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制备了Bi7Ti4NbO21,Bi4Ti3O12及Nb掺杂Bi4Ti3O12(Nb-Bi4Ti3O12)层状结构铁电陶瓷材料.结合Nb-Bi4Ti3O12的介电温谱和退极化实验结果,研究了Bi7Ti4NbO21的晶体结构对其介电、压电性能的影响.高分辨透射电镜结果表明,在Bi7Ti4NbO21中,沿着c轴方向,(Bi2Ti3O10)^2-和(BiTiNbO7)^2-。两个类钙钛矿层分别与(Bi2O2)^2 层叠加堆积而成.这种晶体结构决定了Bi7Ti4NbO21的介电温谱在668℃和845℃出现介电双峰.结合极化样品的退化实验分析,说明材料在这两个温度附近发生了铁电一铁电相变、铁电一顺电相变,分别是(Bi2Ti3O10)^2-和(BiTiNbO7)^2-层状结构发生微观结构相变的结果.在退极化过程中,由于受热时钙钛矿层内空位引起的缺陷偶极子的定向排列受到破坏,引起材料部分退极化,表现为300℃热处理后Bi7Ti4NbO21的压电活性降低了10%,显示了室温下材料的压电性能来源于自发极化的固有电偶极子和缺陷偶极子的共同贡献. 相似文献
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利用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了Nd掺杂Bi4Ti3O12(Bi4-xNdxTi3O12, x=0.00,0.30,0.45,0.75,0.85,1.00,1.50)铁电薄膜样品.研究了Nd掺杂对Bi4Ti3O12薄膜的微结构和铁电性能的影响.研究结果表明:Nd掺杂未改变Bi4Ti3O12薄膜的基本晶体结构.在掺杂量x<0.45时,Nd3+只取代类钙钛矿层中的A位Bi3+.当x=0.45时,样品剩余极化强度达最大值,在270kV·cm-1的电场下为32.7μC·cm-2.掺杂量进一步增加时,结构无序度开始明显增大,Nd3+开始进入(Bi2O2)2+层,削弱其绝缘层和空间电荷库的作用,导致材料剩余极化逐渐下降.当掺杂量x达到1.50时,掺杂离子最终破坏(Bi2O2)2+层的结构,材料发生铁电-顺电相变. 相似文献
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本文研究了在真空、空气和氧气中烧结制备的三种 CaCu3Ti4O12陶瓷材料的介电特性. 交流阻抗测量结果表明在10—300 K温度范围, 三种样品的介电温谱中均出现三个平台, 其电阻实部和电容虚部在相应温度出现损耗峰, 真空条件烧结的样品具有较高的介电平台和较明显的电阻实部与电容虚部峰值, 表明氧含量和氧空位对CaCu3Ti4O12的介电性质具有重要影响, 介电温谱出现的三个平台分别源于晶粒、晶界及氧空位陷阱.温谱分析表明晶粒的激活能与烧结气氛有较大关系,氧空位引起的电子短程跳跃及跳跃产生的极化子是晶粒电导和电容的主要起源.氧空位陷阱的激活能基本与烧结气氛无关,约为0.46 eV. 氧空位对载流子的陷阱作用是CaCu3Ti4O12 低频高介电常数的重要起源. 相似文献
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用密度泛函理论和非谐振子模型计算了晶体HgGa2S4和Hg0.5Cd0.5Ga2S4的能带结构、态密度、化学成键及线性、非线性光学性质。结果表明:HgGa2S4的价带顶部主要是Ga-S成键态的贡献,导带底部主要是Ga-S反键态的贡献; Hg0.5Cd0.5Ga2S4的价带顶部主要由S-3p轨道组成,导带底部主要是Ga-S反键态的贡献。布居分析表明Ga-S键主要是共价成分,而Hg-S和Cd-S键主要是离子成分。HgGa2S4的折射率计算值与实验值在低能量区很好吻合。另外,HgGa2S4的能隙计算值比Hg0.5Cd0.5Ga2S4小,而二阶非线性极化率比Hg0.5Cd0.5Ga2S4大。 相似文献
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采用了传统的固相烧结工艺,制备了不同Zr和Hf掺杂量的SrBi4Ti4-xZrxO15(x=000,003, 006,010,020)和SrBi4Ti4-xHfxO15(x=000,0005, 0015,0030,0060)的陶瓷
关键词:
4Ti4-xZrxO15')" href="#">SrBi4Ti4-xZrxO15
4Ti4-xHfxO15')" href="#">SrBi4Ti4-xHfxO15
铁电性能
介电性能 相似文献
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利用高温固相反应法分别合成了不同物相形成机理的Sr2CeO4,Sr 2CeO4∶Ca 2+和Sr2CeO4∶Ba2+样品,并对其光谱特性进行 了研究.结果发现,对于由SrO和CeO2直接反应生成的Sr2CeO4(Ⅰ),激发主峰位于256nm 左右;而对于SrCeO3和SrO反应生成的Sr2CeO4(Ⅱ),激发主峰位于279nm左右.在Sr2CeO4(Ⅰ)中掺入Ca2+,其激发光谱随着Ca2+离子浓度的增加逐渐接近于Sr2CeO4 sub>(Ⅱ)的激发光谱.激发主峰带应属于CeO6八面体终端Ce4+—O2-键的电荷迁移 带.对于激发光谱中340nm左右的弱激发峰,其峰值波长不受形成机理及Ca2+掺杂的影响,只是其强度 随着 激发主峰的红移而增加,它可能属于CeO6八面体平面上Ce4+—O2-键的电荷 迁移带.形成机理及Ca2+掺杂对发射光谱没有影响.Ca2+在Sr 2CeO 4(Ⅱ)与Ba2+在Sr2CeO4(Ⅰ)和(Ⅱ)中均难 于替代Sr2+的位置. 相似文献
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利用Sol-Gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出Bi4Ti3O12和Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜,研究了La掺杂对Bi4Ti3O12薄膜的晶体结构、铁电性能和疲劳特性的影响,发现La掺杂没有改变Bi4Ti3O12薄膜的基本晶体结构,并且提高了Bi4Ti3O12铁电薄膜的剩余极化值和抗疲劳性能,对La掺杂改善Bi4Ti3O12铁电薄膜性能的机理进行了讨论.
