谱。结果以事件方式与谱方式记录,可进行数据再处理。目前适用γ能区为0.1~500MeV,可扩展至其他能区。程序可用于γ探测器研制、核辐射防护和核医学等领域。     

康普顿抑制γ谱仪的模拟计算

本文用蒙特卡罗方法模拟计算了康普顿抑制γ谱仪探测γ射线的物理过程,对¹⁸⁷Cs 662 kcV γ射线和⁶⁰Co 1173-1332 kcV级联γ射线的模拟计算结果与实际测量相符。本工作对于康普顿抑制γ谱仪的物理设计具有意义。     

初始压入位置对Ni基单晶合金纳米压痕影响研究

针对Ni基单晶合金建立初始压入γ 相的γ /γ' 模型和初始压入γ'相的γ'/γ 模型, 采用分子动力学方法模拟金刚石压头压入两种模型的纳米压痕过程, 计算两种模型[001]晶向硬度. 采用中心对称参数分析两种模型(001)相界面错配位错对纳米压痕过程的影响. 结果显示: 弛豫后, 两种模型(001)相界面错配位错形式不同, 其中γ'/γ 模型(001)相界面错配位错以面角位错形式存在; 压入深度在0.930 nm 之前, 两种模型(001)相界面错配位错变化不大, 压入载荷-压入深度及硬度-压入深度曲线较符合; 压入深度在0.930 nm之后, γ'/γ 模型(001)相界面错配位错长大很多, 导致相同压入深度时γ'/γ 模型比γ /γ'模型压入载荷和硬度计算结果小; 压入深度在2.055 nm之后, γ /γ'模型(001)相界面错配位错对γ 相中位错进入γ'相有阻碍作用, 但仍有部分位错越过(001) 相界面进入γ' 相中, γ'/γ 模型(001)相界面处面角位错对γ' 相中位错进入γ 相有更明显的阻碍作用, 几乎无位错越过(001) 相界面进入γ 相中, 面角位错的强化作用更明显, 所以γ'/γ 模型比γ /γ'模型压入载荷上升速度快.     

γ脉冲射线束在大气中的输运计算方法

在γ脉冲射线束测量中,束流波形是由许多不同能量的γ粒子叠加而成的,在大气介质传输中,由于γ粒子与空气原子的相互作用,测点的γ能通量强度随时间变化的波形、同源点的γ强度波形相比,在较大测点距离的情况下就会产生畸变。讨论了γ射线在大气中输运的传输函数以及用褶积计算测点γ能通量强度波形的方法,给出了解析表达式,对典型的γ源脉冲波形输运不同距离,计算了大气输运对测量的影响。最后讨论了减小或避免波形畸变的方法。     

基于裂变γ标识技术的瞬发裂变中子谱测量新方法

瞬发裂变中子谱（prompt fission neutron spectrum,PFNS）是用于核实验诊断过程中十分重要的参数数据,传统的测量主锕系核素（U,Pu）PFNS的技术手段是采用裂变室,利用裂变碎片标识裂变中子,通过中子飞行时间技术获得裂变中子谱.目前出现了一种新的用于PFNS测量的技术,其原理是基于如下的物理事实：在一次裂变过程中,释放中子的同时伴随着释放7–8个γ射线光子,而非弹性散射效应产生的γ射线光子只有1–2个.据此,可以通过裂变γ射线的多重性将裂变中子和其他杂散中子甄选出来,达到测量PFNS的目的.本文建立了基于裂变γ标识技术的PFNS测量实验系统.利用该系统对²⁵²Cf中子源的PFNS进行了实验测量,测量结果与传统的裂变碎片标识法及ENDF/B-VⅡ数据库的标准谱进行了比较,对新方法的裂变标识率以及实验不确定度也一并进行了分析.     

Grüneisen γ通用函数及完全物态方程

在分析Grüneisen γ近似函数的适用范围和热力学γ高压演化特性的基础上, 根据Grüneisen γ系数的物理性质和变化特点, 利用数学分析的方法建立了Grüneisen γ通用函数γ_n(v). 将γ_n(v)代入热力学函数γ(v, T), γ(v, T)即成为全压力区连续可导的函数, 并由γ(v, T)直接导出了等熵温度函数T_S(v); 再根据等熵温度与Hügoniot 温度的函数关系获得了Hügoniot温度方程的解析函数T_H(v), 从而使Hügoniot方程成为完全物态方程. 对几种金属做了检验, 由等温方程推算Hügoniot方程, 或者由Hügoniot方程推算等温方程, 其结果都与实验符合得很好.     

