用非相干光时间延迟四波混频测量TiO_2超微粒子的扩散系数及载流子复合时间

本文报导了用非相干光时间延迟四波混频方法测得Ti_2O超微粒子的扩散系数和载流子复合时间分别为0.016cm~2/s和1.08ns.两个光栅衰减时间分别是1.07ns和0.56ns.讨论了引起两个光橱衰减时间不同的原因.     

激光诱导Ti等离子体光谱的时间演化特性研究

利用Nd:YAG激光器产生的1064 nm、10 ns脉冲激光聚焦在空气中的Ti靶,观测了激光诱导Ti等离子体发射光谱.调节激光能量为45 mJ/pulse,分析了时间范围在0到4000 ns的时间分辨发射光谱和谱线轮廓以及展宽.在局部热力学平衡(LTE)条件下,利用Saha-boltzmann图法拟合电子温度,Saha方程计算电子密度,讨论了等离子体电子温度和电子密度随时间的演化规律.结果表明,在所讨论的时间范围内,谱线的强度在延时250 ns处达到最大,250 ns后随着延迟时间的增加减小,电子密度和电子温度在延时1000 ns内快速衰减,1000 ns后衰减速度变慢.     

上海光源XAFS线站时间分辨X射线激发发光谱实验系统

介绍了上海光源XAFS线站（BL14W1）的时间分辨X射线激发发光光谱（TRXEOL）实验系统。该系统基于时间相关单光子计数法的原理设计,以同步辐射光源的脉冲特性及其良好的时间结构为基础,通过集成定时系统、光谱仪系统和核电子学系统,在国内同步辐射装置上首次实现了TRXEOL实验方法。定时系统提供同步触发电脉冲,用来标志X射线脉冲打到样品上的时刻,同步精度约6 ps,延时分辨率5 ps;光谱仪经光电探测器把样品发光信号转换成电脉冲,核电子学系统对定时电脉冲和发光电脉冲之间的时间差进行统计分析,可得到样品的发光衰减曲线,再结合光谱仪的扫描控制和数据获取系统,可得到样品的TRXEOL光谱。利用该实验系统可以测量发光样品的普通XEOL光谱、发光衰减曲线和TRXEOL光谱。用ZnO纳米线样品,进行了实验验证。实验得到的普通XEOL光谱能够明显区分该样品在390和500 nm处的两个发光中心;得到的发光衰减曲线能够区分小于2 ns的快发光过程和200 ns的慢发光过程;分别在0～1, 2～200和0～200 ns时间窗口内测量得到了ZnO纳米线样品的TRXEOL光谱,在这3个发光时间带内得到了对应的发光信息;ZnO纳米线样品发光衰减曲线快发光峰的半高宽约为0.5 ns,证明了TRXEOL系统的最小时间分辨率小于1 ns。该系统在国内同步辐射装置上提供了用于研究发光材料的TRXEOL实验方法,该方法与发光模式的XAFS方法相结合,可更深入的研究发光材料的发光行为。整个实验平台操作简便、工作稳定可靠,不仅为发光材料的研究提供了研究手段,还为进一步开展发光模式XAFS和TRXEOL成像等实验方法提供技术前提。     

一种改善直耦增强数码相机静态成像时间响应特性的方法

理论上分析了CIDC1816型直耦增强数码相机在采集静态图像过程中像增强器阴极电压衰减时间对电子光学系统横向位移的影响.实验证明了阴极电压衰减时间会对荧光屏亮度衰减时间产生影响.提出了利用电子开关的高速响应特性来减小阴极电压衰减时间,以改善该类型相机时间响应特性的方法.研究表明,当外界光照条件大于10-4 lx时,阴极电压衰减时间由80~130ms减小到50~60ns,电子光学系统的横向位移受阴极电压衰减特性的影响减小,荧光屏亮度衰减时间由12~26ms减小到了3~4ms.研究结果证明了该方法能够有效地减小像增强器阴极电压衰减时间和荧光屏亮度衰减时间,为提高该类型相机静态成像质量提供参考.     

Lu2Si2O7∶Ce晶体的闪烁性能

用提拉法生长了Lu2Si2O7∶Ce晶体,对该晶体的闪烁性能进行了研究。透射光谱表明,Lu2Si2O7∶Ce晶体的吸收边比Lu2SiO5∶Ce晶体向短波方向移动了25nm,使透光范围进一步拓宽。X射线发射光谱和UV激发发射光谱均具有典型的双峰特征,主峰在378nm。UV激发发射谱具有温度效应,即375K以上时,发光效率迅速降低;425K以上时,发光主峰位明显红移。衰减曲线符合单指数式衰减规律,常温下经UV激发后的衰减时间约为34ns。从曲线形态看,375K以下的衰减谱与室温下的几乎完全相同,拟合的结果在32.8～34ns之间;衰减时间的温度效应从375K开始显现,即随温度的升高,衰减时间有加速变短的趋势,到500K时缩短为6.72ns。热释光谱在488,553K处有两个热释光峰,但室温附近几乎观察不到热释光峰。     

