中空型的Ag/Pd和Ag/Pt纳米立方的一锅合成及其光学性能表征

本文通过改进的多元醇法成功制备了尺寸可控、均一的立方形银纳米材料, 然后在不经过任何后处理的情况下通过置换反应一锅合成了中空型的银/钯(Ag/Pd)和银/铂(Ag/Pt)纳米立方体, 并用透射电子显微镜(TEM)和紫外可见吸收(UV-visible)光谱对所合成的Ag纳米立方和空心的Ag/Pd 和Ag/Pt纳米立方进行了表征。     

电迁移对Ni/Sn3.0Ag0.5Cu/Au/Pd/Ni-P倒装焊点界面反应的影响

本文研究了150 ℃, 1.0× 10⁴ A/cm²条件下电迁移对Ni/Sn3.0Ag0.5Cu/Au/Pd/Ni-P倒装焊点界面反应的影响. 回流后在solder/Ni和solder/Ni-P的界面上均形成(Cu,Ni)₆Sn₅类型金属间化合物. 时效过程中两端界面化合物都随时间延长而增厚, 且化合物类型都由(Cu,Ni)₆Sn₅转变为(Ni,Cu)₃Sn₄. 电迁移过程中电子的流动方向对Ni-P层的消耗起着决定性作用. 当电子从基板端流向芯片端时, 电迁移促进了Ni-P层的消耗, 600 h后阴极端Ni-P层全部转变为Ni₂SnP层. 阴极界面处由于Ni₂SnP层的存在, 使界面Cu-Sn-Ni三元金属间化合物发生电迁移脱落溶解, 而且由于Ni₂SnP层与Cu焊盘的结合力较差, 在Ni₂SnP/Cu界面处会形成裂纹. 当电子从芯片端流向基板端时, 阳极端Ni-P层并没有发生明显的消耗. 电流拥挤效应导致了阴极芯片端Ni层和Cu焊盘均发生了局部快速溶解, 溶解到钎料中的Cu和Ni原子沿电子运动的方向往阳极运动并在钎料中形成了大量的化合物颗粒. 电迁移过程中(Au,Pd,Ni)Sn₄的聚集具有方向性, 即(Au,Pd,Ni)Sn₄因电流作用而在阳极界面处聚集.     

白金制品的X射线荧光检验

应用含量归一原理，解决样品形状和大小不确定的问题，可用Ｘ射线荧光法直接测定白金制品成色。     

聚酰胺分离富集发射光谱法同时测定金、铂和钯

聚酰胺树脂在稀盐酸或王水介质中对金、铂和钯有极强的吸附能力 ,吸附速度快、吸附容量大 ,在选择的色层条件下 ,普通金属不吸附 ,可用于分离富集各类矿物中微量贵金属。吸附后的树脂灰化 ,用碳粉、硫酸锶和氧化锆作缓冲剂 ,直接压样于杯形的石墨电极中 ,锆作内标线 ,发射光谱法同时测定金、铂和钯 ,据此建立了简便、快速和准确测定金、铂和钯的新方法。对测定条件、干扰因素进行了研究。锆内标线选择为 310 .7nm,金、铂和钯的分析线分别为 312 .3nm、30 6 .5 nm和 311.4 nm,线性范围分别为 0— 0 .2 0 %、0—0 .4 0 %和 0— 0 .2 0 % ,检出限分别 0 .0 1%、0 .0 0 3%和 0 .0 0 3%。用于样品的测定获得令人满意的结果。     

Virtual bound states of Pd in Cu,Ag and Au and of Pt in Ag

The positions and widths of the virtual bound states of 5 and 10% Pd in Cu, Ag and Au and of 5 and 10% Pt in Ag have been measured by XPS. The spin—orbit splitting of the Pt state in Ag is reduced from the theoretical value, but comparable to the spectroscopic atomic value. The host lattice d-band structure is perturbed in the alloys.     

