一维随机成核生长模型的边界效应

通过计算机模拟，研究周期边界与固定边界对一维随机成生长模型的聚集生长图形形状及相应的分形维数的影响。     

一维随机成核生长模型

建立了一种一维随机成核生长模型，在三种不同的近邻条件下进行模拟，得到了一系列聚集生长图形，并计算了相应的分形维数．所得图形与多孔硅形成图样相似．对分形维数Ｄ随生长概率Ｘ变化的Ｄ-Ｘ曲线性质以及分形结构转变为均匀结构的临界阈值等作了初步的讨论 关键词：     

超薄膜多中心生长过程的计算机模拟

利用计算机模拟了不同的允许扩散步数下超薄膜的多中心分形生长和团状生长现象,研究了成核及长大的动力学过程．分形生长时分形维数随团簇大小的增大而增加．分形生长和团状生长时成核率随扩散步数的增大而减小,随时间的增大而急速下降．团簇长大过程可用团簇大小S和生长时间t-t₀的幂函数(t-t₀)^κ描述．由于团簇间的分流作用,生长指数κ比经典理论值1略小,并且存在着非线性现象,即长得较大的团簇的生长指数Κ也较大. 关键词：     

薄膜生长的随机模型

利用Monte Carlo模型研究了薄膜生长初始阶段岛的形貌与基底温度之间的关系,同时还研究了它们与汽相粒子入射剩余能量之间的关系．模型中考虑了三种动力学过程：粒子入射、吸附粒子扩散和粒子脱附,与以前薄膜生长模型的不同之一在于把入射过程看作独立于其他过程,而扩散和脱附过程是相互关联的．结果表明随基底温度的升高,岛的形貌经历了一个从分散生长、分形生长到凝聚生长的变化过程．低温下随汽相粒子入射和剩余能量增加,岛的形貌也经历了同样的变化过程. 关键词：     

氧化钼分形生长的核晶凝聚模型

本文报道氧化钼在远离平衡的无序系统中气固相变过程。实验结果除了薄片状氧化钼晶体外,还形成了由晶须凝聚组成的各种形态的二维分形结构。对实验所得的分形结构,用非平衡态和不可逆过程的热力学理论进行了讨论,并提出核晶凝聚模型。 关键词：     

改进的DLA方法模拟薄膜二维生长

对经典的DLA模型进行改进，研究了薄膜的二维生长过程.通过改变表征吸附原子在基底扩散 能力的参量D_T，D_C以及表征沉积速率的参量D_V，得到 了与实验一致的薄 膜分形生长模式和团状生长模式.分析了薄膜的形核阶段原子团的大小分布，以及不同条件 下原子团的数目和大小随覆盖度的变化. 关键词： DLA 薄膜生长 分形生长 团状生长     

横向外延过生长磷化铟材料的生长速率模型

分别考虑气相扩散和掩膜表面扩散过程，建立了金属有机化学气相沉积条件下横向外延过生长的速率模型. 在砷化镓衬底上外延磷化铟条件下，模拟得到了生长速率随掩膜/窗口宽度(m/w)变化的关系. 通过讨论掩膜/窗口宽度的影响，说明了掩膜宽度、窗口宽度以及有效掩膜宽度是决定生长速率的关键因素. 以上结论与实验结果一致. 关键词： 横向外延 生长模型 扩散 生长速率     

溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜的成核-生长和失稳分解研究

采用溶胶-凝胶法在ZnWO₄单晶上制备出透明的ZnO薄膜.通过光学显微镜观察了Z nO薄膜的表面形貌.实验结果表明，ZnO薄膜的形成经历了表面成核，晶粒长大和岛的形成三 个不同的阶段.由于ZnO晶核是在非平衡条件下生长的，在生长过程中不可避免地出现了枝晶 生长和分形生长以及失稳分解. 关键词： 氧化锌薄膜 成核 枝晶生长 分形生长 失稳分解     

薄膜外延生长的计算机模拟

以Cu膜为例，用Monte-Carlo算法模拟了薄膜生长的随机过程，并提出了更加完善的模型.在合理选择原子间相互作用计算方法的基础上，考虑了原子的吸附、在生长表面的迁移及迁移所引起的近邻原子连带效应、从生长表面的脱附等过程.模拟计算了薄膜的早期成核情况以及表面粗糙度和相对密度.结果表明，随着衬底温度的升高或入射率的降低，沉积在衬底上的原子逐步由离散型分布向聚集状态过渡形成一些岛核，并且逐步由二维岛核向三维岛核过渡.在一定的原子入射率下，存在三个优化温度，成核率最高时的最大成核温度Tn、薄膜的表面粗糙度最低 关键词： Monte-Carlo算法 计算机模拟 薄膜生长     

超薄膜外延生长的计算机模拟

对超薄膜的生长过程进行了计算机模拟，得到与实验结果一致的团簇生长形貌及“台阶流动”结果，分析了邻晶面偏离角对成核密度等的影响，并计算了台阶流动的阈值及团簇的分形维数. 关键词：     

