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1.
用提拉法技术生长出了Bi:α-BaB2O4单晶,并进行电子束辐照.测定了电子束辐照前后的吸收谱和荧光发射谱.在808 nm波长激光二极管的激发下,电子束辐照后的Bi:α-BaB2O4单晶中观测到了中心波长在1135 nm附近、半高宽为52 nm左右的近红外宽带发光现象.近红外宽带发光的发光中心是Bi+离子.电子束射线起到了将Bi3+和Bi2+还原至一价态
关键词:
近红外宽带发光
2O4单晶')" href="#">α-BaB2O4单晶
电子束辐照 相似文献
2.
研究了纯α-Al2O3单晶的热释光发光曲线和三维发光谱,以及光释光衰变曲线,对它们的发光机理和剂量学特性进行了分析和讨论.实验观察到α-Al2O3单晶β射线照射后立即测量的热释光发光曲线,有峰温为76℃和207℃两个发光峰.经γ射线照射数小时后测量的三维发光谱,只有峰温207℃波长为416 nm发光峰,它与α-Al2O3:C晶体的发光波长基本相同,是受热激发到导带的电子与F<
关键词:
2O3')" href="#">α-Al2O3
三维发光谱
TL/OSL剂量响应 相似文献
3.
通过温度梯度法制备了Bi2O3:BaF2以及BiF3:BaF2晶体.在Bi2O3:BaF2晶体中观察到了发光峰位于961 nm,半高宽202 nm的超宽带红外发光.在BiF3:BaF2晶体中检测到Bi2+和Bi3+可见区的发光,但是没有观察到红外发光.通过γ射线辐照实现了BiF3:BaF2晶体的近红外发光, 发光峰位于1135 nm,半高宽192 nm.讨论了Bi2O3和BiF3掺杂BaF2晶体的红外发光的机理.
关键词:
近红外发光
铋
氟化钡晶体
γ辐照 相似文献
4.
测量了α-Al2O3: Mn单晶中子辐照前后的三维热释发光谱.观察到α-Al2O3: Mn:Mn单晶γ射线照射后测量的三维热释发光谱中,峰温在350℃波长为680nm处有一宽发光峰,这可能与Mn2+离子有关;波长为695nm峰温在170℃和350℃的线状光谱,叠加在680nm宽发光峰上,是Cr3+离子的发光谱线,其中可能有Mn4+离子的贡献.与纯α-Al2O3单晶的热释发光谱相比,掺入Mn杂质后,γ射线照射的三维热释发光谱中完全地抑制了波长为416nm的α-Al2O3的F心发光峰.经1017cm-2中子注量辐照和退火后,γ射线照射后测量的三维热释发光谱中,在150℃出现了波长为416和695nm的发光峰,以及在250℃波长为680和695nm的发光峰,其中695nm新发光峰的强度略超过了中子辐照前α-Al2O3:Mn在350℃波长为695nm的发光峰,说明中子辐照产生了大量浅陷阱能级和F心.然而,经1018cm-2中子注量辐照和退火后,γ射线照射后测量的三维热释发光谱中,出现了峰温150℃,190℃和250℃波长为520nm的Mn2+离子发光峰,以及300℃波长为680和695nm的Cr3+(或Mn4+)的发光峰,表明增高中子注量的辐照,产生了温度为190℃,250℃和300℃深陷阱能级和F心,并使Mn2+离子发光峰明显加强.
关键词:
α-Al2O3:Mn
三维发光谱
缺陷结构
发光机理 相似文献
5.
研究了230MeV的208Pb27+辐照Al2O3样品及随后在600,900,1100K高温条件下退火后的光致发光特性。从辐照样品的测试结果可以清楚地看到在波长为390,450nm处出现了强的发光峰。辐照量为1×1013ions/cm2时,样品的发光峰最强。经过600K退火2h后测试结果显示,380nm发光峰剧烈增强,而其他发光峰显示不明显。在900K退火条件下,380nm的发光峰开始减弱,而在360,510nm出现了明显的发光峰,至到1100K退火完毕后380nm的发光峰完全消失,而360,510nm的发光峰相对增强。从被辐照样品的FTIR谱中看到,波数在460~510cm-1间的吸收是振动模式,经过离子辐照后,吸收带展宽,随着辐照量的增大,Al2O3振动吸收峰消失,说明Al2O3振动模式被完全破坏。1000~1300cm-1之间为Al—O—Al桥氧的伸缩振动模式,辐照后吸收带向高波数方向移动,说明其振动模式受到影响。辐照剂量较小的样品,损伤程度相对较低,经退火晶化后,振动模式基本恢复到单晶状态;辐照剂量较高的样品,损伤程度大,退火处理后表面变得较粗糙,振动模式并未出现,说明结构破坏严重。 相似文献
6.