共沉淀-感耦等离子体质谱法测定地质样品中的超痕量金铂钯

本工作研究提出了共沉淀富集结合ICP-MS测定地质样品中的金、铂、钯的方法,研究了仪器的最佳化和内标元素的选择。在本工作的实验条件下获得的方法测定下限以6倍标准偏差计分别为Au:0.23 ng·g-1,Pt:0.19 ng·g-1,Pd:0.16 ng·g-1;方法精密度(RSD)Au:1.4％-18.2％,Pt:0.2％-16.4％,Pd:0.4％-13.6％。采用本工作制定的分析方法,测定了国家一级地球化学标准物质中的痕量Au,Pt,Pd,测定值与标准值相吻合。     

高灵敏度化学光谱法测定金、铂和钯

三正辛胺负载泡塑对贵金属有极强的吸附能力。本文通过对三正辛胺负载泡塑对金、铂、钯吸附性能的研究，以及NO3^-和Fe^3 离子干扰的消除，拟定了金、铂、钯的快速、简便、富集系数高的三正辛胺负载泡塑分离法，一次摄谱的测定范围（10g样品）为：Au0.1-5000ng/g；Pt0.2-5000ng/g；Pd0.1-1000ng/g。     

超支化聚合物吸附金、铂和钯及化学光谱行为的研究

超支化聚合物在盐酸介质中分离富集金、铂和钯,具有吸附速度快、吸附容量大的特点。将吸附后的树脂灰化,用碳粉、硫酸锶和氧化锆作缓冲剂, 采用发射光谱法同时测定金、铂和钯,选择锆作内标线,直接压样于杯形的石墨电极中,测定简便、快速和准确。对测定条件、干扰因素进行了研究,以此建立测定金、铂和钯的新方法。金、铂和钯的分析线分别为312.3, 306.5和311.4 nm,内标线选择为310.7 nm的锆,金、铂和钯的线性范围分别为0～0.20%,0～0.40%和0～0.20%。金、铂和钯的检测限分别为0.010%,0.003%和0.003%。用于样品的测定获得了满意结果。     

X射线荧光光谱压片法测定六种花瓣粉末的成分

利用X射线荧光光谱法对白玫瑰花、红玫瑰花,白康乃馨、红康乃馨,白蝴蝶兰、红蝴蝶兰3个品种6个粉末样品中元素的种类和含量进行测定,并就每组样品的测定结果进行分析比对。结果表明,3个品种的花瓣粉末中均未检测出有毒元素的存在,且花瓣粉末中元素含量丰富;除含有常量元素外,还含有如Fe,Cu,Zn,Mn,Ni,Si,Sr,Rb等多种微量元素,但3个品种的微量元素的种类及含量有所差异;同一品种的花瓣粉末中元素的种类大致相同,而元素含量却各有差异,白色比红色中元素含量高。     

Analysis of the applicability of Ni,Cu, Au,Pt, and Pd nanoclusters for data recording

The applicability of individual Ni, Cu, Au, Pt, and Pd nanoclusters as data bits in next generation memory devices constructed on the phase-change carrier principle is studied. To this end, based on the modified tight-binding potential (TB-SMA), structure formation from the melt of nanoparticles of these metals to 10 nm in diameter was simulated by the molecular dynamics method. The effect of various crystallization conditions on the formation of the internal structures of Ni, Cu, Au, Pt, and Pd nanoclusters is studied. The stability boundaries of various crystalline isomers are analyzed. The obtained systematic features are compared for nanoparticles of copper, nickel, gold, platinum, and palladium of identical sizes. It is concluded that platinum nanoclusters of diameter D > 8 nm are the best materials among studied metals for producing memory elements based on phase transitions.

     

X射线荧光光谱法测定工业硅中铁、铝、钙

通过压片法制备样片,用X射线荧光光谱法测量工作硅中铁,铝,钙,探讨了样片制备条件,并通过加入粘接剂提高了样片牢固度,用经验系数法进行元素间增强和吸收校正,经对样品制备精密度及测量准确度分析,X射线荧光光谱法测量准确度和精密度能满足传统化学法要求。