钽酸锂晶体单片滤波器

本文对10.7MHz钽酸锂(LiTaO_3)晶体单片滤波器的基本工作原理及特性作了报告。通过实验结果讨论了LiTaO_3单片滤波器的特性,并且分析了X-切割晶片,振动耦合方向沿Y轴偏转-49°的方法获是了单一厚度切变模,从而制成10.7MHz串     

基于周期性极化铌酸锂晶体的电光开关

从理论和实验上阐述了基于周期性极化铌酸锂晶体的电光开关.实验中,我们观察到周期为21 μm周期性极化铌酸晶体中的Solc滤波光谱.当调节施加在晶体Y方向的电场大小时,滤波的中心波长处的光强变化可达到39.23 dB,从而实现了一个高消光比的电光开关.     

大直径钽酸锂单晶生长研究

本文研究并确定了从铂坩埚中生长大直径钽酸锂单晶的工艺及其单疇化条件;介绍了晶体与器件的性能;讨论了晶体提高质量、降低成本的途径。     

掺钽和变温对铌酸锂晶体拉曼谱的影响

研究了LoTa_xNb_(1-x)O_3(x=0,0.0013,0.0052,1)晶体的拉曼光谱及拉曼散射随温度的变化.实验证明,随着晶体中含铅量的增加及温度的升高,拉曼谱峰红移,散射强度减小,峰宽增加.杂质钽的引入会改变晶体的内应力;温度的升高会增加模式振动的阻尼、晶格振动出现“失稳”,是造成上述现象的原因。     

周期性极化铌酸锂晶体光参量振荡调谐特性分析

该文在周期性极化铌酸锂晶体光参量振荡工作机理上，讨论了其波长调谐特性与外加电压、晶体温度的关系，比较了两种外加电压方法，在不同占空比下其调谐特性的差异。     

铌酸锂晶体的暗电导研究

通过对不同组分比(Li/Nb)纯铌酸锂(LiNbO3)晶体电压和电流的测量,发现不同组分比晶体的电导率随温度变化而变化的程度不同.提出小极化子对电导率的作用机制,并分析了LiNbO3晶体中双极化子和小极化子对电导率的影响.最后对所测量的电导率进行拟合,得到了不同组分比晶体的激活能.     

掺杂铌酸锂晶体体全息存储的研究

用提拉法生长的Ce（0.09%）,Cu（0.01%）,LiNbO3晶体和Zn（3%）,Fe（0.09%）,LiNbO3晶体,切割后分别对晶体极化氧化处理,对晶体的抗光致散射能力和衍射效率测试后,分别进行单幅图像存储和多幅图像的复用存储。实验表明,晶体的抗光致散射能力和衍射效率直接影响体全息存储的效果。     

不同组分铌酸锂晶体的光致吸收研究

研究了生长态纯铌酸锂晶体光致吸收效应.通过对不同组分的纯铌酸锂晶体在绿光激发下光致吸收系数的测定,认为不同组分铌酸锂晶体的光致吸收机制不同.引入氧极化子对实验现象作了解释,认为在锂含量较低的同成分晶体,氧极化子的复合有两条途径,而在锂含量较高的化学计量比晶体的氧极化子复合途径单一.对于近化学计量比晶体,泵浦光强时,吸收机制接近于同成分晶体;泵浦光弱时,吸收机制接近于化学计量比晶体.不同组分铌酸锂晶体由于氧极化子复合途径不同,氧极化子的寿命长短不一,CLN晶体中氧极化子寿命最短.     

研究明确铌钽酸钠钾锂-铟酸铋铁的电压电性能

正研究明确铌钽酸钠钾锂-铟酸铋铁的电压电性能中国科学院福建物质结构研究所龙西法等采用传统固相合成法制备了(1-x)(0.97Na0.5K0.5NbO3+0.03LiT aO3)+xBiInO3[(1-x)(KNN+LT)+xBI]无铅压电陶瓷,研究了该体系的晶体结构、压电、铁电与介电性能。研究结果表明,(1-x)(KNN+LT)+xBI陶瓷的晶体结构在室温下为正交相和四方相两相共存,随着BI含量的     

光折变铌酸锂晶体电光、压电效应研究

该文讨论了在外加电场与晶体光轴方向有一定夹角β时光折变铌酸锂晶体的电光和压电效应．并在此基础上研究了光栅衍射效率为0时,外加电场与夹角β和光束偏振之间的关系,从而达到探求最小外加电场实现光开关功能．     

可见光诱导铌酸锂晶体畴反转

研究了在可见光诱导条件下的近化学计量比掺镁铌酸锂的反转电压与光强之间的关系.并实现了利用可见光对晶体畴反转进行可控操作和实时监测.发现晶体的反转电压随光强增大而下降,最大降幅达到70%左右.探寻了可见光诱导铌酸锂晶体畴反转的形成机制,认为光诱导晶体畴反转的主要原因是光激载流子迁移改变了晶体内部的局域电场,造成了晶体极化反转电压的降低.     

