粗糙界面对Bi2Te3/PbTe超晶格热电优值影响的理论分析

以Bi₂Te₃/PbTe超晶格薄膜为例,分析电子在Bi₂Te₃量子阱中的输运过程,综合了薄膜的经典散射效应和理想量子效应,并以此混合效应为基础,在PbTe障碍层厚度一定时,模拟计算了两种混合效应中量子效应占不同比例时,Bi₂Te₃/PbTe超晶格热电优值的变化.在镜面反射占混合效应的0.3时,得到的热电优值与当前报道的量子阱超晶格的实验值接近. 关键词： 超晶格 粗糙界面 热电优值     

电子碰撞Ga,As, Pt,W和Au原子Lα X射线产生截面的理论计算

利用修改后的MBELL模型,研究了L壳层的相对论效应和离子效应对快电子碰撞电离Lα X射线产生截面的影响.通过在BELL模型中引入相对论效应和离子效应,基于相对论性的L壳层的电子碰撞电离截面的理论,计算了Ga,As,Pt,W和Au的L壳层电子碰撞电离截面,并将其转化成Lα X射线产生截面,计算结果表明考虑到相对论效应和离子效应后,修改后的MBELL的Lα X射线产生截面结果明显优于BELL的计算结果,并和最近的文献实验数值 关键词： 快电子 Lα射线')" href="#">Lα射线 电离截面 相对论效应     

稠苯芳杂环及其烷基质子化学位移的计算

本文提出了予测稠苯芳杂环及其烷基链上质子化学位移的计算方法。 将稠苯芳杂环化合物用凯库勒式表示,计算式为为需考虑的苯环内的乙烯基效应。σ_mi,ci为各苯环的环流效应。σ_1,Hc为各芳杂环的屏蔽效应,对杂环上质子它就是该单独芳杂环上相应质子的δ值,对苯环上质子要将它分解为各结构因素的效应,即:σ_1,He=(1/2)^d-1δ_x=y(或σ_z)+σ_c-c·σ_m,H. σ_x-y与σ_z为杂原子或其基团的屏蔽效应,σ_c=c为存在于芳杂环中的乙烯基的效应,σ_m,Hc为芳杂环的环流效应,d为对不同质子所考虑的键数。有取代基时需考虑取代基的效应。计算环上烷基质子的公式为:δ=σ_p,CH3+ασ_c,CH3+βσ_t,CH3+σ_l,G σ_l,G为稠苯芳杂环基的某级效应。     

(1-x)PMN-xPT铁电致冷陶瓷的研究

概括介绍了铁电致冷基本原理，给出了三种电生热效应，即线性电生热效应、二次电生热效应和电场诱导一级相变型电生热效应的表达式，测量了(1-x)Pb(Mg_1/3 Nb_2/3 )O₃-xPbTiO₃［简记为(1-x)PMN-xPT］，当x=0.08, 0.10和0.25时在室温附近的电生热性能，分析了其电生热效应的起源.研究结果表明，(1-x)PMN-xPT铁电固溶体陶瓷在室温附近具有较大的电生热效应；该效应起源于电场诱导一级相变型电生热效应和线性电生热效应；该系列陶瓷可望用于室温附近多级铁电致冷. 关键词：     

稠苯芳环及其烷基质子化学位移的计算

本文提出了予测稠苯芳烃及其衍生物的环上和烷基链上质子化学位移的计算方法。 将稠苯芳环化合物用凯库勒式表示,用下式计算: δ=σ_j.c-c+σ_mi.ci σ_j.c-c为各种乙烯基的效应。σ_mi.ci,为各个苯环的六电子π轨道的净环流效应,其计算式为: σ_m.e=(1/2)^m×1,52 m=n-u m为净环流效应级数,等于质子到该苯环相隔的键数n减其中的顺式键数u。 在菲环和类似菲环的4,5位与9,10位质子需考虑菲环效应。蒄环上的质子需考虑蒄环效应。有取代基需考虑取代基的效应。 计算环上烷基质子的公式: δ=σ_p.CH3+ασ_2.CH3+βσ_t.CH3+σ_i.G 此公式在作者以前的文章中己经报道。σ_i,G为稠苯芳基的某级效应。     

一类q变形广义相干叠加态的量子统计性质

研究了一类q变形广义相干态叠加态|ψ>=a|β>+be^iφ|βe^iδ>的量子统计性质，结果表明此种叠加态普遍存在压缩效应和光子反群聚效应.相干态间的位相差，叠加系数的位相差和广义相干态之间内积的幅值和位相的变化对迭加态的压缩效应和反群聚效应起着重要的作用. 关键词： q变形')" href="#">q变形 广义相干态 压缩效应 反群聚效应     