关键词:
铁电性能
4Ti3O12薄膜')" href="#">Bi4Ti3O12薄膜
3.25La0.75Ti3O12薄膜')" href="#">Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜
sol-gel法
La掺杂 相似文献
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用传统的固相烧结工艺,制备了钼掺杂铁电陶瓷样品SrBi4Ti4O15(SBTi)铁电陶瓷SrBi4-2x/3Ti4-xMoxO15(x=0.00,0.003,0.012,0.03,0.06,0.09).X射线衍射的结果表明,样品均为单一的层状钙钛矿结构相,Mo掺杂未改变SBTi的晶体结构.通过扫描电子显微镜观测发现,样品晶粒为片状,随掺杂量的增加,晶粒逐
关键词:
4Ti4O15')" href="#">SrBi4Ti4O15
Mo掺杂
剩余极化
居里温度 相似文献
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利用传统的固相反应工艺,在不同的烧结温度下制备了一系列的CaCu3Ti4O12陶瓷样品,考察了其微观结构以及介电和复阻抗方面的电学性质.研究发现这些样品在微观结构方面可分为三种类型,高介电性与微观结构有着密切的关联性.室温下,样品的低频介电常数随陶瓷晶粒尺寸的增大而提高.随着测试温度的升高,不同微观结构类型的样品呈现出不同的电学性质的变化,但其中也存在着一些相同的特征.高温下,介电频谱呈现出一个低频介电响应和两个类Debye型弛豫色散,复阻抗谱呈现出三个Cole-Cole半圆弧.将实验上观测到的电学性质的起因归于陶瓷多晶微结构中的晶畴、晶界和晶粒内的缺陷.
关键词:
3Ti4O12')" href="#">CaCu3Ti4O12
微观结构
电学性质 相似文献
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在溶胶-凝胶工艺获得高质量Bi4Ti3O12薄膜的基础上 ,制备了Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管. 研 究了Si基Bi4Ti3O12薄膜的生长特性及其对铁电薄膜/ 硅的界面状态和铁电场效应晶体管存储特性的影响. 研究表明,在合理的工艺条件下可以获 得具有较高c-轴择优取向的纯钙钛矿相Si基Bi4Ti3O12 铁电薄膜并有利于改善Bi4Ti3O12/Si之间的界面特性; 顺时针回滞的C-V特性曲线和C-T曲线表明Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管具有极化存储效应和一定的极化电荷保持能力; 器件的转移(I< sub>sd-VG)特性曲线显示Ag/Bi4Ti3O12 sub>栅n沟道铁电场效应晶体管具有明显的栅极化调制效应.
关键词:
铁电场效应晶体管
4Ti3O12')" href="#">Bi4Ti3O12
存储 特性
溶胶-凝胶工艺 相似文献
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Structure, ferroelectric and dielectric properties of Bi2WO6 with different bismuth content 下载免费PDF全文
This paper reports that the Bi 2 WO 6 ferroelectric ceramics with excess Bi 2 O 3 of 0.0, 2.0, 3.5 and 5.0 wt.% of the stoichiometric composition are prepared by the conventional solid-state reaction method. Their microstructure, ferroelectric properties, the concentration and mobility of the defects have been analysed systematically. With increasing Bi content, the remnant polarization decreases, and the broken-down voltage increases. The optimum Bi excess, 3.5, lowers the oxygen vacancy concentration, while further Bi-addition brings about more defects. The activation energies fitted from cole-cole plots are 0.97 eV, 1.07 eV, 1.18 eV, and 1.33 eV, respectively. This suggests that the mobility of the defects is weakened by Bi-addition, which may be due to the increase of the ratio of the number of Bi 2 O 2 layers to that of the perovskite blocks. 相似文献
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按x=0.00,0.10,0.25,0.50,0.75和1.00,采用固相烧结工艺,制备了不同La掺杂量的SrBi4-xLaxTi4O15的陶瓷样品. 用x射线衍射对其微结构进行了分析,并测量了铁电、介电性能.结果发现,La掺杂未改变SrBi4Ti 4O15的晶体结构.随掺杂量的增加,样品的矫顽场(Ec)下降,剩余极化(2P关键词:
4-xLaxTi4O15')" href="#">SrBi4-xLaxTi4O15
La掺杂
铁电性能
相变温度
弛豫铁电 相似文献
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采用sol-gel法在Pt/TiO2/SiO2/p-Si(100)衬底上制备了Bi3.25La0.75Ti3O12(BLT)铁电薄膜,研究了在750 ℃时不同退火气压(pO2:10-4—3 atm)对薄膜微观结构和电学性能的影响.XRD和拉曼光谱结果表明在10-4和3 atm氧气压下退火
关键词:
3.25La0.75Ti3O12')" href="#">Bi3.25La0.75Ti3O12
铁电性能
sol-gel法
正交化度 相似文献