具有空间重叠性和时间同步性的双波长TEA CO2激光器研究

提出了一种改进的双波长TEA CO2激光器,不仅具有良好的空间重叠性,而且具有比较理想的时间同步性.该激光器由两个空间上部分重叠的光栅和一个锗镜构成光栅-平面腔,两个光栅前后放置,相互利用,共同建立双频振荡,由锗镜输出双波长激光.通过改变两光栅的有效面积,对两输出脉冲空间重叠性进行调节;通过改变两光栅的角度形成的失谐缩小输出脉冲的时间间隔,达到时间同步性.实验表明,可以在空间重叠性的基础上使两输出脉冲的时间间隔由1 000 ns调整到200 ns.     

Yb:YAG晶体性能实验测量

为了测量脉冲时间宽度小于20 ns时的射线时间分辨图像,发展了新型无机闪烁体Yb:YAG,并实验测量了晶体的发光衰减时间、X射线激发发光光谱、相对发光效率和空间分辨等性能,研究了Yb:YAG晶体的发光性能。实验表明,Yb:YAG发光有三种衰减成分,快成分衰减常数为1.2 ns,慢成分衰减常数与射线种类有关;X射线激发发光光谱在250~800 nm范围,有三个发光峰,分别为320,380和500 nm,且320 nm处强度最大;相对发光效率为1900 ph/MeV;使用钨分辨卡测得Yb: YAG空间分辨能力为2 lp/m,使用刀口法测得空间调制传递函数为0.5时的频率为0.7 lp/mm。结果说明Yb:YAG晶体性能能够满足所需测量要求。     

Lu2Si2O7：Ce晶体的闪烁性能

用提拉法生长了Lu2Si2O7：Ce晶体，对该晶体的闪烁性能进行了研究。透射光谱表明，Lu2Si2O7：Ce晶体的吸收边比Lu2SiO5：Ce晶体向短波方向移动了25nm，使透光范围进一步拓宽。X射线发射光谱和UV激发发射光谱均具有典型的双峰特征，主峰在378nm。UV激发发射谱具有温度效应，即375K以上时，发光效率迅速降低；425K以上时，发光主峰位明显红移。衰减曲线符合单指数式衰减规律，常温下经UV激发后的衰减时间约为34ns。从曲线形态看，375K以下的衰减谱与室温下的几乎完全相同，拟合的结果在32．8～34ns之间；衰减时间的温度效应从375K开始显现，即随温度的升高，衰减时间有加速变短的趋势，到500K时缩短为6．72ns。热释光谱在488，553K处有两个热释光峰，但室温附近几乎观察不到热释光峰。     

等离子体破裂期间电流猝灭特征研究

等离子体破裂会对托卡马克装置的安全运行造成严重威胁.等离子体破裂期间电流猝灭速率与电磁负载的大小及逃逸电流平台的形成都密切相关.本文对HL-2A装置等离子体破裂进行了统计分析,统计选用等离子电流的两个衰减区间90%-10%和80%-20%.分析结果表明:HL-2A装置等离子体破裂有四种不同的电流猝灭波形,两个衰减区间最小电流猝灭时间的参数区分别为2.6 ms和2.2 ms,并且不同衰减区间下平均电流猝灭时间统计分布明显不同.     

聚乙烯基咔唑与8-羟基喹啉铝混合体系的荧光衰减

报道了8－羟基喹啉铝和聚乙烯基咔唑薄膜及其混合体系膜的荧光衰减特性。聚乙烯基咔唑／8－羟基喹啉铝重量比100：4的混合膜在波长540nm和460nm处的荧光衰减时间分别为6．47ns和8．5ns。重量比100：10混合膜在波长540nm和460nm处的荧光衰减时间分别为5．5ns和7．9ns。上述两波长对应8－羟基喹啉铝和聚乙烯基咔唑分子荧光发射。混合体系的荧光寿命仅为8－羟基喹啉铝分子荧光的40％，同时也低于聚乙烯基咔唑14ns的荧光寿命。荧光寿命的减少反映出两种分子之间存在较强的相互作用或形成了分子复合体。     

Desorption kinetics and surface diffusion of potassium,rubidium and cesium on a silicon(111)7 × 7-surface

Using pulsed atomic beam technique and a surface ionization ion microscope, the desorption kinetics and the surface diffusion of the alkalis potassium, rubidium and cesium were investigated on a Si(111)7 × 7-surface at extremely low alkali coverages. In the temperature range 1120 … 800 K, the mean adsorption lifetime τ(T) = τ₀ · exp(E_desⁱ/kT) and the mean diffusion length x(T) - defined in the equilibrium between adsorption, diffusion and desorption - were measured. From these data the diffusion constant D(T) = D₀ · exp(-E_diff/kT) was obtained as D = x^?2/τ. For temperatures T ? 750 K, the diffusion constant was calculated from nonstationary alkali concentration profiles using the Boltzmann-Matano method. From the temperature dependence of these quantities the parameters of desorption (E_des,ⁱ τ₀) and surface diffusion (E_diff, D₀) for K, Rb and Cs on Si(111) were obtained. The values of E_diff and D₀ are comparably high and may be interpreted by non-localized diffusion according to a model proposed by Bonzel (Surf. Sci. 21 (1970) 45).     

