镀膜锰铜计的压阻性能研究

 用磁控阴极等离子体溅射技术在云母基底上制作镀膜锰铜压阻计。5~56 GPa冲击应力的标定实验表明，该计的压阻性能稳定。压阻系数的拟合式为p(GPa)=-0.14+90.63(ΔR/R₀)+10.81(ΔR/R₀)²-7.64(ΔR/R₀)^3，式中R₀为锰铜计初始电阻，ΔR为受压时的电阻变化值。     

镀膜锰铜压阻计结晶问题研究

 用磁控溅射低温沉积镀膜技术制做锰铜薄膜,能够保持薄膜中锰、铜、镍成份的相对稳定和锰铜合金正六面三元固溶体金相结构的特性。但是,锰铜镀膜的结晶晶粒度与工业生产的锰铜合金还有较大差别,宏观物理量表现为：电阻率偏高,冲击压阻系数偏小。真空加热到673 K对锰铜镀膜进行热处理1 h,可以使晶粒尺寸平均增加约20%,电阻率减小一半,0～80 GPa冲击波加载动态标定实验显示：压阻系数增加到2.0～2.6 （10^-2 GPa^-1）,接近轧制薄箔锰铜计的水平。     

一种简便的压阻测压方法

 介绍了用直流电压源和锰铜压力计测量压力的一种方法。该方法的测量电路非常简单，便于匹配，与以往传统的脉冲电源供电的测量方法相比，不仅可省去触发系统，而且由于流过压力计的电流很小（约20 mA），所产生的派生磁场对样品和飞片的磁化作用减少了两个数量级以上。同时此法也是一种低成本的压力测量方法。     

阵列式薄膜锰铜计的动态压阻响应研究

 利用直流磁控溅射薄膜工艺制备阵列式薄膜锰铜压阻计,以氧化铝作为基片和绝缘封装材料。在结构上,4个具有相同阻值的薄膜锰铜计在同一氧化铝基片上呈对称分布。51.72 GPa压力下的动态加载实验表明,4个计的压阻一致性好,无高压旁路效应,验证了薄膜锰铜压阻计动态测试的准确性和可靠性。     

锰铜压力计的灵敏度

 文中根据K. Yosida对锰铜合金电阻率的理论，认为电阻率和下列各量成比例关系：ρ∝VDS/E_f，式中E_f是电子的费米能，V为导体体积，S为锰离子的自旋，D为交换积分函数。代入计算电阻的公式，求得ΔR/R=ΔD/D－ΔE_f/E_f+ΔS/S+2ΔV/(3V)，然后文中分别求出了上式中后边前三项和ΔV/V的关系，最后利用静力压缩曲线求得ΔR/R和流体静压力p的关系为：ΔR/R₀=2.41×10⁵×p (Pa)，流体动压力关系为：ΔR/R₀=2.8×10⁵×p (Pa)，和实验结果进行了比较，十分符合。     

多壁碳纳米管薄膜的压阻效应研究

对多壁碳纳米管薄膜的压阻效应进行了研究. 实验所用的多壁碳纳米管用热灯丝化学气相沉积法合成, 压阻效应用三点弯曲法测量. 研究发现: 在室温下与500微应变内, 原始的多壁碳纳米管薄膜无明显压阻效应, 而经化学修饰处理的碳纳米管膜的压阻因子最高可达120左右, 大大超过多晶硅(Si)在35°C时的压阻因子30, 并且压阻因子与制备方法密切相关. 重点讨论了多壁碳纳米管薄膜产生压阻效应的机制.     