采用高温熔融法制备了xBi2O3-50B2O3-(50-x)BaO玻璃, 测定了样品玻璃的近红外光区的发射谱、荧光寿命以及Raman光谱. 在808 nm波长光的激发下, 50Bi2O3-50B2O3二元玻璃中未观察到近红外发光; 随体系中BaO的加入, 当x为40, 45以及49时, 玻璃样品中观察到了近红外宽带发光现象; BaO含量进一步增加, 当x=10–30时, 近红外发光现象消失; 而当玻璃中Bi浓度很低时, 在0.5Bi2O3-50B2O3-50BaO及1Bi2O3-50B2O3-50BaO玻璃中发现了近红外发光现象, 且存在多个发光峰. 对铋离子近红外发光机理进行了初步的探讨. 相似文献
7.
用500和800℃,在氧气下,对掺Bi钨酸镉晶体进行热退火处理,测定了处理后晶体的吸收光谱与发射光谱。随退火处理温度的升高晶体的吸收强度降低,吸收边带发生蓝移。在373与980nm的光激发下,分别观察到发光中心为528nm的CdWO4晶体本征发光与发光中心为1 078nm的Bi 5+发光。晶体样品通过高温氧气处理,发光中心为528nm的荧光带强度增强,但发光中心为1 078nm的荧光带强度变弱。这可能是由于氧退火使Bi 5+转化成Bi 3+所致。经退火处理后,晶体的颜色逐渐变浅,透光率明显提高,这是由于晶体中氧空位减少所致。经γ射线辐照处理后,528nm处的发光增强,而1 078nm处的发光减弱,这可能是由于γ射线辐照后导致Bi 5+变成Bi 3+。 相似文献
8.
9.
用坩埚下降法(Bridgman)生长出了Bi离子掺杂的CdWO4单晶.测定了晶体不同部位的吸收光谱、发射光谱和X射线电子能谱(XPS).Bi离子的掺入引起CdWO4晶体的吸收边从345 nm红移到399 nm.在311 nm, 373 nm,808 nm和980 nm光的激发下,分别观测到中心波长为470 nm,528 nm,1078 nm和较弱的1504 nm四个不同发射带.Bi:CdWO4单晶的XPS谱分别与Bi2
关键词:
Bi离子
荧光光谱
X射线电子能谱
4单晶')" href="#">CdWO4单晶 相似文献
10.
以ZnO和HGaO2为原料,用不同配比合成出系列ZnGa2O4,并对其晶体结构和发光性能进行了研究。用荧光分光光度计检测了ZnGa2O4的激发和发射光谱,用X射线衍射仪检测了ZnGa2O4的衍射图谱,用热重差热仪绘制了TGA-DAT曲线。对检测结果分析认为:1.ZnGa2O4属于尖晶石结构,稍过量的Zn或Ga能进入ZnGa2O4结构中,并对ZnGa2O4的晶格常数产生一定影响。2.ZnGa2O4存在两个自激发光中心,当Ga稍过量时,自激发光中心是四面体镓氧键[Td(Ga-O)],最大激发波长约248nm,最大发射波长约367nm;当Zn稍过量时,自激发光中心是八面体镓氧键[Oh(Ga-O)],最大激发波长约270nm,最大发射波长约441nm。当n(Zn):n(Ga)在理论值附近,激发和发射光强度最大,而且光谱峰位发生了红移。3.ZnGa2O4的热稳定性能非常好。上述结论对研究ZnGa2O4基质或掺杂的发光材料具有一定意义。 相似文献
11.