原子核的有限体积效应对高离化态离子能级和波函数的影响

在相对论理论框架下,分别在点电荷和两参数Fermi核模型近似下计算了高离化态类氢离子（Z=80—112）n=1—3壳层的波函数和能级. 分析了核有限体积效应对它们的影响. 在此基础上,给出了核有限体积效应对原子能级的修正公式. 同时,还进一步讨论了相对论效应和核有限体积效应之间的相互影响,发现对高Z元素相对论效应与核有限体积效应之间有很强的耦合. 关键词： 原子核有限体积效应 高离化态离子 相对论效应     

激光共振电离过程中铅同位素歧视效应研究

以速率方程为基础,通过数值模拟方法,对Pb的激光共振电离通道：“6s26p2 3P0—6s26p7s 3P0₁—电离”的激光诱导同位素歧视效应进行了研究,以探讨减小激光诱导歧视效应,准确测定Pb同位素比值的有效途径。通过考虑激光线型、原子吸收谱线线型、同位素位移及同位素超精细结构等因素的影响,对速率方程进行近似。在近似的速率方程基础上,以“1+1”激光共振电离过程为例,进而探讨激光峰值功率密度、带宽和中心波长对Pb的同位素歧视效应的影响。研究结果表明,利用最佳波长法,可基本消除同位素歧视效应的影响;提高激发光光强可使Pb同位素饱和电离,从而消除同位素歧视效应的影响;采用宽带激光激发,可减小同位素歧视效应的影响。     

非晶CoFeNiNbSiB合金的巨磁阻抗效应

研究了非晶Co₇₀Fe_4.5Ni₄Nb₁Si_12.5B₈合金薄带的巨磁阻抗效应.实验表明,在一定频率范围内提高测试频率,磁阻抗效应有明显提高;适当温度的退火也有助于磁阻抗效应的提高.制备态非晶合金样品在频率为5MHz下达120%左右,经过退火处理的非晶样品5MHz下的效应可达400%左右. 关键词：     

用脉冲激光方法在Si(100)上沉积的Cox-C1-x颗粒膜及其磁电阻效 应

利用脉冲激光沉积方法在Si(100)上制备了Co_x-C_1-x颗粒膜，并研 究了其正磁电阻 效应.实验结果表明，样品在室温下的正磁电阻效应要远远高于低温下的正磁电阻效应；Co _0.02-C_0.98样品具有最大的室温正磁电阻效应，在外加磁场B=1T时 ，其磁电阻 率MR=22%；随着Co含量的增加，Co_x-C_1-x颗粒膜的正磁电阻效应呈 减小趋势.样品 的MR-B的曲线与传统的多 关键词： 正磁电阻效应 x-C_1-x颗粒膜')" href="#">Co_x-C_1-x颗粒膜 脉冲激光沉积     

典型时空中的运动效应和宇观红移现象

本文从相对性原理和局部光速不变性出发,建立了典型时空D_λ(1,4)的模型,讨论了其中的运动效应,计算了光谱线的频移,并在均匀分布的假定下与类星体N-Z关系的观测资料进行了比较。结果表明,河外天体的大红移可能主要不是由多普勒效应引起的,而在相当大程度上是典型时空中的距离效应。这样,运动群为SO(3,2)的模型D_λ<0(1,4)就可能是宇观时空较好的模写。     

钛酸锶钡的铁电相变与晶胞体积的关联

考察了Ba_μSr_1-μTiO₃(BST)的T_C对晶格 参数γ的依赖关系.并对BST的依赖关系与BaTiO₃和SrTiO₃的相应依 赖关系进行了比较.得到了一个观点：BST的T_C的变化可归因于晶胞体积效应.还 从体积效应的观点对BST相变的弥散性和级进行了讨论.BST的晶胞体积效应可归因于BST中Ba 和Sr的离子化现象. 关键词： 铁电性 钛酸锶钡 晶胞体积效应     

杂质对两能带超导体性质的影响

本文中用一个简单的两能带模型讨论了费米面复连通性对超导体性质的影响。计算表明,它的效应与各向异性类似。利用Абрикосов和Горъков所发展的格林函数方法讨论了杂质散射的影响。有杂质时只有一个能隙,且大于纯超导体两个能隙中较小的一个。加杂后转变温度,临界磁场及其在T=0°K附近的温度系数下降,但转变点比热跳跃的相对值增加。低掺杂时在实验中同时测量这些量的变化可以定量地检验理论计算。高掺杂两能带超导体的性质与单能带情形完全相同。此外,利用本文的结果讨论了Pb膜的隧道效应实验和In-Sn,In-Pb系统中的转变温度反常。     