名义成分为La1.0Ca2.0Mn2O7锰氧化物的压阻效应

 利用低温高压电阻原位测量装置（自箝铍青铜活塞-圆筒式压砧），在0~1.05 GPa静水压力范围内，对以层状钙钛矿结构为主相、名义成分为La_1.0Ca_2.0Mn₂O₇的锰氧化物样品进行了压阻效应研究。实验观测到异常的压阻效应。在低温5~150 K范围内，压力为0.55 GPa时，样品呈现出高达40%的压阻效应，而且，金属-绝缘体相变温度在低压范围内随压力的增加而增加，但随着压力的进一步增加而减小。     

掺杂稀土锰氧化物的巨磁电阻效应

介绍了掺杂稀土锰氧化物的巨磁电阻效应研究概况和最新进展，在综合目前实验和理论研究结果的基础上，对在掺杂稀土锰氧化物材料中引起巨磁电阻效应的物理机制进行了探讨，对这一材料的应用前景和需要做的工作进行了讨论。     

锰铜压力计在测量中的接地问题

 锰铜压力计是冲击波物理实验研究中重要的传感器之一。对锰铜压力计在冲击压力测量中的“接地”问题进行了分析和讨论。分析和实验表明,不正确的“接地”会给冲击压力测量带来较大的偏差,甚至得到畸变的测量结果。     

稀土掺杂锰氧化物庞磁电阻效应

过去十多年来,具有庞磁电阻效应的稀土掺杂锰氧化物成为了凝聚态物理研究的重要领域。锰氧化物的载流子自旋极化率高,且在居里温度附近表现出很大的磁电阻效应,因此在自旋电子学中有潜在的应用前景。另一方面,锰氧化物是典型的强关联电子体系,它对目前有关强关联体系的认识提出了很大挑战。本文综述了锰氧化物的各种性质及其物理原因。全文首先概述了锰氧化物的庞磁电阻效应及其晶格和电子结构,简单介绍了其他一些庞磁电阻材料;随后综述了锰氧化物的电荷/轨道有序相及其输运性质;在第四部分简单介绍了锰氧化物中庞磁电阻效应的机制;最后讨论了锰氧化物的一些可能的应用,如低场磁电阻效应、磁隧道结、磁p＿n结以及全钙钛矿的场效应管和自旋极化电子注入装置等。     

超导薄膜表面电阻测量新方法

本文报导一种测量高温超导薄膜微波表面电阻的新方法和测试装置.通过对加载两个不同蓝宝石的同一谐振腔进行测试,可以得到测试样品以外所有其它损耗对应的Q值.根据电磁场分布计算出谐振腔的结构参数G.用网络分析仪测量出谐振腔的无载Q值,便可计算出超导薄膜的微波表面电阻Rs.测量过程中既不会损伤超导薄膜样品,同时可以实现单片超导薄膜表面电阻的绝对测量,不需要校准件,测量简便可靠,精度高.     

利用结构光进行三维测量的新方法

提出一种利用三维图像实验三维标定的测量方法。用增行光投射光栅,使之产生一系列相互平行的光切面,这些光切面投射到物体表面之后,在物体表面形成一系列的光条。我们利用Ｈｅ－Ｎｅ激光器产生的激光实验ＣＣＤ测头的定位和光条的识别,从而实现编码。编码后的图像经过细化、边界提取等处理后可以进行接下来的计算工作。由于我们是利用一幅图像来提取三维信息,从推导提取等处理后可以进行接下来的计算工作。由于我们是利用一幅图     

改善半导体激光锁模质量的新方法——光谱补偿法

本文提出一种减弱二极管芯片子腔效应对半导体激光锁模影响的新方法——光谱补偿法。对其机理、实现补偿的条件及补偿效果进行了初步分析。     

光刻胶特性曲线参数测量的新方法

文中通过台阶实验的数据结合光刻胶光栅掩模的槽形,得到光刻胶特性参数,利用这些参数可以模拟出任一曝光量,任一显影时间,任一空频下,光栅掩模的槽形.为今后制作符合要求的光栅提供有力依据.     

一种确定干涉条纹中心的新方法

介绍一种用计算机处理光学条纹图的新方法即滤波后提取条纹中心的方法。该方法有效地去除了噪声，提高了图像处理的精度。     

光调制法测量光速的研究

采用光调制法测量光速,直接对光进行调制得到调幅波,采用差频技术测量高频信号的相差,根据相位变化测量波长,得出光速并分析了误差。提出了改进方法,明显减小了实验误差。