碲镉汞表面钝化新方法

提出了脉冲式阳极氧化生长碲镉汞表面钝化膜的方法．自行设计研制成功一种新颖的脉冲式阳极氧化装置，获得了优于传统恒流方式生长的碲镉汞阳极氧化膜界面，并结合扫描电子显微镜、俄歇电子能谱和光电导衰退法观测了脉冲氧化对碲镉汞表面的影响．探索到一种能够使表面复合速度降得最低的最佳脉冲氧化条件．对脉冲氧化膜的生长机制进行了分析讨论 关键词：     

碲镉汞致冷技术与性能

碲镉汞致冷技术与性能多无碲镉汞（ＨｇＣｄＴｅ）是用途较多的探测器之一。ＨｇＣｄＴｅ探测器具有宽动态范围，可在大多数红外应用中使用。采用可变能隙半导体处理技术的习惯性配比使得ＨｇＣｄＴｅ探测器的应用能够确定其在２～１２ｕｒｎ波段内的光谱响应率。然而，大...     

碲溶剂法生长碲镉汞晶体的数值模拟

提出了碲溶剂法在稳态条件下生长碲镉汞晶体的理论模型.该模型利用与时间相关的一维物质扩散方程组，熔区自由边界通过相图来确定.采用有限差分法完成了组分x=0.2的长波碲镉汞晶体生长过程的数值模拟.讨论了液相区温度场分布、加热器移动速度、液相区长度和生长界面温度对生长碲镉汞晶体轴向组分的影响.模拟结果与实验结果相符. 关键词：     

碲镉汞晶体中缺陷的晶格像

用高分辨电子显微镜观察了碲镉汞晶体中的缺陷。直接观察到晶体中存在的两类60°位错。在孪晶边界上,观察到孪晶位错。指出,孪晶位错是再结晶过程中,孪晶界面迁移的激活台阶。 关键词：     

碲镉汞异质结能带结构的优化设计

分别对带隙较宽(较窄)的p型材料在带隙较窄(较宽)的n型材料之上的碲镉汞(MCT)异质结的能带结构进行了理论分析.在应用的理论模型中提出了一个简单的载流子浓度近似模型用于计入载流子简并效应和导带非抛物线性，同时还考虑到了价带失配的影响.就p-n结位置(z_B)和界面电荷密度(Q)两个参数对MCT异质结能带结构的影响进行了系统分析，发现这些影响是不可忽略的.根据这些影响特征，进一步得出了z_B和Q参数之间的优化设计规律. 关键词： 碲镉汞(MCT) 异质结 载流子浓度近似     

碲镉汞模拟探测器量子效率定标方法

为测量红外模拟探测器量子效率,搭建了基于参量下转换效应的测量系统.利用光学参量振荡器调谐输出的2 576.5nm波长连续激光束作为泵浦源、ZnGeP2晶体作为非线性晶体,获取了3.42μm和10.4μm的相关光子对.实验中通过将采集到的两个通道的光电流/电压信号转换为等效光子计数,并利用两光路平衡测量的方法对每个模式的平均光子计数进行校正,实现了碲镉汞红外模拟探测器在10.4μm处的绝对功率响应度定标,得到了相对合成不确定度优于4.53%的定标结果.     

用拉曼散射分析碲镉汞中的缺陷

本文分析了碲镉汞（HgCdTe或MCT）中Te沉淀相,Hg空位的拉曼散射峰,以及碲镉汞表面完整性与它的二级拉曼散射峰的关系,MCT中的Te沉淀相的拉曼峰位于125和145cm^-1处,此峰与标准的Te三角晶系的拉曼峰相比,往高能方向移动了2cm^-1,这表明Te沉淀相受到了压应力的作用,MCT中位于108cm^-1处微弱的拉曼峰来源于Hg空位,此峰只在p型和包含有反型层的MCT中出现,在n型的MCT中几乎不出现,MCT的拉曼二极散射峰对其表面完整性非常敏感,表面完整性好的拉曼峰很明显,而表面完整性较差的峰则不太明显,此峰的1LO（T）模的强度测量对晶体制备过程中的表面分析也可能供有用的信息。     

离子束刻蚀碲镉汞晶体的电学特性研究

本文利用迁移率谱分析了离子束刻蚀后的碲镉汞晶体, 发现180 μm的p型碲镉汞晶体在刻蚀后完全转为n型, 且由两个不同电学特性的电子层组成:低迁移率的表面电子层和高迁移率的体电子层. 通过分析不同温度下的迁移率谱, 表明表面电子层的迁移率不随温度而变化, 而体电子层的迁移率随温度的变化与传统的n型碲镉汞材料一致. 不同厚度下的霍尔参数表明体电子层的电学性质均匀. 另外, 通过计算得到表面电子层的浓度要比体电子层高2-3个数量级.     

