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用X射线衍射法研究了(Fe_(0.1)Co_(0.55)Ni_(0.35))_78Si_8B_(14)金属玻璃在常压下及20kbar高压下晶化过程中的析出相及析出过程。结果表明在上述压力下晶化过程都分成两个阶段,分别对应于初级晶化和共晶晶化。在常压下,初级晶化时析出fcc-Co晶体,而共晶晶化对应着Ni_(31)Si_(12)和(FeCoNi)_3(SiB)相的析出。随着回火温度的增高或时间的延长,(FeCoNi)_3(SiB)相逐渐转变为(FeCoNi)_(23)B_6相。20kbar高压下的晶化析出过程与常压下不同的是:提高了晶化温度,在共晶晶化阶段出现了Co_2B相。此外,压力还阻止(FeCoNi)_(23)B_6相的形成。从热力学和动力学的角度讨论了压力对金属玻璃晶化过程的影响。 相似文献
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用X射线衍射法研究了(Fe0.1Co0.55Ni0.35)78Si8B14金属玻璃在常压下及20kbar高压下晶化过程中的析出相及析出过程。结果表明在上述压力下晶化过程都分成两个阶段,分别对应于初级晶化和共晶晶化。在常压下,初级晶化时析出fcc-Co晶体,而共晶晶化对应着Ni31Si12和(FeCoNi)3(SiB)相的析出。随着回火温度的增高或时间的延长,(FeCoNi)3(SiB)相逐渐转变为(FeCoNi)23B6相。20kbar高压下的晶化析出过程与常压下不同的是:提高了晶化温度,在共晶晶化阶段出现了Co2B相。此外,压力还阻止(FeCoNi)23B6相的形成。从热力学和动力学的角度讨论了压力对金属玻璃晶化过程的影响。
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用恒定温度下瞬态电容法研究了硅中金受主能级在沿〈100〉,〈110〉,〈111〉晶向单轴应力作用下的能级移动。考虑到硅的导带在单轴应力下的分裂,导出了单轴应力下深中心中电子发射率的公式。根据该式和发射率的实验数据以及切变畸变势常数Ξu,求出了金受主能级激活能随应力的改变。在实验应力范围内(0—9kbar),激活能与应力成线性关系。当应力平行于〈110〉〈111〉晶向时,激活能随应力改变的斜率分别为α<110>=-3.2±0.6meV/kbar,α<111>=-0.3±0.6meV/kbar;当应力平行于〈100〉晶向,若取Ξu=9.2eV,α<100>=-5.8±0.8meV/kbar,若取Ξu=11.4eV,α<100>=-5.3±0.8meV/kbar,α表现出强烈的各向异性。进一步确定了金受主能级相对于零压力下导带底的绝对移动的压力系数。若取Ξu=9.2eV,这些系数分别为S<100>=-1.3±0.8meV/kbar,S<110>=0.7±0.6meV/kbar,S<111>=-0.7±0.6meV/kbar。如取Ξ=11.4eV,则S<100>=-3.5±0.8meV/kbar,S<110>=0.0±0.6meV/kbar,S<111>=-1.0±0.6meV/kbar。同一组的三个绝对移动值之间的偏离都超过了实验误差这一事实,说明了金中心具有立方对称性,同时中性金与带负电的金的基态都是非简并的可能性很小。
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用X射线衍射照相、X射线衍射仪及透射电子显微镜分析了用液相淬火技术制备的La_(30)Al_(20)合金样品,结果表明样品是非晶态结构。差热分析(DTA)结果表明,非晶态样品的晶化温度T_(cr)为280℃左右,玻璃温度T_g为242℃左右。非晶态样品低温高压(流体静压法)试验结果表明:压力从0至4.77kbar,T_c从3.87K提高到4.18K。高压下,超导前的剩余电阻与常压下相比较有明显下降。非晶态样品经高温高压(25kbar,~160℃,40min)处理后,X射线衍射仪分析结果表明:发生了由非晶态→晶态的结构相变。相变产物由平衡相α-La和新的亚稳过渡相组成。其T_c从~3.9K提高到5.7K,该亚稳相结构与化学成分尚不清楚。本文并对所获得的实验结果进行了讨论。 相似文献
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在600-930K,常压到7GPa的范围内,对非晶(Fe0.99,Mo0.01)78Si9B13合金等温等压退火30min。实验表明;其晶化产物α-Fe(Mo,Si)Fe3B和Fe2B相的析出与所加压力密切相关。压力使非晶(Fe0.99Mo0.01)78Si9B13合金的晶化温度和亚稳Fe3B相的析出温度下降,在一定的压力和温度下,亚稳Fe3B相半向稳定Fe2B相转变其转变温度随压力而变化。 相似文献