掺杂LiF的ESR谱和ENDOR谱研究

LiF:Mg,Cu热释光(TL)磷光体在γ辐照后产生F⁰顺磁中心,其g因子为g_xx=2.0030,g_yy=2.0450,g_zz=2.0251,裂分为A_xx=511.04G,A_yy=505.42G,A_zz=507.26G。F⁰中心的浓度随Mg⁺⁺浓度的增加而下降。磷光体的ENDOR谱显示F⁰中心附近有铜核存在。照射前和照射后24h测量均未发现Cu⁺⁺的ESR谱,表明铜是以Cu⁺形式掺入的,照射并未引起Cu⁺离子化合价的改变。LiF:Mg,Cu,P在γ辐照前具有轴对称的Cu⁺⁺离子的ESR谱,辐照后产生了O^-空穴中心和PO₃^2-自由基,改变了Cu⁺⁺的环境,使Cu⁺⁺的谱发     

中红外高双折射高非线性宽带正常色散As2 S3光子晶体光纤

设计了一种中红外As₂S₃光子晶体光纤,利用多极法研究了这种光纤的双折射、色散和非线性特性.数值研究发现,该光纤在中红外波段λ = 3.625 μm处双折射B高达0.098;其x偏振方向的非线性系数γ_x达到了1.69 m^-1 ·W^-1, y偏振方向的非线性系数γ_y达到了0.78 m^{- 关键词： 光子晶体光纤 中红外波段 双折射 非线性}     

γ-LiAlO2上非极性ZnO薄膜制备及其光谱性质研究

利用激光脉冲沉积(PLD)技术在(302)γ-LiAlO₂衬底上成功生长了非极性的a面(1120) ZnO薄膜. 衬底温度为350℃时，薄膜是混合取向(a向和c向)，以c面ZnO为主，且晶粒尺寸分布很宽；提高温度达500℃，薄膜变为单一的(1120)取向，摇摆曲线半高宽0.65°，晶粒尺寸分布趋窄，利用偏振透射谱可以明显看出其面内的各向异性. 衬底温度650℃下制备的样品晶粒继续长大，虽然摇摆曲线半高宽变大，但光致发光谱(PL)带边发射峰半高宽仅为105meV，比在350℃，500℃下制备的样品小1/5. 关键词： 非极性ZnO 2')" href="#">γ-LiAlO₂ PLD 透射谱     

脉冲源法测量次临界系统裂变衰减特性的理论分析和数值模拟

针对点堆动力学理论解释脉冲源法测试原理时存在的问题, 基于无源中子输运方程分析次临界系统总中子数、泄漏γ射线计数率随时间的变化关系。理论分析表明: 脉冲中子源作用结束后(无源条件下), 在一定时间范围内, 泄漏γ射线计数率和总中子数近似成正比, 两者随时间变化服从近似指数衰减规律, 反映系统本身的裂变衰减特性, 可以由总中子数和γ射线计数率求解瞬发中子衰减时间常数。基于蒙特卡罗程序构造类Godiva裸铀球次临界系统, 模拟脉冲中子源作用下中子和γ射线输运过程, 计算总中子数、泄漏γ射线计数率及两者比值随时间的变化关系, 结果与理论分析一致; 利用脉冲源法由总中子数、泄漏γ射线计数率计算瞬发中子衰减时间常数α₀, 得到与α-k迭代一致的α₀。说明总中子数、泄漏γ射线计数率可以准确反映系统本身的裂变衰减特性。此外, 根据理论分析和模拟计算给出脉冲源法可用数据的时间范围, 分析泄漏γ射线计数率和总中子数比值的影响因素。     

多晶Mn1-xCux(0.1≤x≤0.3)合金的磁诱发应变

采用X射线衍射分析、显微形貌观察、差示扫描量热法、标准电阻应变计法等实验方法,研究了室温下多晶Mn_1-xCu_x(0.1≤x≤0.3,原子分数)合金在低磁场中的磁诱发应变性能.结果表明,Mn_1-xCu_x合金经过长时间的固溶处理,在冷却过程中会出现fcc(γ)→fct(γ’)马氏体相变,形成(γ+γ 关键词： 磁诱发应变 MnCu合金 马氏体相变     

高阶Adams公式的系数

当k的值不大时(例如k≤4),诸系数γiγi^*,β_kρ,β_kρ^*易于手工计算。但对大的k值(例如k≥5),手工计算已非易事。利用著名的计算机代数软件:REDUCE^[a],我们可以很容易地计算出诸系数γi,γi^*,β_kρ,β_kρ^*。     