热处理对鑥铁氧体和锰铁氧体单晶铁磁共振的影响

本文观察了不同的热处理对于石榴石型的镥铁氧体(Lu₃Fe₅O₁₂)和尖晶石型的锰铁氧体(MnFe₂O₄)单晶的铁磁共振的影响。两次热处理分别为在700℃空气中加热1小时,和在700℃氧气中加热10小时,发现这样的热处理对K₁/M_s和g-因子无显著的影响,但却使共振线宽△H的各向异性显著减小,热处理对镥铁氧体的△H影响较小,但却使锰铁氧体的△H每经一次热处理后都成倍地增长。讨论了△H随热处理变化的原因,并由X射线衍射照相证实了锰铁氧体样品在热处理后有少量α-Fe₂O₃的脱溶。     

随机磁场中的双极电场与双极扩散

等离子体中存在随机场输运时,必然会导致双极电场。本文给出了存在电场时,粒子在随机场中的转移几率,由此可计算输运流、双极电场等。算出的双极电场与碰撞的关系是不灵敏的((|e|E)/T_e=-A1/n_e(dn_e)/(dx),A与碰撞有关,但A～1)。并指出,此双极电场可作为判断随机场是否重要的必要条件(但非充分条件)。在随机场双极扩散中,杂质流速大于氢离子流速(V_I/V_i≈(m_i/     

“磁通浓缩器”无浓缩磁通作用

本文通过解麦克斯韦方程给出了把“浓缩体”插入初级线圈前后的磁场分布。方程的解表明,如果在“浓缩体”插入前后,保持初级线圈中的电流不变,则二者在中空区产生的磁场不变;如果供应M者的能量不变(即C,V固定),则插入“浓缩体”前后场值之比B/B₀∝(R₀)^1/2,但这完全是由于磁场的再分布引起的。这时中空区的总磁通减小,磁通并不守恒,不存在使磁通浓缩的问题,因而用它产生高强脉冲磁场存在着原理性错误。本文指出了把“浓缩器”看作脉冲变压器的错误所在。理论计算还表明用端面为截头圆锥形装置能产生较高场是结构效应所致。 关键词：     

晶格振动对激子运动的影响

在本文中用Haga研究极化子时提出的微扰法讨论晶格振动对激子运动的影响。把作者过去的工作推广到电子和空穴质量不相等的普遍情形。在忽略反冲效应中不同波矢的声子之间的相互作用时,导出了激子的基态能量、有效质量、约化质量和内部势能。指出:激子的有效质量和电子、空穴与声子的相互作用有关;激子的约化质量不仅和电子、空穴与声子的相互作用有关,而且还和电子空穴质量比有关;激子形成自陷态的条件并非由电子、空穴与声子相互作用的大小,而是由电子、空穴质量比决定。形成激子自陷的条件是电子、空穴质量比0.261<μ_e/μ_h<3.83。在μ_e/μ_h<0.261或μ_e/μ_h>3.83的情形,激子极化晶体中并不形成自陷态。 关键词：     

THE EFFECT OF DIFFERENT KINDS OF NOISE ON THE QUALITY OF SLEEP UNDER THE CONTROLLED CONDITIONS

Many laboratory and field studies of the effect of noise on sleep have been performed where subjects sleep whole nights. It was suggested from our former studies that the most serious effect of noise on sleep is disturbance in falling asleep and that people have to make efforts to try to sleep in noisy situations. In this study, the effort to fall asleep was used as an index of sleep and the effect of various physical properties of sounds was examined. Subjects were asked to try to sleep listening to sounds presented with a mini-disk and they were allowed to switch off the sound after 1 h if they could not sleep. The results suggest that (1) whether subjects can sleep within 1 h after they start to try to sleep is a good index of the effect of noise on sleep and that L_Aeqis a good index of the effect of noise on sleep except for the sounds which have meanings such as songs and people's talk.     

对角无序对局域电子配对系统的上临界磁场的影响

本文应用平均场近似讨论了对角无序对局域电子配对系统的上临界磁场的影响。得到对角无序显著改变了上临界磁场的温度特性。我们把计算得到的上临界磁场和重费密子系统CeCu₂Si₂和UPt₃的反常的H_(c2)作了比较,发现所研究系统的H_(c2)可以具有与之类似的温度特性。 关键词：     

第I种非对称两态叠加多模叠加态光场的任意不等阶Y压缩

利用多模压缩态理论研究了第种非对称两态叠加多模叠加态光场|Ψ_Iab〉_q的任意不等阶N_j次方Y压缩特性.结果发现:对于任意压缩阶数N_j,态|Ψ_Iab〉_q在一定条件下总可呈现出任意不等阶N_j次方Y混合压缩效应,但在某一压缩阶数区域内并不一定呈现压缩效应;压缩阶数N_j满足特定条件(N_mj=4_mj;4_mj+1;4_mj+2;4_mj+3,其中j=1,2,3,…,…q)时的不等阶N_j次方Y压缩效应仅仅是本文的理论结果在N_j在某一特定条件下的特例.