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为了深入理解纳米Al-Ni合金低温下的电子输运过程,使用自主研发的电磁感应加热-自悬浮定向流法制备出Al,Ni和Al-Ni纳米合金粉末,并采用真空热压设备将纳米粉末压制成纳米晶块体,利用自主搭建的低温热电测量系统研究了Al-Ni纳米合金的电阻率随温度(8~300 K)的变化规律。研究结果表明:Al-Ni纳米合金由于形成有序晶相而仍然与Al,Ni纳米晶一样,电阻率随温度的降低而降低。纳米Ni3Al-Ni和NiAl-Ni在居里温度点附近出现了电阻率随温度变化的极大值点,因为单质Ni的影响,Ni3Al-Ni的居里温度比粗晶Ni3Al提高了20 K。由于磁子-电子散射作用和声子-电子散射作用,纳米Ni3Al-Ni,NiAl-Ni和Ni的电阻率在低温下(8~40 K)与温度呈T2和T4关系。 相似文献
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静高压(4.5 GPa)下Al6Mn合金熔态淬火(冷却速度约为102 ℃/s),得到Al6Mn合金的高压淬火样品。X射线分析表明:Al6Mn合金的高压淬火样品中含有准晶二十面体相、Al6Mn相及Al的面心立方相;与常压结果相比,高压淬火方法的冷却速率可比常压的低约3个数量级的条件下产生准晶二十面体相。其晶化温度与急冷甩带的相近。对静高压(2.5 GPa)下Al6Mn准晶条带样品的晶化过程进行了研究。X射线分析表明:静高压下Al6Mn准晶条带样品的晶化过程中,出现了一种新的未知亚稳相——准晶向晶体转化中的一种中间过渡态,具有类T相形式;与常压结果比较,高压下准晶相晶化温度提高。 相似文献
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测定了DL-2-氨基-4-磺酸基-丁酸 [DLH, DL-Homocysteic acid, (NH+3)-CH(COOH)-(CH2)2-SO-3] 及其稀土La配合物[La(DLH)2Cl3·H2O=LaL2]在不同压力下的红外和拉曼光谱。DLH 在50 kbar左右压力以下存在两个压力诱导相转变区,它们分别在17和37 kbar左右,两者均为二级相转变,认为分子间氢键的存在是出现两个压力诱导相转变区的原因。在红外光谱中,SO-3的对称伸缩振动的压力灵敏度(dν/dp)表现出与其他振动模式不同的变化趋势,它们在低压相区的平均压力灵敏度为0.30 cm-1·(kbar)-1、中压相区为0.32 cm-1·(kbar)-1、高压相区为0.41 cm-1·(kbar)-1,低压相区与高压相区的比值为0.72, 而其他振动模式刚好相反,低压相区与高压相区的比值为4.8。稀土La配合物LaL2的生成,改变了分子间的氢键,在50 kbar左右压力以下只观察到1个压力诱导相转变区(27 kbar附近)。在红外光谱中,配合物LaL2中SO-3的反对称伸缩振动的压力灵敏度(dν/dp)也表现出与其他振动模式不同的变化趋势,它们在低压相区的平均压力灵敏度与高压相区的平均压力灵敏度的比值为0.43, 而其他振动模式的比值为2.5。 相似文献
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用X射线衍射照相、X射线衍射仪及透射电子显微镜分析了用液相淬火技术制备的La80Al20合金样品,结果表明样品是非晶态结构。差热分析(DTA)结果表明,非晶态样品的晶化温度Tcr为280℃左右,玻璃温度Tg为242℃左右。非晶态样品低温高压(流体静压法)试验结果表明:压力从0至4.77kbar,Tc从3.87K提高到4.18K。高压下,超导前的剩余电阻与常压下相比较有明显下降。非晶态样品经高温高压
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在流体静压力为0.5—11.6kbar,温度-80—80℃范围内,测量了Rb_4Cu_(16)I_7Cl_(13)多晶粉末“松散”样品和“致密”样品的离子电导。“松散”样品电导与压力的关系表明,在4.0—5.0kbar附近,电导存在极大值;“致密”样品电导随压力单调下降。在一定压力下,“致密”样品电导率随温度变化的趋势与常压结果相同,压力对Rb_4Cu_(16)I_7Cl(13)α→β相转变温度没有明显影响。α和β相的激活体积分别为0.90cm~3/mol和1.55cm~3/mol。 相似文献