含杂质无格点基底表面分枝状凝聚体的计算机模拟

根据含杂质熔融玻璃表面金原子凝聚的实验规律，在原子团簇具有随机的线扩散步长和刚性 转动角度的特征条件下，建立了含杂质无格点基底表面的各向异性团簇-团簇凝聚模型，对 团簇的无规扩散、刚性转动以及凝聚全过程进行了计算机模拟，系统地研究了基底表面无规 分布的杂质区域对分枝状凝聚体诸多特性的影响，所得结果与实验事实相符合. 关键词： 薄膜生长 Monte Carlo模拟 分形     

纳米硅薄膜的生长动力学与计算机模拟

氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜由于其具有奇异的结构和独特的性质,而引起广泛的关注.本文在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中,以高纯H₂高度稀释SiH₄为反应气体源,在射频和直流双重功率源的激励下制备成功具有纳米结构的nc-Si:H薄膜.利用高分辨率电子显微镜(HREM)、Raman散射谱(RSS)、扫描隧道电子显微镜(STM)等实验技术对nc-Si:H薄膜样品作了研究.基于对薄膜制备过程的动力学分析,提出nc-Si:H薄膜的分形生长模型:扩散与反应限 关键词：     

超薄膜外延生长的Monte Carlo模拟

用MonteCarlo(MC)方法对超薄膜外延生长过程进行了计算机模拟.模型中引入Morse势描述粒子间的相互作用,考虑粒子的沉积、吸附粒子的扩散和蒸发三个过程.研究了粒子间相互作用范围α和允许粒子行走的最大步数对薄膜生长形貌的影响.结果表明:在不同的α值下,随粒子行走步数的增加,薄膜的生长经历了从分散、分形、混合到团聚的过程;其中α=6时,基本观察不到粒子的分散生长过程;α值越小且粒子行走步数越小的情况下,薄膜越易趋向于分散生长 关键词： 超薄膜 MonteCarlo方法 外延生长 Morse势 分形     

衬底表面覆盖对薄膜成核和生长的影响

在薄膜生长的成核阶段,稳定聚集体将逐渐覆盖衬底表面．同时,薄膜的生长将发生在被覆盖的衬底部分,而成核则发生在未被覆盖的部分．本文研究了衬底表面被覆盖的程度对薄膜成核和生长的影响,对广泛应用的薄膜理论,给出一些修正公式．结果表明,成核速率正比于衬底表面未被覆盖面积的平方．而薄膜理论认为成核速率是时间常量,似显得粗糙． 关键词：     

二维颗粒破碎过程的计算机模拟

以材料力学为基础构建单颗粒破碎模型,通过分子动力学方法模拟二维颗粒的破碎过程.结果表明:最终的颗粒大小分布为幂律分布,其分形维数为1.1,与实验结果相符,表明颗粒的破碎是一分形过程.     

金属材料中氦泡生长的计算机模拟

由中子辐照引起的(n，α)反应会在核反应堆材料中残留—些氦原子。氦为惰性元素，不与其它原子结合，在材料中的溶解度极低，而且原子半径小，因此很容易在材料中迁移。氦原子首先向晶界、位错等缺陷处聚集而形成气泡，氦泡的形成使系统的总能量降低。小的氦泡又通过热运动而融合为更大的氦泡。氦泡的存在对材料性能有相当大的影响，例如它会使材料的脆性增加，严重制约了核反应堆的使用寿命。因此，金属材料中的氦泡生长问题一直受到人们的关注。     

稳恒磁场下金属电沉积枝晶生长的模拟

采用Monte-Carlo模拟方法,给出用于描述稳恒磁场作用下电沉积枝晶生长的模型.该模型综合考虑了外加磁场B,电解溶液浓度和离子在阴极发生还原反应的几率P_s等因素对电沉积过程的影响,模拟得到与实验结果一致的枝晶生长图形.模拟结果表明:团簇的形状和它们的分形维数都与外加磁场B的强弱,即体现在模型中离子的旋转角速度ω的大小有关;随着磁场强度的增加,沉积团簇会从分形向非分形转变;在相对强的外加磁场作用下,较高离子浓度时的沉积物是非分形的;离子在阴极的反应概率P_s越小,随着磁场强度的增加枝晶生长越易趋向非分形.     

一维量子sine-Gordon模型的元激发谱

应用自洽量子微扰理论研究了由参量α₀及β₀所描述的一维量子sine-Gordon模型的元激发谱，并通过玻色化技术将所得结果与Thirring模型及半满的Hubbard模型的严格解比较．研究结果表明，导出的元激发谱描述了量子孤子及反孤子的配对激发，而自洽场给出的能隙在α₀＜1及4π≤β²₀≤8π时与严格解的结果符合较好 关键词：