PbS半导体超微粒子的量子尺寸效应和光学性质

本文研究了PbS半导体超微粒子的量子尺寸效应和光学性质以及它们周围介电环境对其光学性质的影响,发现表面修饰有效地减少粒子表面缺陷,增加它们的发光强度。利用紧束缚模型,讨论了实验结果。     

Cu2O半导体超微粒子的光学性质

本文研究了表面修饰的Cu2O半导体超微粒子的光学性质.在Cu2O超微粒子中未观察到显著的量子尺寸效应,但测量到很强的宽带光致发光,且随着激发波长变短,其发光带的峰位蓝移,发光带宽度增加.最后,分析了Cu2O超微粒子的宽带发光机制,并讨论了热处理对超微粒子的发光强度的影响.     

CdS半导体超微粒子的光学性质

本文研究了水溶胶中的CdS半导体超微粒子和有机溶胶中的粒子表面被有机分子化学修饰的CdS超微粒子的光学性质.我们观察到,当粒子尺寸小于5nm时,CdS超微粒子表现出明显的尺寸量子化效应,并指出CdS超微粒子的表面修饰,增强了它们的发光强度,显著地影响了它们的光学性质。     

表面修饰的TiO2半导体超微粒子的光学性质

本文研究了表面修饰的TiO2半导体超微粒子的光学性质,指出TiO2半导体超微粒子表面与其表面修饰的有机分子之间的强化学健作用,明显地改变了半导体超微粒子的光学性质,在其带隙间形成了新的表面态能级(2.22eV).     

镶嵌于基质中的金属超微粒子特性研究(Ⅰ)——超微粒子的量子阱点模型

提出超微粒子(UFP)的量子阱点模型。模型假定UFP的主要特性由其非定域电子(简称电子)决定,电子被束缚在三维有限深势阱内。电子的行为由二部分组成:单电子的和集体化的。电子能谱主要由单电子行为决定。模型反映了UFP的一些重要特性,例如块体材料逸出功,UFP原子半径和第一电离能,而忽略UFP更精细的结构。这种近似被证明是合理的。一系列有用的公式和预言被导出。(1)主要的UFP特性,量子尺寸效应和电子能谱的壳层结构。(2)UFP的逸出功和费密能级公式,这对于其他模型是困难的。导出的UFP逸出功随尺寸变化的公式 关键词：     

超微粒子—半导体薄膜材料的结构和特性

超微粒子是指十分之一微米以下的粒子.如果由2-200个原子组成的粒子,则可称为原子团.超微粒子和原子团具有不同于原子物理也不同于固体物理所描述的结构和特性,属于非平衡态体系,是材料领域内的重要的研究课题.如肥超微粒子与半导体相结合,则可使半导体起到降低超微粒子的界面位垒的作用,而保持超微粒子某些独特性能,因而使此种材料具有光电信息材料的许多特性,例如高的光吸收系数,较高的光电量子产额,极快的光电响应速率等,它可用于超短光脉冲检测,可实现大功率超短光脉冲到电脉冲的转换,实现高效率的光电转换等.因此,它可能对光计算机、太…     

超微粒子物理

本文总结了近期来超微粒子技术和物理的发展概况．描述了量子尺寸效应对超微粒子体系的物理特性的影响，并简明地叙述了超微粒子的制造技术、超微粒子结构、晶格动力学的特点以及超微粒子的各种物理特性．     

金属超微粒子-半导体薄膜的光学瞬态响应

利用飞秒脉冲激光和泵浦 探测技术测量了金属超微粒子 半导体复合薄膜Ａｇ-ＢａＯ的瞬态光学透过率随延迟时间的变化曲线，观察到了薄膜对光的吸收漂白现象，并在不到２ｐｓ时间内恢复．该现象是薄膜中金属超微粒子内费密能级附近电子被飞秒激光脉冲激发，产生非平衡电子而经历瞬态弛豫造成的．弛豫主要包括非平衡电子越过超微粒子和周围介质的界面位垒进入周围介质，以及非平衡电子同晶格和界面的散射两种过程．超微粒子粒径的差别会引起非平衡电子弛豫时间的差别 关键词：     

半导体纳米材料非线性光学性质的研究进展

半导体纳米材料由于具有重要的理论研究意义和潜在的巨大应用前景而成为当今理论和材料研究的特点，该文综述了半导体纳米材料非线性光学性质的研究进展。     

镍超细微颗粒的磁性

本文报道了镍超细微颗粒的磁性,比饱和磁化强度随颗粒尺寸减小而降低,当颗粒尺寸小于15nm时将会呈现剧烈地下降,此时矫顽力H_c亦将趋近于零,有效磁各向异性常数估算为K=-5.8×10⁵erg/cm³,远大于块状镍的数值,反磁化机制可用球键模型描述,对平均直径为9nm的样品,居里温度T_c值明显地低于块状镍的数值,这可能与点阵收缩有关。     

红光InAlAs量子点的结构和光学性质

利用ＭＢＥ方法在（００１）衬底上成功地生长密度大、尺寸小、发红光的ＩｎＡｌＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子点结构。通过原子力显微镜观察表明,ＩｎＡｌＡｓ量子的密度和大小都随覆盖厚度的增加而增大;发现Ａｌ原子的表面迁移率决定ＩｎＡｌＡｓ量子点的形貌,光荧光谱证实了量子点的发光峰值在红光范围,并结合形貌的统计得到了量子点的发光峰展宽主要昌受量子点的横向尺寸影响。     

注入Si中的稀土离子Er3+的光学特性

用离子注入方法,将稀土离子Er3+注入到n-Si单晶中,通过对其低温(77K)光致发光光谱的测量,研究其光学特性.结果表明,注入剂量控制在1×1012cm-2～1×1015cm-2范围,退火温度控制在900℃～1100℃时,样品的主要发光峰值位于1.54μm左右.研究了样品的光致发光光谱随注入剂量、退火温度的变化关系,给出峰值在1.54μm附近的未分辨开的谱线的半宽为16.4meV.     

半导体PbS纳米微粒的三阶非线性光学特性

用Z扫描技术,以锁模Nd:YAG激光器发出的脉宽为50ps激光作光源,在530nm和1060nm波长光作用下,研究了半导体PbS纳米微粒的非线性光学特性.结果发现在530nm激光作用下,样品有饱和吸收现象,而在1060nm激光作用下,双光子吸收出现,同时还研究了PbS纳米微粒对这两种光的限幅特性 关键词：     

退火及铟含量对InGaAs量子点光学特性的影响

研究了退火条件和 Ｉｎ 组份对分子束外延生长的 Ｉｎ Ｇａ Ａｓ 量子点（分别以 Ｇａ Ａｓ或 Ａｌ Ｇａ Ａｓ 为基体）光学特性的影响。表明：量子点中 Ｉｎ 含量的增加将导致载流子的定域能增加和基态与激发态之间的能量间隔增大。采用垂直耦合的量子点及宽能带的 Ａｌ Ｇａ Ａｓ 基体可增强材料的热稳定性。以 Ａｌ Ｇａ Ａｓ 为基体的 Ｉｎ Ｇａ Ａｓ 量子点,高温后退火工艺 （ Ｔ＝ ８３０℃）可改善低温生长的 Ａｌ Ｇａ Ａｓ 层的质量,从而改善量子点激光器材料的质量。