BL Lac天体的γ射线和射电辐射的统计特性

给出了一个带有射电5.0GHz,8.4GHz 和γ射线辐射流量密度的22个γ噪BL Lac天体的样本,研究了它们在1GeV处的γ射线辐射流量密度最大值、平均值及最小值与射电5.0GHz,8.4GHz辐射流量之间的可能关系.结果表明：1）射电5.0GHz,8.4GHz辐射与γ射线辐射在低态时没有相关,但在高态和平均态时都存在较强的相关,最大相关系数r=0.85,置信度均好于10^-4;2）γ射线谱指数和射电谱指数之间也有一个弱相关关系存在.因此,认为γ射线的辐射主要是同步自康普顿辐射. 关键词： BL Lac天体 γ射线 射电辐射 谱指数     

一端附壁高分子链的Monte Carlo研究

采用简立方格点上的Monte Carlo模拟,研究一端被无限大不可穿透平面壁吸附的高分子链的均方末端距<R²>,以及高分子链的质量中心到平面吸附壁的平均距离<Z>,与链长N、参数u(u=e^-ε/kT,ε是链骨架原子间的相互作用能量,k是玻耳兹曼常数,T是热力学温度)的关系。结果表明:<R²>和<Z>都服从标度律,<R²>=αN^γ,<Z>=βN^η,其中,γ、η、α、β都是u的函数;u从1减小到0.5,则γ从1.01增大到1.19,η从0.51增大到0.60.     

MgB2各向异性光学性质的第一性原理研究

使用密度泛函第一性原理研究了超导体MgB₂单晶各向异性的光学性质.在描述光学性质的基本理论和计算方法的基础上,计算了MgB₂的光电导谱、反射谱以及电子能量损失谱,并通过MgB₂的各个原子分解态密度图对所得到的反射谱和损失谱的各个谱峰做了详尽地分析.从光电导谱上来看,x方向与z方向有着很大差别,而在反射谱与电子能量损失谱中,x方向与z方向的特征峰位置都是相互符合的.从光导谱来看,沿 关键词： 超导体 电子结构 光学性质     

γ测厚仪的物理设计

本文用蒙特卡罗方法研究了宽束γ射线通过介质的衰减情况,指出只要使用等效吸收系数(表观μ'值),仍可按指数规律处理,从而提出了γ测厚仪新的设计思想,以减小源强、增加计数率,提高测量精度。本工作用60keV的宽束γ射线在铝中的吸收实验,验证了蒙特卡罗理论计算结果。     

柚皮素7-O-葡萄糖苷非对映异构体的NMR波谱分析

二氢黄酮糖苷化后产生的R与S构型非对映异构体在¹H NMR谱上会呈现一些差别,但文献对其差别描述非常有限.为便于利用¹H NMR谱图判断二氢黄酮糖苷的R与S构型非对映异构体,本文首先在植物药皂荚提取物中分离得到一种二氢黄酮苷-柚皮素7-O-葡萄糖苷R与S构型混合物,分析其氘代二甲亚砜（DMSO-d₆）溶液的¹H NMR、¹³C NMR、¹H-¹H COSY、¹H-¹³C HSQC和¹H-¹³C HMBC谱,对其¹H和¹³C NMR谱峰进行了归属;然后,采用手性色谱柱对该混合物进行分离,结合圆二色光谱（CD）技术确定构型;最后,为鉴别R与S构型柚皮素7-O-葡萄糖苷在¹H NMR谱中特征差别谱峰,避免葡萄糖残基质子对二氢黄酮苷元质子化学位移的影响,采集了R与S构型柚皮素7-O-葡萄糖苷及其混合物氘代乙腈（CD₃CN）溶液的NMR谱,结果显示葡萄糖残基端基质子H-1″化学位移差别最为明显,为9.4 Hz;5-位酚羟基质子化学位移差别为5.8 Hz,C环上3个质子化学位移差也较明显．     

波浪破碎气体的卷入过程及相关统计量的估计

基于实验观测,导出了波浪破碎能量耗散ε_ed、气泡云卷入深度z_b、气体卷入速率Q(z)和湍流动能耗散率ε_T(z)的表达式,在此基础上建立了一种简单、实用的气泡粒径谱参数化模式N(a,z),揭示了波浪破碎气泡云卷入过程能量耗散、气泡破碎临界Hinze特征尺度和气泡粒径谱在不同海况下的变化. 研究表明：气泡云卷入过程能量耗 关键词： 波浪破碎能量耗散 气泡云卷入深度 气泡粒径谱