本文报道了结构自还原对铋掺杂碱土金属硅磷铝硼玻璃超宽带近红外发光性质的影响. 以Eu作为对比, 在空气气氛中采用高温熔融法分别制备了Eu2O3和Bi2O3掺杂的35SiO2-25AlPO4-12.5Al2O3-12.5B2O3-15RO(R=Ca,Sr,Ba) 玻璃. 结果证实该玻璃中可发生Eu3+→Eu2+的高温自还原现象, 且随着碱土金属离子半径增大Eu2+ 的自还原性减弱; 同样条件下Bi位于1300 nm波段的近红外发光却随之增强, 而位于1100 nm波段近红外发光和源于Bi2+的红光则减弱. 根据结构自还原机理及碱土离子半径变化对玻璃近红外超宽带发光性质的影响, 讨论了Bi离子的近红外发光中心的归属. 上述研究表明玻璃结构自还原特性可以为Bi近红外发光机理研究以及高效Bi掺杂超宽带近红外发光玻璃的设计提供一种有效的思路和方法.
关键词:
玻璃
铋掺杂
近红外发光
自还原效应 相似文献
12.
13.
以高纯α-Al2O3和石墨为原料,采用温梯法生长了α-Al2O3:C晶体,使用Ris TL/OSL-DA-15型热释光和光释光仪研究了其热释光和光释光特性.α-Al2O3:C晶体在462K附近有单一热释光峰,发射波长位于410nm.随着辐照剂量的增加,热释光强度逐渐增强,462K的热释光特征峰位置保持不变.α-Al2O3:C晶体的
关键词:
2O3:C')" href="#">α-Al2O3:C
热释光
光释光 相似文献
14.
利用喷雾热解法合成了Tm、Tb及Eu离子掺杂的铝酸钡(BaAl2O4)发光膜,研究了合成条件对其结构和发光特性的影响.在退火温度达到700℃时,生成了BaAl2O4膜.Tm3+和Tb3+掺杂的BaAl2O4膜分别发蓝光和绿光,而Eu3+掺杂的BaAl2O4膜的发光既有Eu2+的特征发射——宽的蓝光发射带,也有Eu3+的特征发射——窄的红光发射峰.BaAl2O4:Tm3+的发射主峰位于462nm,在电压为5kV和电流密度为57μA/cm2的条件下,其阴极射线发光(CL)亮度可达25cd/m2,效率可达0.11lm/W.BaAl2O4:Tb3+的发射主峰位于549nm,在相同的条件下,其阴极射线发光亮度可达120cd/m2,效率可达0.55lm/W.BaAl2O4:Eu3+的发射主峰位于616nm,其阴极射线发光亮度为50cd/m2,效率为0.23lm/W.BaAl2O4:Eu2+发蓝光,峰值位于452nm,其阴极射线发光亮度为640cd/m2,效率为2.93lm/W. 相似文献
15.
使用Al2O3∶C作为灵敏物质的辐射探测器具有体积小、灵敏度高、可在线远程退火等优点。精确测量Al2O3∶C的光释光荧光光谱不仅有助于理解Al2O3∶C的能级分布和发光机理,还可用于指导荧光收集和测量系统设计。采用直接测量法和分光测量法测量了Al2O3∶C的光释光荧光光谱,两种方法得到的光谱基本一致,具有峰值波长为~414nm,半高宽为~62nm的单峰形状,且长波长侧衰减较缓慢。峰值波长为414nm(对应能量为3.0eV)的宽带光释光荧光对应于Al2O3∶C材料中F色心由3P激发态退激到1S基态所发射的荧光。设计的分光光谱测量系统可完全消除高强度反射激发光的影响,也可用于其他光释光材料的荧光光谱测量。 相似文献
16.
测量了在不同氧压下退火生长的YBa2Cu3O7-x(YBCO)薄膜中的激光感生热电电压(LITV)信号,发现随退火氧压的增大可使LITV信号的峰值有2—4倍的增强,并且变化趋势与薄膜热电势的各向异性随氧含量的变化规律相同.波长在473—808nm范围内的连续激光辐照,在5000Pa的氧压下退火生长的YBCO薄膜中探测到的LITV信号最大;而紫外脉冲激光辐照时,LITV信号的最大值出现在退火氧压为105Pa
关键词:
2Cu3O7-x薄膜')" href="#">YBa2Cu3O7-x薄膜
激光感生热电电压
各向异性的Seebeck系数
氧含量 相似文献
17.