Biexponential intersubband relaxation in n-modulation-doped quantum-well structures

Intersubband scattering in an n-modulation-doped GaAs/Al_0.31Ga_0.69As quantum-well structure is systematically investigated as a function of temperature and pump intensity. For the first time biexponential relaxation is observed during infrared bleaching experiments. The fast component with a time constant of ∼1 ps, which represents the depopulation of the first excited well subband, is found to dominate the signal more and more with decreasing temperature and pump intensity. The decay time of the slower component rises with decreasing temperature from τ₂=8 ps atT=300 K to τ₂=23 ps atT=10 K. This component is believed to be connected with a carrier transfer to the potential minima in the barrier layers. The intensity dependent excitation mechanism and the relaxation processes are discussed with the help of detailed numerical simulations.     

用双光源相位共轭型非相干光时间延迟简并四波混频测量超快速过程

本文提出用双光源相位共轭型非相干光时间延迟简并四波混频测量失相时间和布居弛豫时间的理论,并对其应用进行了讨论.     

Radiative recombination of free excitons in GaAs quantum wells

We have measured the radiative lifetime of excitons in GaAs quantum wells under resonant excitation at 10 K using time resolved luminescence spectroscopy with 6 ps time resolution. The luminescence decay has two components: a fast one with a time constant τ₁ (∼ 17 - 40 ps) and a slow one with a time constant τ₂ (∼ 80 - 300 ps). τ₂ is the lifetime of thermalised excitens at 10 K. τ₁ is due to two mechanisms in parallel: the radiative recombination of excitons with k_u < K₀ and the scattering by acoustical phonens into non radiative exciton states (k_u > k₀ and J = 2). The variation with temperature of τ₁ gives the lifetime of the excitons at k = 0, τ₀, which varies between 20 and 50 ps depending on the sample.     

双色噪声驱动非对称双稳系统平均第一穿越时间研究

利用统一色噪声近似理论,研究乘性色噪声和加性色噪声驱动的非对称双稳系统中,势阱的非对称性和噪声对系统两个方向的平均第一穿越时间T₊（x_s1→x_s2）和T_-（x_s2→x_s1）的影响（x_s1和x_s2是双稳系统的两个稳定点）.数值结果表明：T₊（x_s1→x_s2）随乘性噪声的自关联时间τ₁以及加性噪声的自关联时间τ₂的增大而减小.T_-（x_s2→x_s1）随乘性噪声的自关联时间τ₁以及加性噪声的自关联时间τ₂的增大而增大.在曲线（T₊（x_s1→x_s2）,λ）和（T_-（x_s2→x_s1）,λ）上都存在单峰.T₊（x_s1→x_s2）随非对称系数r的增大而增大,T_-（x_s2→x_s1）随非对称系数r的增大而减小. 关键词： 统一色噪声近似 平均第一穿越时间 加性色噪声 乘性色噪声     

Possible evidence for the relaxation case in CdS

Possible evidence for the effects characteristic of the relaxation case (in which the dielectric relaxation time τ_d=ε? exceeds the minority carrier diffusion length life time τ₀) was observed by photoconductivity experiment in InCdSIn structure. A deviation from linearity in the relationship between conductivity (σ - σ₀) and light intensity (I) is consistent with an analysis based on the theory of relaxation case semiconductor.     

Influence of quantum resonance-percolation trajectories in a disordered I layer on the critical current of a Josephson S-I-S junction

Formulas for a critical current and the magnitude of its mesoscopic structural fluctuations are obtained in the form of sums over quantum resonance-percolation trajectories [1] randomly formed in a disordered I layer and connecting opposite S banks of the junction at T = 0 in the energy region of tunnel S-I-S resonances (S denotes the superconductor, I, insulator) for a tunnel junction with weak structural disorders (low impurity concentrations) in the I layer.     

GD a-Si:H主光致发光带的时间分辨研究

本文研究了低温淀积(例如T:<150℃)的GD a-Si:H在77K的时间分辨光致发光谱和荧光衰退。光致发光谱显示非对称形,荧光衰退显示出最初的快衰退,较长时间后为慢衰退。在快衰退范围内可用两个时间常数逐点分析时间分辨光谱,把主发光带分解为两个近似高斯形的发光带,对于Ts=127℃的薄膜,两发光带峰值位置在t=0时分别为1.73和1.58eV。快衰退两带的时间常数分别为10和23ns。文中还初步讨论了这两个发光带的起因。