具有空位缺陷的碳纳米管的铁磁性

利用Hubbard模型,采用数值计算的方法研究了空化缺陷附近的碳原子问的跳跃移{分(l2)和在位库仑相互作用(U)对碳纳米管的铁磁基态的影响.当l2><0.5时,系统基态具有亚铁磁性,并且单佗缺陷的自旋S=1/2,体系磁件主要来源于缺陷附近和纳米管两端格点自旋.随着l2增大到临界值l2后,体系的亚铁磁基态变得不稳定,并t2c的大小依赖于在位的库仑相互作用U.白旋密度计算表明:t2能抑制自旋关联并使体系的亚铁磁性基态不稳定.     

梯度磁场中薄膜厚度梯度的形成机理

借助于基片下方放置的磁铁，在溅射的放电空间中引入了纵向的梯度磁场，辉光放电时，其外貌发生了显著的收缩，由此沉积的薄膜在平面内存在明显的厚度梯度，用磁场中带电粒子的运动理论解释了此种薄膜的形成机制。     

Al2O3忆阻器中氧空位对阻值转换性能的影响研究

忆阻器能够在外加电压下实现高阻态与低阻态的转换,在存储器件及仿神经网络计算等方面有着重要的应用。本文通过在Si衬底上制备得到Pt-Al2O3-Pt的金属-绝缘层-金属结构的忆阻器器件,研究了氧空位对阻值转换性能的影响。利用原子层沉积技术工艺控制生长不同氧空位浓度的Al2O3薄膜,测量并比较其Ⅰ—Ⅴ循环曲线,发现仅有在氧空位浓度较高情况下忆阻器才能够实现在高阻态和低阻态之间的转换。本文实验结果表明氧空位对于实现阻值转换性能有着重要的影响,对生长制备忆阻器器件有着重要意义。     

CdS(Se)掺Cu薄膜的相结构和光电性能

分别采用X射线衍射（XRD）、俄歇电子谱（AES）、X射线光电与谱（XPS）研究喷涂烧结CdS(Se）薄膜在有氮气氛下热退火前后结构，并进一步研究了镉和硫化学态对表面层氧成分的影响，结果表明，表现几个原子层范围内的CdS(Se)膜的非化学计量组成和CdO降低了薄膜的光电性能和寿命。     

硅芯片多层薄膜折射率的测量

本文介绍一种测量透明薄膜折射率的“磨角—干涉”法。根据光干涉原理,推导了薄膜折射率的表达式n=1+△N1/△N2。此法可用于测量半导体器件和大规模集成电路芯片中的单层或多层膜的折射率。     

薄膜生长初期多原子移动影响的模拟

模拟了在低温底上沉积单层薄膜初期的表面形貌．提出了新的算法，实现了多个原子同时在沉积基底上移动的过程，克服了以往只能模拟基底上仅有一个运动原于的缺点，同时引入了沉积流量，并在此基础上讨论了移动步数、沉积流量等因素对生长的影响作用．模拟结果与实验相近，获得的花样具有分形特征．     

时间空间周期性自洽的铜蒸汽激光计算机动力学模型

本文建立了一个比较完整的、时间空间周期性自洽的铜蒸汽激光计算机动力学模型.通过数值计算,获得了激光工作物质粒子数、激光功率、电子温度、电子密度和气体温度等一系列参量的时空分布与变化,并跟实验值作了比较.     

菲咯啉铜配合物模拟过氧化物酶检测过氧化氢

以菲咯啉铜[Cu(OP)2]配合物模拟辣根过氧化物酶催化过氧化氢与邻苯二胺反应,研究了不同反应条件对催化活性的影响.据此,建立了以菲咯啉铜模拟酶体系检测过氧化氢的灵敏方法.测定所用的试剂不含辣根过氧化物酶,从而避免了生物酶在使用过程中因可能的失活给分析工作带来的困难.在最佳条件下,过氧化氢浓度在9.5×10-8~1.67×10-6mol/L的范围内与体系吸光度成良好的线性关系.检测极限为8.0×10-8mol/L.     

过氧聚钨酸薄膜上光栅的制备

用过氧聚钨酸（PPTA）水溶液，通过离心涂膜法在显微镜载玻片上制备了具有光滑表面且厚度为100nm的PPTA薄膜，利用PPTA薄膜在紫外光照下可研制光栅以及其它光学元件的薄膜材料，具有很高的利用价值。     

ZnO本征缺陷的第一性原理计算

采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对ZnO本征缺陷的几何结构、杂质形成能和电子结构进行了比较系统的研究。研究表明,OZn、Oi和VZn以受主的形式存在;ZnO和Zni以施主的形式存在。其中,Zni的形成能最小,因此Zni的存在正是未掺杂ZnO是n型半导体的原因。计算结果与其它研究者     