采用化学共沉淀法制备了Ca2-xMgSi2O7:xEu2+绿色荧光粉.用X射线衍射仪、荧光分光光度计及光色综合测试系统对Ca2-xMgSi2O7:xEu2+绿色荧光粉的相结构、发光性能进行了测试.结果表明:其激发光谱分布在300–480 nm波长范围,谱峰位于389,430 nm处,可以被InGaN管芯产生的360–480 nm辐射有效激发;在波长为430 nm蓝光激发下,其发射光谱谱峰位于531 nm处.Ca2-xMgSi2O7:xEu2+绿色荧光粉的发光强度随Eu2+掺杂量的增加而增强,当Eu2+掺杂量x为0.04时,发光强度达到最大值,而后开始降低,发生浓度猝灭.根据Dexter能量共振理论,浓度猝灭是由电偶极-电偶极相互作用引起的.
关键词:
2MgSi2O7∶Eu2+')" href="#">Ca2MgSi2O7∶Eu2+
绿色荧光粉
发光特性
白光发光二极管 相似文献
18.
用高温固相反应法研制了MgB4O7:Dy和MgB4O7:Tb两种热释光材料.用自制的三维热释光谱仪测量了两种磷光体的三维发光谱,从MgB4O7:Dy磷光体的三维发光谱观察到:1.热释光发光峰峰温为220,380℃;2.Dy3+离子的发光波长为480,575,660nm;3.220,380℃发光峰的相对强度随高温固相反应温度的升高而变化,但发光峰温和波长基本保持不变.由MgB4O7:Tb磷光体的三维发光谱可看到在230,340,420℃附近有三个发光峰,发光谱线波长分别为489,543,589,620nm.不同的高温烧结温度不仅对发光峰的发光强度有很大影响,而且还对Tb3+发光谱形产生影响,当温度高于850℃时Tb3+离子发光谱线开始变成了发光谱带.此外,对比MgB4O7:Dy和MgB4O7:Tb两种热释光材料的二、三维发光谱,得出了掺入三价稀土离子的热释光材料的发光峰峰温主要由基质材料决定,发光波长则取决于稀土离子的4f电子能级间的跃迁. 相似文献
19.
红外荧光粉是制备基于蓝光芯片宽带近红外光源的关键。采用高温固相法制备了LiScSi2O6:Cr3+近红外荧光粉样品并制备了相应的pc-LED器件,详细研究了样品的光致发光特性及pc-LED的性能。荧光粉在460nm蓝光激发下产生中心波长为850nm,半高宽约为156nm的宽带近红外光谱。在温度为160℃时,发光峰的强度下降为室温下的75.38%。把粉体涂覆在InGaN蓝光芯片(Pmax=5W)表面制备的近红外pc-LED,得到最大近红外光输出功率为436.7mW@300mA,最大电光转化效率为18.3%@1mA。采用pc-LED作为红外光源,隐藏在油墨下的文字信息清晰可见,表明该红外荧光粉可用于制备基于蓝光芯片的宽带红外光源,且在夜视和信息防伪领域有良好的应用前景。 相似文献
20.
通过水热法合成了一系列CaSc2O4:Er3+,Nd3+纳米晶。随着Nd3+浓度和激发波长的变化,详细研究了CaSc2O4:Er3+,Nd3+氧化物在可见光和近红外(NIR)区域的发光特性。在808 nm激发下,Er3+离子的发光强度随着Nd3+离子浓度的增加出现增强。相对的红色强度也有轻微的增强。在980 nm激发下,Nd3+离子几乎不吸收980 nm的光子,只有Er3+离子的吸收和发射被发现。相对的红色强度没有变化。此外,在近红外光谱中,只观察到Er3+离子的发射,这与可见光光谱一致。详细的研究揭示了新型CaSc2O4:Er3+,Nd3+纳米晶在808 nm和980 nm近红外激发下的上转换发... 相似文献