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我们在磁场中分别测量了最佳掺杂的YBa2Cu3O7-δ、钙0.2掺杂的Y1-xCaxBa2Cu3O7-δ及钙0.5掺杂的Pr1-xCaxBa2Cu3O7-δ薄膜的电阻温度关系.利用最近Zhang et al.[Phys.Rev.B71(2005),052502]提出的热激活能的分析方法对薄膜的磁通特性进行了分析、比较与讨论. 相似文献
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Ni掺杂ZnO薄膜的荧光特性 总被引:1,自引:0,他引:1
采用脉冲激光沉积技术(PLD)在单晶Si 衬底上制备了Ni掺杂的ZnO薄膜,通过VARAIN Cary-Eclips 500型荧光光谱仪研究了样品的荧光特性。观察到360和380 nm左右2个荧光峰。通过Ni掺杂,研究了360 nm左右荧光峰的起源。结果表明,随着靶材中Ni掺杂量的不同,荧光峰峰位不变,而相应的发光强度发生了明显的变化。当靶材中Ni∶ZnO的摩尔比Xs为5%时,样品中360 nm紫外荧光峰的发光强度最佳,表明360 nm左右荧光峰并不是重掺杂后杂质能级深入到导带的结果,有可能是起源于分裂的价带与导带间的复合跃迁。 相似文献
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ZnO薄膜的掺杂特性 总被引:8,自引:4,他引:4
通过MOCVD方法生长的ZnO薄膜一般为富锌生长,呈n型电导,要想得到高阻或低阻p-ZnO薄膜需要对其进行掺杂施主或受主杂质.主要研究在生长过程中通过NH3对ZnO薄膜进行氮掺杂的情况,利用优化生长条件,即生长温度为610℃,Ar气(携带DEZn)流量为4sccm,O2流量为120sccm,N2流量为600sccm,得到在NH3流量为80sccm时生长样品的结晶质量最高,在掺杂薄膜中NH3流量高于或低于80sccm时,样品的表面形貌都将变差,只有在80sccm时表面粗糙度最低晶粒最小,表明该流量下获得的样品表面较光滑致密.所以80sccmNH3流量为在R面蓝宝石上生长<110>取向ZnO薄膜的最佳掺杂流量.Hall测量结果表明,NH3流量为50sccm的样品电导呈弱p型,电阻率为102Ω·cm,空穴载流子浓度为+1.69×1016cm-3,迁移率为3.6cm2·V-1·s-1;当NH3流量增加时样品的电导呈n型,电阻率最高达108Ω·cm,我们认为与进入ZnO薄膜的H的量有关,并对其变化机理进行了详细的分析. 相似文献
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在具有电致发光(EL)的有机整合染料8-羟基喹啉铝(Alq3)中接以染料罗丹明6G(R6G),用真空热蒸发的方法制备器件,获得了峰值波长575nm的黄色直流薄膜电致发光,从而通过掺杂改变了发光颜色.并在Alq3发光层不同区域插入一掺杂薄层(Alq3:R6G),利用其发光波长与未掺杂部分(Alq3)的不同,以此作为“探测层”,通过对器件光谱及电学特性的测量与分析,探讨了有关发光区域,发光机理,界面对发光影响等基本问题. 相似文献
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提出了以改变半导体薄膜的掺杂浓度来调节它的等离子体频率ωp,使它的高透射区移至可见光带.选择本征吸收频率在近紫外区的金属与之构成最佳的D/M光谱透射-反射膜系,同时结合掺杂半导体膜与金属膜的最佳厚度组合以形成较理想的透明隔热复合膜.
关键词: 相似文献
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使用射频磁控溅射法成功制备了不同掺杂浓度(0—7at.%)的ZnO:Ni薄膜.X射线衍射的θ-2θ和摇摆曲线扫描结果表明,5at.%Ni掺杂ZnO薄膜具有沿c轴方向最佳的择优取向生长特性,(002)衍射峰向大角度方向移动揭示了Ni杂质被掺入ZnO晶格中占据Zn位.ZnO:Ni薄膜具有较好的可见光透明特性,拟合发现薄膜的光学带隙随Ni掺杂量的增加由3.272 eV线性降低到3.253 eV.未掺杂薄膜在550 nm处呈现出一个绿色发光峰,掺入Ni杂质后薄膜主要表现了以430 nm为中心的蓝色发光,分析认为它们分别源于薄膜中O空位和Zn填隙缺陷发光.
关键词:
ZnO:Ni薄膜
结构特性
光学带隙
光致发光 相似文献
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本文报导了不同浓度的金属铒和氟化铒掺杂的硫化锌薄膜交流电致发光(ACEL)的特性,并进行了比较。实验结果表明:ZnS:ErF3薄膜ACEL的最佳浓度(5×10-3g/g)低于ZnS:Er3+薄膜ACEL的最佳浓度(1×10-2g/g)。在ZnS薄膜中掺入稀土离子,随着浓度的增加,稀土离子之间发生交叉弛豫,这一过程与稀土离子周围环境有关,这正是ZnS:ErF3和ZnS:Er3+薄膜ACEL具有不同的最佳浓度的主要原因。 相似文献
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本文讨论掺Nd的MnBi薄膜的结构,磁性和磁光性能。由X射线衍射和Auger谱分析表明,经适当热处理后,形成以MnBi为主的晶格结构,发现Nd掺入后可能存在MnBiNd合金的衍射线,并按NiAs型结构计算其晶格常数:a=4.14?,c=5.80?。转矩曲线和磁滞廻线结果给出薄膜具有很好的垂直膜面各向异性,当投料量Mn/Bi的值在2左右时,可得到合适的σs,适当的Hc值(1—4kOe),以及较大的Kerr转角为θK(1.5—2°)。磁光谱表明
关键词: 相似文献
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对硫化锌未灼烧的原粉、灼烧两次的粉料及分舟热蒸发研制的掺铒硫化锌电致发光薄膜器件,用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和发光亮度测试技术、测量硫化 的粉、粉料、薄膜的表面及内部构态,获得微晶薄膜态与发光中心攻发光亮度关系的信息,江膜多晶的沉积有择优陬向的趋势;对(311)、(400这些高指数的晶面,能量相对较小,稀土较容易置换这些晶粒格点上的Zn^2+,形成稀土发光中心;高指数的晶面 相似文献
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Pinning effect of lead lanthanum titanate (PLT) ferroelectric thin films with excess PbO of 20 mol% has been studied for deposition on diffe rent substrates. Silicon, sapphire and quartz were used as substrates on which P t/Ti or LaNiO3 thin films were deposited as bottom electrodes. Electron probe analysis results showed that there was still a certain amount of excess Pb in PLT films after annealing at 550 ℃ for 1 h, and the amount of it was dependent on the substrate used. The distribution of excess Pb in the films was investig ated by Auger electron spectroscopy depth profile. It was shown that the substrates and the bottom electrodes had significant effects on the content and distrib ution of excess Pb in PLT films. The excess Pb and its accumulation at the inter face between the film and bottom electrode may act as pinning centers and have a pinning effect on domains, which can be observed by abnormal P-E hysteresis loops and abnormal C-V curves. The excess Pb content in the films and the accumulation of Pb at the interface were high in PLT films deposited on Pt/Ti/S i, and considerable pinning effect was observed. As LaNiO3 would absorb most part of the excess Pb in PLT films, the content of excess Pb in the films deposited on LaNiO3/Si was very low and the pinning effect was hardly observed. 相似文献