稳压二极管的非线性伏安特性研究

用FD-UI-A非线性元件伏安特性实验仪测量了稳压二极管的正向和反向伏安特性,研究结果表明,稳压二极管的正向和反向伏安特性都呈现出非线性,但其正向和反向的lnI-Ud呈良好的线性关系,其斜率反映了二极管材料的导电特性.     

稳压管伏安特性测量中电表的正确接法

研究电流表接法对稳压二极管伏安特性测量结果的影响。理论分析和实验研究表明,测量稳压二极管的伏安特性时,在稳压管的正向死区和反向截止区电流表应该内接,在其正向导通区和反向击穿区电流表应该外接。这样,只要电流表内阻足够小且电压表内阻足够大,测量系统误差就远小于1%。     

利用霍尔电流传感器对“示波法显示稳压二极管伏安特性曲线”实验的改进

针对"示波法显示稳压二极管的伏安特性曲线"存在的问题,提出了改进方法。利用霍尔电流传感器解决原有电路在原理上的缺陷。模拟仿真和实验结果均显示,改进后的检测电路具有更好的示波显示效果和易调节性,可以更加准确的显示稳压二极管的伏安特性曲线。     

小型超导电源系统退磁保护回路建模与仿真

计算了采用二极管等效电压源模型和等效电阻模型的退磁回路电流响应和二极管功耗,分析了两个模型的特点和差异,在此基础上,为了进一步提高精度,充分考虑了二极管的非线性特性,以实际二极管伏安特性进行曲线拟合建立函数关系式得到二极管非线性模型,代入回路方程并求解。综合对比各模型的仿真结果后,得出采用二极管非线性模型和等效电压源模型能更好地模拟退磁保护响应。     

非线性元件频率响应

用示波器观测4种二极管对交流信号的响应.为了理解响应图形的含义,对响应信号做了Fourier变换,使学生认识到非线性元件对输入信号能产生高次谐波,即产生倍频和多倍频.在非线性伏安特性测量实验中增加了上述内容,激发了学生的学习兴趣.     

一种实用的实验室电源的设计

介绍了一种实用的物理实验专用线性可调稳压直流电源。该电源由可调三端稳压、可调基准电压、限流电路等构成,可提供0～12 V连续可调电压,输出电流限制在100 mA,适用于大学物理实验中二极管伏安特性测量、三用电表的设计与制作等设计性实验,起到对实验器件和仪表的保护作用。     

用Proteus仿真二极管特性实验

物理实验中,二极管是最常用的电子元器件。教学中为了让学生理解二极管的特性和使用,借助于Protues软件设计了二极管特性实验仿真教学。通过仿真波形图或实时效果图示,使学生理解利用普通二极管的单向导电特性做整流电路,将交流电变换成直流电,稳压二极管能够稳定输出电压,发光二极管发出亮光,能够显示图形符号,传递信息。     

电桥法测二极管的伏安特性

电桥法测二极管的伏安特性高伟（安徽芜湖师专物理系２４１００８）电桥法测电阻一种是公认的较精确地测量电阻的方法．本文介绍利用电桥平衡原理测量二极管的伏安特性的电路，能明显提高测量的准确度．一、羽量电路原理二极管伏安特性的坝量是普通物理学的基础实验之一，...     

基于神经网络的电子器件分段建模方法

针对电路仿真领域中对具有复杂非线性特性的电子器件不能采用单-神经网络建模问题,提出了一种分段建模方法,降低了模型的复杂度,并通过对稳压二极管的建模验证了该方法的有效性.     

网页版快捷绘图程序辅助“二极管伏安特性研究”实验教学

二极管伏安特性研究实验是大学物理实验中的重要基础实验之一。测绘二极管的伏安特性曲线一般采用伏安法进行测量。在实验过程中，学生需要测量二极管两端的电压和流经二极管的电流，并用此来绘制二极管的伏安特性曲线。学生在实验过程中如果能够快捷绘图，以此来及时自检并发现测量数据的问题，对于提高“二极管伏安特性研究”实验的教学效率至关重要。我们采用JavaScript语言编写了快捷绘图程序，为学生提供了快捷网页绘图终端。学生在测量完数据后，通过手机浏览器进入绘图终端，输入测量数据，即可绘制电压和电流的关系曲线(U-I曲线)。“二极管伏安特性研究”实验教学过程中快捷网页绘图终端的引入，可以显著提高学生的学习效率和教师的授课效率。     

Noise associated with reduction,multiplication and branching processes

We consider noise in particle fluxes which undergo a reduction or a multiplication process, either direct or via branching. It is shown that these processes can be described with the method of addition of independent events, or with a collective procedure. Using the statistical rules for compound and branching processes, general results for the variance of these processes are obtained. In particular, we consider the reduction process associated with the Bernouilli trials, the multiplication process due to geometric variables, some branching processes, and the combined multiplication-reduction process. The results are applied to various cases, such as secondary emission noise, avalanche noise in low voltage breakdown diodes (zener diodes) and in JFETs, cathodoluminescence, noise and interval statistics.     

