超小型功率半导体器件的封装

Microsemi公司(位于美国加州的Santa Ana)介绍了一种当前市场上出现的尺寸最小,功率密度最高的功率晶体管封装。它有三个引出端,是该公司用于表面安装的Powermite封装中的一种型号。它将主要用于移动电话,膝上型电脑,和其它便携式电子产品;它将取代用于封装半导体功率器件的D-Pak和TO-220等外形高度比较高的封装。据该公司宣称,此种封装是一种芯片规模封装CSP型式的变型品种。     

半导体器件和集成电路封装的发展趋势

随着表面安装技术(SMT)的迅速发展,电子元器件正在朝着片式化、编带化方面发展。本文仅就表面安装器件(SMD)及IC封装的目前状况以及涉及到的封装的新工艺、新材料的未来发展作了详细报导。尤其对高可靠、高密度多层陶瓷封装技术以及新型陶瓷材料作了详细评述,并对今后我所封装方面的研制、开发工作提出了建议和设想。     

塑料封装半导体器件的寿命特性

塑料封装半导体器件的寿命特性已经搞清楚.其特点是有一个初期的无缺陷期,随之是缺陷增加的时期.无缺陷期与水汽浸入整个封装材料和器件内部所需的时间有关.缺陷增加时期与器件金属化层受到腐蚀有关.缺陷出现前后的规律就是这样.本文还介绍了温度-湿度应力,电压偏置及盐雾浓度等加速试验对上述寿命特性的影响     

砷化镓半导体器件的成功取决于封装

用附着电镀制造的细线条聚酰亚胺多层管壳具有砷化镓器件所需的电性能。     

模式识别在半导体器件封装中的应用

主要介绍了半导体器件封装SOT-23中所用的基本的模式识别技术-模板匹配法.以及模式识别的基本概念和一般框图、SOT-23半导体封装的流程.通过对基本知识的介绍以期能够找到这两种技术的结合点,并介绍了我国目前半导体工业的现状.     

设计半导体器件封装用的HISETS软件

研制了一个设计半导体器件封装用的软件:HISETS(日立半导体热强度设计系统),将五个程序联结在一起,以实现对六个重要的封装设计参数作统一的分析,(1)热阻;(2)热变形;(3)热应力;(4)芯片和衬底的热阻;(5)键合层寿命;(6)由应力引起的电特性变化。通过反复模拟修改结构,直到计算结果满足设计规范,可以很快地获得合适的结构,     

半导体器件封装技术研究中的若干问题

一、前言 半导体器件的封装是制造器件的重要工序,管壳设计与工艺选择直接关系到管芯的高性能发挥出来的程度,关系到器件在各种环境下工作的可靠性,关系到整机装配形式及装配密度提高的程度以及成本等等,封装的设计与制造工艺涉及面是很广泛的。随着电子技术的发展,特别是大规模与超大规模集成电路的发展,封装形式、设计工作日益复杂,许多新技     

半导体器件封装热阻测试方法及其研究

本文介绍了用标准芯片法测量半导体器件的封装热阻的测试原理及测量装置，并对该测量系统的重复性及误差进行了讨论通过对半导体ＰＮ结温度系数的研究发现：温度系数的测定准确性主要与被测点的温度范围有关，而与所选温度点的个数关系不大。     

面向汽车应用的功率半导体器件与封装

汽车电子技术不断发展,越来越多的新器件、新封装应用在汽车中,这对汽车用功率半导体器件与封装提出很大挑战。文章介绍了不同种类功率半导体器件的特点,具体分析了当前主要的汽车用功率器件的分类、结构、封装与可靠性,并给出这一领域的发展现状。期望通过本综述能为发展国内汽车用功率半导体器件提供更广阔的视野。     

埋线电阻极小的微波功率半导体器件的封装

一、引言 以生瓷氧化铝工艺与熟瓷氧化铍金属化工艺相结合为特点的微波功率半导体封装,在我所已成为一个系列,其结构如图1所示。但Al_2O_3密封环中,输入、输出端引线的埋线部份电阻值大,造成一部份损耗。为使该封装形式获得优良性能,必须减小“埋线电阻”。本文准备对这个问题进行探讨。     

半导体器件的发展

近十年来,半导体器件的进展极为迅速,无论在品种、数量或质量上,都有飞跃的发展.在半导体器件中最重要的是晶体管、半导体固体电路以及其他包括半导体的微小型组合元件.由于采用了新技术,在晶体管的稳定性和成品率上有很大的提高,原来被认为是限制晶体管发展的一些因素(例如频率和功率等方面),有了显著的改进.例如在频率方面,已有截止频率达4200兆赫的锗三极管;在解决功率与频率的问题     

Casio和瑞萨科技半导体器件封装技术进行合作

近日，Casio和瑞萨科技公司签署协议，Casio授权瑞萨科技使用其晶园片级封装(WLP)半导体器件封装技术。     

半导体器件的发展概况

本文简要叙述半导体器件的发展概况,包括发展简史、现有种类、生产概况、发展趋势等四方面.一、半导体器件的发展简史世界上第一种半导体器件硒光电池是1876年诞生的.1948年点接触晶体管的发明是世界上半导体器件发展历史中最重大的事件,因为它第一次使半导体制成了具有放大功能的有源电子器件.1951年锗生长结晶体管及合金结晶体管的试制成功以及很快地投入生产使半导体器件从研究试制阶段开始转入较大规模的生产.下面通过列出发展中的重要事件简要地介绍半导体器件的发展历史.     

电力半导体器件的发展

介绍了电力半导体器件的发展,指出了该器件由高频化走向智能化的发展趋势。本文还展望了不断开拓的电力半导体器件应用领域。     

半导体器件的发展动态

本文首先对国内半导体分立器件和半导体集成电路的质量水平做了估价,接着进行了国内半导体器件市场分析,讨论了器件销售所面临的困难和造成困难的原因,探讨了器件生产厂家的出路和发展方向,并对国产器件所存在的问题做了评述。文中还对半导体器件引进生产线情况做了介绍。本文在概述了分立器件的发展方向之后,重点阐述国内半导体集成电路的发展动态(我国IC工业发展现状、国内生产IC的主要品种、“七五”期间IC工业的发展及ASIC),并对国外IC发展动态做了扼要说明。     

功率半导体器件迅速发展

功率半导体器件,虽然已被大量用于工业控制系统、消费类电子装备以及新信息技术产品上,但其性能仍在不断提高,需求在不断增长。 MOSFET 1998年,中国台湾MOSPEC半导体公司功率MOSFET产量估计增长15％,其IN3773系列输出功率150W,直流电流增益16h_(FE),电大电压140V,印度Greaver公司现已