关于掺钠的铌酸锂晶体的生长

通过选择合适的原料配比(L i2O占48.6%,Nb2O5占51.4%,并掺入3%的钠),控制固液界面处的温度梯度,选择合适的晶体生长速度,采用提拉法成功地生长出了具有良好光学均匀性的掺钠L iNbO3晶体,用X射线粉末衍射获得了晶体的晶胞常数,结果表明掺钠后晶体常数a增大c减少,并讨论了掺钠L iNbO3晶体生长存在的主要问题、发展前景及今后的研究方向.     

飞秒激光微爆加工铌酸锂晶体

利用紧聚焦飞秒激光脉冲入射到铌酸锂（LiNbO3）晶体中引起微爆,可以在晶体内部进行微爆加工．与各向同性的熔融石英不同,因为铌酸锂晶体的各向异性,微爆加工点在垂直晶轴的截面上表现出强烈的各向异性．我们利用狭缝光阑对入射飞秒高斯光束进行整形,改变了光束的能量分布,成功地减小加工点的各向异性,获得尺寸较一致的微爆单元．另外发现由于折射率失配的存在,飞秒脉冲激光聚焦深度不一样时,微爆加工点在沿晶轴方向的截面形状和尺寸都有很大的变化,对此也进行了理论和实验上的分析．     

利用铌酸锂薄片极化反转实现纳米信息存储

纳米信息存储是一种高密度信息存储。在信息存储点的尺度被降低到纳米量级时,其存储密度与目前通用的磁盘相比可提高两个数量级以上。纳米信息存储所面临的诸多技术问题之一就是高质量、高稳定性存储材料的选择。铌酸锂晶体作为重要的光电子材料,已被应用于光学、光电子学器件中,成为光电器件的重要基底材料。但由于缺乏合适的机制,铌酸锂材料尚未被应用于纳米信息存储中。 南开大学承担的天津市自然基金重点项目“利用铌酸锂薄片极化反转实现纳米信息存储”,探索在铌酸锂薄片中通过自发极化反转实现纳米尺度的信息存储的可能性。本项目的研究综合了铌酸锂晶体离子注入薄片切割技术及近化学比铌酸锂研究两方面的研究成果。通过离子注入薄片切割技术可以制备高质量的厚度仅为10微米,直径1厘米的铌酸锂薄片,薄片的表面十分平整。另一方面,与同成分铌酸锂晶体相比,近化学比铌酸锂晶体的自发极化反转电压可下降2个数量级,可降至200V/mm。由此,在厚度为10微米量级的铌酸锂薄片中,利用几伏的电压即可实现自发极化反转。通过对极化反转技术     

基于掺氧化镁周期性极化铌酸锂的光学参量产生器

报道了基于掺氧化镁的周期性极化铌酸锂（PPMgLN）光学参量产生器的研究。采用1064nm声光调Q准连续Nd：YAG激光器作为泵浦源,重复频率为4．3kHz。光学参量晶体PPMgLN的周期为30．7μm。采用温度调谐,调谐的范围为30℃～180℃,输出信号光的调谐范围为1561nm～1672nm,最高输出功率为180mW,相应的1064nm光的泵浦功率为1．017W,光光转换效率为17．7％。     

近化学计量比铌酸锂晶体的局域铒掺杂研究

本文通过两种方法制备了X切和Z切的局域铒掺杂近化学计量比铌酸锂晶体：（1）镀有铒金属的同成分铌酸锂晶体直接进行气相输运平衡处理,（2）在气相输运平衡处理后进行铒金属的标准热扩散。对晶相、扩散系数和扩散表面粗糙度的研究表明,初始铒金属膜厚度会限制扩散的效果。这为进一步的波导放大器研究提供了参考。     

烧结温度对镁钽锂掺杂铌酸钾钠性能的影响

采用传统固相烧结法在960~1 060℃制备了Li_(0.058)(Na_(0.535)K_(0.480))_(0.942)(Nb_0.887)Ta_(0.009)Mg_(0.004))O_3(LNKNTM)无铅压电陶瓷。研究了烧结温度对LNKNTM陶瓷结构和性能的影响。研究结果表明:在试验温度范围内,LNKNTM陶瓷均为钙钛矿结构。随着烧结温度的升高,LNKNTM陶瓷在室温下出现了从四方相到正交相的转变。在1 020℃烧结制备的LNKNTM陶瓷相对密度达到95.1%,并具有优良的电学性能,压电常数d33和机电耦合因数k_p分别为231 pC/N和38.6%。