Mechanism of Charge Transfer in Gallium Arsenide Light-Emitting Structures

The results of experimental investigations into the volt-ampere characteristics (VACs) of gallium arsenide light-emitting diode structures are presented. It is established that VACs of single- and multimesa structures are similar. It is demonstrated that the dependence of the current density on the voltage for the examined structures is well described in the context of the VAC theory of pin diodes.     

示波器在教学实践中的演示应用

总结并推出应用示波器进行教学演示、实验测量中的几个特殊测量方法.如电容的充放电波形、RLC串联电路的阶跃响应、RC串并联网络的选频特性、二极管的伏安特性曲线、三极管的输出特性曲线等的演示及测量方法.     

固态Marx发生器的过流保护研究

具有快速上升沿、低开关损耗的SiC MOSFET已逐渐在固态高压脉冲电源中使用。针对固态Marx发生器中的常见短路故障,分析了SiC MOSFET的过流损坏机制,提出了一种新型的带过流保护的驱动系统。该驱动系统不仅实现了宽驱动信号同步输出,同时能够在整个SiC MOSFET导通期间提供过电流钳制效果。驱动系统中的保护电路利用SiC MOSFET门极电压与漏极电流的关系,通过单个采样电阻和一对反向串联的稳压管将SiC MOSFET门极电压拉低的方式来限制过电流。实验结果表明:当开关管的导通电流较小时,虽然门极电压会有轻微下降,但是SiC MOSFET的导通阻抗仍然很低;而在过电流故障发生时,门极电压会被快速拉低,开关管的导通阻抗急剧上升,从而迅速将导通电流钳制在安全范围内。     

Phase interaction in GaAs contacts with group I metals and its relationship to the degradation of structures with a Schottky barrier

The methods of Rutherford back scattering of helium ions and x-ray diffraction and electron microscope analysis are used to study phase interaction in GaAs contacts with layers of group I metals (Cu, Ag, Au) with annealings in a hydrogen atmosphere. The nature of the interaction and the mechanisms of degradation of the volt-ampere characteristics of Schottky barrier diodes are discussed.Translated from Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii, Fizika, No. 9, pp. 16–22, September, 1985.     

基于P-N结的太阳能电池伏安特性的分析与模拟

通过分析实际P-N结与理想模型之间的差别,建立了P-N结二极管及太阳能电池的数学模型;利用Matlab中的系统仿真模块库建立仿真模型,设置参量,求解模型方程并绘制了图形.对太阳能电池在一定光照下旁路电阻及串联电阻取不同数值时对其开路电压、短路电流及填充因子的影响做了模拟,并与实际测得的硅太阳能电池伏安特性进行了比较.模型分析与实验测量的结果表明等效的旁路电阻和串联电阻分别影响电池的开路电压和短路电流.仿真结果与实验测量结果一致.     

Electrical properties of epitaxial heterostructures on a zinc sulfide base

An investigation is performed on the volt-ampere, volt-faraday, and photoelectrical characteristics of the epitaxial heterostructures n·ZnS-p-Ge, n-ZnS-p-GaAs, and n-ZnS-n-Si obtained by the method of vacuum evaporation in a quasiclosed volume. The heterotype structures are rectifying, and the current passage therein is described by the theories of space-charge-limited current. The quantity of surface states N_s.s=1.2·10¹²cm^–2 on the interface of n-ZnS-p-GaAs is computed, this being less than the theoretical value by almost two orders of magnitude. The heterostructures n-ZnS-n-Si were of two kinds. The volt-ampere characteristics of the structure of type I are rectifying with a rectification factor of 10⁴ at the 1 V level. The direct current had an exponential dependence and depended weakly on the temperature. The heterostructures had photosensitivity. Their no-load voltage was up to 0.2 V. The structures of type II had volt-ampere characteristics with double saturation. Starting from the model of two series-connected Schottky diodes, the heights of the barriers were computed for such heterostructures: Eg_ZnS=0.8–0.91 eV and E_Si=0.66–0.77 eV.Translated from Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii, Fizika, No. 7, pp. 104–108, July, 1978.     

光电效应伏安特性实验改进研究

光电效应实验及理论解释,为量子理论的建立奠定了基础,在光电效应伏安特性实验中,如何有效减少实验影响因素,提高测量结果的精确度,成为光电效应伏安特性实验改进的一个关键点。本从光电效应实验测量的伏安曲线出发,分析理论与实验结果上的差异,提出了影响实验结果的因素以及相应的实验操作办法,为光电效应伏安特性实验的改进,获得更加精确的实验数据以及光电效应实验的应用奠定了基础。     

夫兰克-赫兹实验栅极电流的研究

测量了夫兰克赫兹实验中氩气管的经典线性伏安特性曲线,分别从栅极电流和板极电流的实验数据中反应出的氩原子第一激发能级量子化吸收的特性,并对量子吸收理论在实验中的体现加以探讨。