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1988年10月16日,北京正、负电子对撞机对撞成功,这是继原子弹、氢弹爆炸、人造卫星发射成功之后,我国科技战线的又一伟大胜利;也是改革开放带来的重大成果。 BEPC是一项巨大的工程,占地120亩。由作为注入器的直线加速器,正、负电子储存环,谱仪探测器,数据处理中心和同步辐射实验区组成。 相似文献
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北京正、负电子对撞机是我国第一个高能物理实验基地。它的能区适合于粲粒子物理的深入研究。本文从目前国际高能物理学的进展展望了北京正、负电子对撞机进行物理研究的可能前景。指出北京正、负电子对撞机做出有国际影响的物理工作有三个必要条件:加速器的高亮度、谱仪的高探测效率、很高的数据处理能力。此外,还介绍了北京正、负电子对撞机可作为同步辐射装置用于科学技术的研究和发展。 相似文献
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在强耦合QED相的非拓扑孤子模型中,讨论了电子动力学质量的生成机制,得到了产生正、负电子对凝聚的临界耦合常数gcrit和临界核电荷数Zcrit,定性地解释了反常e+e-峰的性质.结果表明,正、负电子对凝聚在QED强耦合相中起着重要作用. 相似文献
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本文分析了e-e+电子贮存环与其入射器加速频率是否要成整数倍关系的问题. 特别在近年来, 次谐波聚束器提出以后, 这个问题更为突出. 文中对此问题从几方面来进行讨论, 最后提出了两个新的建议, 使两者频率可以不保持整数倍关系, 但又具有频率成整数倍时的优点. 相似文献
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赵忠尧1902年6月27日出生在浙江诸暨一个中医世家。1920年进入南京高等师范学校(1921年改称东南大学)学习。1925年经叶企孙先生推荐,到清华大学任助教。1927年赴美留学,进入加州理工学院,师从诺贝尔物理奖获得者R.A.密立根教授攻读博士学位。1929~1930他做博士论文过程中,在用硬γ射线对物质吸收系数进行测量时发现了由于正电子产生过程引起的“反常吸收”现象。 相似文献
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依据原始期刊文献,研究近代光学专家龚祖同对中国军用光学工业的科学贡献.结论认为,龚祖同专于应用光学设计与光学玻璃的研制,设计并生产出中国第一部军用双目"中正式望远镜",设计并试制成功80公分倒影测远镜;制成了中国第一架红外夜视望远镜;熔炼出中国第一埚光学玻璃等,开创了中国近代光学设计、光学仪器与光学玻璃制造、夜视技术与高速摄影研制的先河,将毕生精力奉献给了祖国的国防建设事业. 相似文献
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将原子核散射理论中的光学势方法应用于正、负电子被原子散射的计算,提出了不含任意参数的光学势以及由此确定散射矩阵元的方法,计算了低能(≤50eV)正、负电子被Na散射的总截面并与实验结果进行了比较。 相似文献
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本文采用在超高真空系统中引入少量Ar气及在激活到最高灵敏度时维持一定Cs蒸气压的方法,改进了激活系统的环境气氛,使阴极在台内的寿命得到极大地延长,为封管提供了足够的时间.文中还探讨了影响阴极稳定性的重要因素,并指出了在现有的条件下进一步提高阴极稳定性的途径. 相似文献
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《现代物理知识》1989,(5)
我国著名的物理学家赵忠尧教授,于1902年6月27日出生在浙江诸暨县.早年毕业于南京东南大学.1930年在美国加州理工学院研究部获得博士学位.在实验中发现了硬γ射线通过重物质时产生的反常吸收和特殊辐射现象.这事实上是正、负电子对的产生和湮灭过程的最早的实验证据.1931年他回到了祖国,先后在清华大学、云南大学、西南联大、中央大学执教,并进行γ射线、人工放射性和中子物理等方面的研究工作.1945年,他作为中国政府的观察员应邀参观了美国在太平洋中的原子弹试验.为了在国内开展核物理研究,他在美国采购建造中国自己的加速器所需科研器材的同时,进行静电加速器、混合宇宙线簇射、核物理等方面的研究工作. 相似文献
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正赵忠尧(1902~1998),浙江诸暨人,著名原子核物理学家,1925年毕业于东南大学,1927年赴美国留学。1930年获得哲学博士学位后回国,先后在清华大学、云南大学、西南联合大学、中央大学任教。1946年赴美参观原子弹试验后,留美购置核物理实验设备和其他科研器材。1950年回国,在中国科学院近代物理所工作。1958年参与中国科技大学筹建工作,并主持创办国内第一个近代物理系, 相似文献
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1950年,在上海交通大学校园内未竣工的新文治堂,楼上楼下挤满了人,气氛非常热烈,欢送校长吴有训调任北京筹建近代物理研究所(现中国原子能研究院及中国科学院高能物理研究所前身). 相似文献
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利用自行研制的光电阴极激活评估实验系统,给出了GaN光电阴极Cs激活及Cs/O激活的光电流曲线.针对GaN光电阴极的负电子亲和势(NEA)特性的成因,结合激活过程中光电流变化规律和成功激活后的阴极表面模型,研究了NEA GaN光电阴极激活机理.实验表明:GaN光电阴极在单独导入Cs激活时就可获得明显的NEA特性,Cs/O激活时引入O后光电流的增长幅度不大.用双偶极层模型[GaN(Mg):Cs]:O—Cs较好地解释了激活成功后GaN光电阴极NEA特性的成因.