新型半导体器件的发展:碲镉汞焦平面阵列

本文从比较简单的探测器线性扫描阵列到延时和积分的探测器二维扫描阵列以及二维凝视阵列的军事技术要求的发展过程作了论述。我们对一种能满足大多数军事技术要求的探测器材料(即碲镉汞)引起重视的过程进行评述。阐述各种材料的生长方法。这些生长技术就其分析工具和生长过程中的控制而言,都与材料的特性鉴定技术紧密连系在一起。最后,评论焦平面阵列的加工技术和探测器与焦平面上加工参数之间的关系。     

短波碲镉汞光伏器件的低频噪声研究

对所研制的短波光伏碲镉汞器件进行了变温电流-电压特性和低频噪声研究，测试温度范围255—293K.实验结果表明随着温度的下降，器件的优值因子R₀A从45×10³Ωcm²增加到7×10⁴Ωcm².器件在低频区的主要噪 声成分是1/f噪声和产生-复合噪声，在高频区主要是散粒噪声.在测试的偏压内，器件的1/f噪声功率谱密度与流过器件的电流的平方成正比，器件的Hooge系数为3×10^-4—7×10^-4.从噪声 功率谱密度曲线分析中得到产生-复合噪声的特征时间常数τ，通过τ的温度特性得到了器件的深能级. 关键词： 碲镉汞 优值因子 低频噪声 深能级     

Hg1-xCdxTe禁带以上的本征光吸收

讨论了HgCdTe三元半导体在能量大于禁带宽度范围内的本征吸收光谱。经过分析比较实验数据,Kane理论结果以及几种经验公式,指出Anderson从Kane模型获得的理论公式及褚君浩等从实验结果得出的经验公式,最符合HgCdTe禁带以上本征光吸收行为。文中还就外延薄膜样品的本征吸收进行了讨论。 关键词：     

Sb掺杂Hg1-xCdxTe的光致发光

对不同Sb掺杂浓度Hg_1-xCd_xTe（x≈0.38）样品在3.9—115K的温度范围内进行了光致发光实验测量，观察到与局域激子、带到带和施主受主对有关的辐射复合过程．并用光致发光手段发现Sb掺杂在x≈0.38的Hg_1-xCd_xTe中引入的约30meV的受主能级 关键词：     

p-Hg1-xCdxTe材料中轻空穴的性质研究

通过变磁场霍尔测量方法,采用由迁移率谱和多载流子拟合过程相结合的混合电导法,在12-300K范围内,获得了两块分子束外延(MBE)生长的p-Hg_1-xCd_xTe(x=0224)样品中的轻、重空穴以及体电子、表面电子的浓度和迁移率.此外,在实验中,还直接观察到了轻空穴对电导张量分量的贡献.实验值不仅具有明确的物理意义,而且有助于红外探测器模型的建立. 关键词：     

Hg1-xCdxTe的低频吸收带

本文对Hg_1-xCd_xTe的低频吸收带,提出另一种解释。把Hg_1-xCd_xTe作为具有0—25％Cd(或Hg)替位杂质的HgTe(或CdTe)晶体,用格林函数计算含有一个Cd(或Hg)的HgTe(或CdTe)双原子链振动谱,进而讨论Hg_1-xCd_xTe混晶振动模的特性,结果表明Hg_1-xCd_xTe在k→0存在频率不趋于零的声学声子,它们有条件吸收远红外波段的光子,形成低频吸收带。它能说明已报道的实验上观察到的低频吸收带的主要特征,并表明对光学声子存在双模行为的其它混晶,在远红外吸收谱中很可能存在类似的低频吸收带。 关键词：     

Hg1-xCdxTe晶体缺陷的正电子湮没寿命

利用正电子(e⁺)湮没寿命谱实验研究了Hg_1-xCd_xTe晶体样品的空位缺陷.碲溶剂法生长的样品，不论是n型导电还是p型导电都存在大量的Hg空位.经过合适的退火工艺，p型材料转为n型，同时对正电子的俘获效应减小，表现为正电子湮没平均寿命值减小14—17ps.若退火温度高于350℃，正电子湮没寿命值又增大，表明Hg空位浓度增加.得到HgCdTe中正电子的体寿命为τ_b=272ps.根据正电子湮没寿命和电参数的测量结果，得出 关键词：     

Tamm surface states of Hg1-xCdxTe

Using the Kane model, the wave functions and dispersion laws were obtained for Tamm surface states of electrons and holes arising on the ideal surface of Hg_1-xCd_xTe crystal in the parabolic and strong nonparabolic limits. The dependence of surface electrons and holes effective masses, in the parabolic limit, is determined from the parameters of the bulk states. The surface states of heavy holes is shown to be unsensitive to the degree of nonparabolicity of the electron spectrum.     

分子束外延生长的n-Hg1-xCdxTe的磁输运特性

采用迁移率谱和多电子拟合过程相结合的混合电导分析法，对分子束外延（MBE）生长的Hg_1-xCd_xTe材料的变磁场实验数据进行了处理．该方法可以将外延层中体电子对电导的贡献与界面电子的贡献区分开，通过对不同温度下变磁场数据的分析，表明该方法是准确和可靠的，可以成为一种半导体材料和器件的常规电学测试和分析手段 关键词：     

不同邻晶面Hg1-xCdxTe外延薄膜的特性分析

在取向不同的CdTe衬底上用液相外延技术生长了Hg_1-xCd_xTe薄膜，结合金相显微镜、红外显微镜、X射线双晶衍射、红外吸收及Raman光谱等手段分析了不同邻晶面外延层的性质，结果表明，在“近平面”（衬底偏角δ＜0.1°）或“无台阶面”（δ≈1.2°）上生长的外延层的晶格质量及光学性能较好 关键词：     

n型碲镉汞MIS器件动态存储时间研究

通过对动态存储时间的测量，分析了ｘ＝０．３１的ｎ型碲镉汞（Ｈ_1-xＣｄ_xＴｅ）ＭＩＳ器件的少子暗电流机理．理论计算和实验结果都表明，在其工作温度区域（～７７Ｋ），通过禁带中深能级中心辅助的间接隧道电流将限制器件的电学性能。 关键词：