反应离化簇团束制备氮化镓薄膜

根据离化簇团束的基本性质与原理,运用反应离化簇团束技术在低衬底温度下制备了氮化镓薄膜．透射电子显微镜和扫描电子显微镜测定出该薄膜为多晶薄膜．Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）测定结果表明,已经形成了Ｇａ—Ｎ 化学键,氮、镓原子比接近１∶１,说明反应气体离化簇团技术是一条在较低温度下制备氮化镓薄膜的可行的技术途径．薄膜中含有少量氧化镓,通过多组数据的比较发现,增加氮气的离化率有助于减少薄膜中的氧含量．     

溶剂蒸汽诱导二元共聚物混合体系薄膜自组装

将2种链段长度不同的聚苯乙烯-b-聚2-乙烯基吡啶(PS-b-P2VP)在氯仿或四氢呋喃中溶解后,以一定比例混合,在乙醇或甲苯蒸汽中退火自组装,得到了一系列薄膜形貌和尺寸不同的自组装结构.采用原子力显微镜研究了混合比例、溶剂和退火蒸汽对薄膜自组装结构的影响.结果表明:改变混合比例可以对薄膜自组装结构和尺寸进行有效的调控;四氢呋喃相比氯仿更有利于混合体系薄膜自组装的相分离;乙醇蒸汽可以有效地诱导混合体系的薄膜自组装.     

蒙特卡罗法模拟薄样品中低失能近轴背散射电子

用蒙特卡罗方法模拟计算了薄样品中的高能同轴背散射电子的背散射率和厚度衬度.结果指出用较大的探测能量窗口和大的探测角可在确保厚度衬度的前提下增强信噪比.大的入射能量虽有利于厚度衬度,但不利于提高信噪比.薄膜沉积在异质衬底上的模拟结果显示,虽然背散射率中包含有衬底材料的信息,但还是膜层厚度的单调变化函数,有可能通过背散射率的测量来判定薄膜厚度.     

累托石-TiO2薄膜的制备及其降解染料废水

以累托石和钛酸丁酯为主要原料制备出累托石-TiO2薄膜，将其负载在玻璃表面上，研究了其在紫外光和太阳光下催化降解甲基橙的性能．实验结果表明：在相同的制备条件下，累托石-TiO：薄膜的光催化活性高于TiO2薄膜的光催化活性；制备累托石-TiO2薄膜时，薄膜的层数影响其催化活性；以累托石-TiO2薄膜为催化剂，在太阳光下降解甲基橙7h，甲基橙脱色率为52．9％．     

生长温度和表面增原子对外延薄膜中失配位错形成的影响

用分子动力学方法模拟了三维外延铝薄膜晶体中温度和表面增原子对失配位错形成的影响,采用的原子间相互作用势是嵌入原子法(EAM)多体势.模拟再现了薄膜中位错形成过程,结果分析表明:较高的温度和表面增原子团存在对薄膜中失配位错形成都有促进或诱发作用;模拟中观察到两种不同的位错形核过程:一种是经历多余半原子面挤出过程而直接得到一个全位错,另一种是先形成由两个部分位错夹着一片层错的扩展位错,之后才得到全位错,这两个位错的伯格斯矢量都是与失配方向平行的刃型位错.     

C掺杂型NiCr合金薄膜的电性能和微观结构

利用闭合磁场非平衡磁控溅射工艺制备出C掺杂型NiCr合金薄膜电阻材料,获得了电性能优于NiCr合金薄膜的NiCrC薄膜电阻材料.实验结果表明:NiCr薄膜中掺杂C元素后,薄膜的择优取向由Ni(011)变为Ni(111);薄膜的缺陷和应力得以减小;薄膜中C元素具有类石墨性质.     

射频溅射法制备掺杂SnO2纳米薄膜的研究

采用射频反应溅射法在氧化处理后的单晶硅基片上制备SnO2纳米薄膜，并在薄膜中掺杂Sb和Pd用于改变薄膜的气敏特性．运用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)对薄膜的结构和表面形貌进行分析．结果表明，SnO2薄膜具有四方金红石结构，适量掺杂对SnO2薄膜结构无影响；薄膜晶粒粒径小于150nm，且粒径随退火温度的升高而增大．采用Debye—Scherrer简化公式计算了薄膜晶粒粒径，分析了计算值与SEM观测值之间产生误差的原因．经700℃的温度退火后，掺原子比Pd为2％和Sb为2％的薄膜对酒精气体具有很高的灵敏度．     

TiO2薄膜的结构和光学性质的研究

以金属钛为靶材，用反应射频溅射法制备了TiO2薄膜，并在600－900℃下进行了热处理，经XRD测量，在600－800℃下TiO2薄膜为锐钛矿和金红石两种结构的混合态，在900℃下TiO2薄膜为纯金红石结构，研究TiO2薄膜的SEM照片和UV－vis透射光谱发现，不同的热处理温度会影响TiO2薄膜中锐矿和金红石两种结构的比例，从而导致TiO2薄膜的微观形貌，折射率，禁带宽度等性质的变化。