关键词:
负电子亲和势
GaN
激活
光电流 相似文献
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为了得到铯吸附与阴极电子亲和势变化之间的定量关系,利用NEA光电阴极激活评估实验系统对GaN光电阴极进行了铯激活.根据半导体光电发射理论和双偶极层模型,通过对电子亲和势随铯覆盖度变化的实验结果进行拟合运算,得到电子亲和势与铯覆盖度之间的函数关系式.分析了铯的吸附机理,得到激活过程中铯的吸附过程与GaN材料有效电子亲和势下降之间的关系.实验表明:负电子亲和势GaN光电阴极材料在铯激活时光电流随着铯覆盖度的增加而从本底值增为极大值,激活过程中GaN电子能量分布曲线低动能截止点的位置决定于铯的覆盖度.当铯的覆盖度从0、1/2、2/3到1个单层变化时,低动能截止点依次向左移动,当覆盖度从0增加到1个单层时,低动能截止点向左移动了约3eV的距离.研究表明,低动能截止点左移本质上是由于对电子逸出起促进作用的有效偶极子[GaN(Mg):Cs]数量的增多造成的,有效偶极子数量的增多带来了材料表面真空能级的下降. 相似文献
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针对负电子亲和势(NEA) GaN光电阴极成功激活后的量子效率问题,利用自行研制的紫外光谱响应测试仪器,测试了成功激活的NEA GaN光电阴极的光谱响应,给出了230—400 nm波段内反射模式NEA GaN光电阴极的量子效率曲线.测试结果表明:反射模式下NEA GaN光电阴极在230nm具有高达37.4%的量子效率,在GaN光电阴极阈值365 nm处仍有3.75%的量子效率,230 nm和400 nm之间的抑制比率超过2个数量级.文中还结合国外的研究结果,综合分析了影响量子效率的因素.
关键词:
负电子亲和势
GaN光电阴极
光谱响应
反射模式 相似文献
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在Duoi和Gerstl的贡献蒙特卡罗方法中,不少次级粒子的贡献是负的[3,10]。负贡献粒子常使蒙特卡罗估计的统计涨落变大,浪费较多的计算时间,因此,解决次级粒子的负贡献问题是很必要的。在本文中,一个新的称为源凸域正贡献方法的贡献蒙特卡罗方法被提出来了。在任何情况下,源凸域正贡献方法一定比Dubi和Gerstl的贡献方法好,因此,前者完全可以替代后者。对于源凸域R解决了次级粒子的负贡献问题,通过例子的实际计算结果表明,本方法的效率可比Dubi和Gerstl的方法提高1.5至3.4倍。 相似文献
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利用金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)生长了发射层厚度为150 nm、掺杂浓度为1.6×1017 cm-3的透射式GaN光电阴极,并在超高真空激活系统中对其进行了激活.通过多信息量测试系统进行了测试,发现透射式负电子亲和势(NEA)GaN光电阴极的量子效率曲线成一个"门"的形状,在255—355 nm波段有较大且平坦的响应,在290 nm处取得最大值为13%,由于AlN缓冲层对短波段光的吸收系数较大,在小于255 nm的波段量子效率出现了下降,当波长大于3
关键词:
透射式
NEA GaN光电阴极
量子效率 相似文献