高密度、高性能IC封装的现状及发展趋势

本文描述了高密度、高性能IC封装的现状、目前常用的几种类型以及当前面临的问题。并指出,高密度封装将逐步被一种更新的封装——多芯片组件(MCM)所代替。MCM的出现将对军事、航空、高端计算机和远距离通信产生深远的影响。     

高密度微电子封装技术

多芯片组件(MCM)是从混合集成电路(HIC)发展而来的。HIC的发展已经有三十多年的历史了,它是把IC芯片与微型元件组装在用某种工艺制作布线的同一个基板上,封装起来,从而实现一定的功能。这种方式在系统的小型化和提高系统可靠性方面发挥了积极的作用。但是,人们在应用中也发现,无论采用何种封装技术后的裸芯片,无论是金丝球焊还是BGA,在封装后裸芯片的性能总是比未封装时要差一些。进入八     

高密度封装技术现状及发展趋势

综述了对半导体集成电路发展有深刻影响的微电子封装技术的现状 ,指出了适用于高密度封装的载带封装 (TCP)、球栅阵列封装 (BGA)、倒装片 (FCT)、芯片规模封装 (CSP)、多芯片组件 (MCM)、三维封装等关键技术及其发展趋势     

微电子组件封装和封接技术的分析和最新进展

本文比较分析了集成电路,混合微电路和多芯片组件用的封装和封接方法,探讨最佳气密封装和高成品率熔焊以及其它传统的封接方法和焊料封接,玻璃封接和塑料封接,并着重强调了所用的材料和工艺方法,也简述了新出现的技术以及用于具体应用要求中的正确技术和材料的选择。     

多芯片组件（MCM）的封装技术

电子元器件的封装严重影响微电路的性能和可靠性,其成本约占ＩＣ器件的１／３,因此,封装的性能和成本对电子产品和竞争力影响很大。ＭＣＭ封装是多芯片组件的重要组成部分,本文从构成ＭＣＭ封装技术的材料选择、结构模型以及ＭＣＭ封装的密封技术和冷却技术几个方面进行详细介绍。     

高密度封装进展之二——半导体封装技术的发展趋势

本文从超小型封装、超多端子封装、多芯片封装等几个方向介绍了半导体封装技术的发展趋势     

IC封装技术的发展

IC的发展中,封装技术的发展也是非常重要的。芯片的封装在集成电路中是不可缺少的。本文主要综述了集成电路封装的现状,包括现阶段较广泛应用的DIP封装、PLCC塑料有引脚片式载体封装和QFP/PFP方形扁平式/扁组件式封装;现阶段较先进的BGA球栅阵列式封装、CSP芯片尺寸封装和MCM多芯片模块系统封装等技术。同时,对国内外封装技术做了比较,并阐述了我国封装技术相对落后的原因。最后,介绍了集成电路封装技术的发展趋势。     

高密度封装的发展趋势

本文描述了近年来高密度封装中出现的新技术、新结构,如载带自动键合技术(TAB)、带线四边有引线扁平封装(TQFP)和多芯片模块(MCM)结构等。论述了高密度封装的设计考虑及材料的选择。并且指出,只有低介电常数且制成薄膜的聚酰亚胺介质材料才能提高封装密度。     

混合IC的发展方向——多芯片组件（MCM）

ＭＣＭ是９０年代兴起的在混合微电路薄厚膜技术基础上发展起来的高密度立体组装微电子组件，它以布线密度高、互连线短、体积小、重量轻和性能优良等显著特点受到世界各国电子整机厂商的重视，被广泛应用于计算机、通信、军事、航空／航天和汽车等领域。美国国防部还将Ｍ...     

高密度封装

本文介绍了微电路的几种高密度封装,着重介绍当今最盛行的多芯片封装(MCP)、最新的片内系统(SIP)及三维封装等,并指出这是一种实现片上系统的变通方法。     

IC的气密性封装

本文主要讨论IC的三种常见陶瓷气密性封装和黑瓷封装的工艺要点、封装的气密性性能。     

高密度高性能电子封装技术

本文简要概述了电子封装的发展过程及其结构形式，全面系统地介绍了近几年国外高密度高性能电子封装的最新进展，对当前电子封装的国际发展水平作一综述。     

有源电扫阵列的单片微波集成电路与封装的发展趋势

本文阐述了开发单片微波集成电路（ＭＭＩＣ）和多芯片组装的当前工作与进展，采用ＭＭＩＣ和多芯片组装可获得低成本、满足性能要求的有源电扫阵列（ＡＥＳＡ）。本文还讨论了ＭＭＩＣ的成本与开发因素、组件的成本与开发考虑事项，以及整个阵列的成本与开发考虑事项。     

数字显示电路的设计与多芯片组件封装实现

由于MCM自身的特点，物理设计已成其瓶颈问题。本文在已有方案的基础上，设计实现了一个数字显示电路，并计算了各单元电路的相关参数，最后对电路进行多芯片组件(MCM)封装。仿真结果表明，该电路的最大电容量和响应时间等参数均能满足电路设计的要求。