聚四氟乙烯中正电子湮没寿命谱中等寿命成份湮没过程性质研究

用时间选择谱仪-磁猝灭测量方法并经适当数据处理,研究了聚四氟乙烯高聚物中正电子湮没寿命谱中等成份(～1ns)的湮没过程性质.确定其为自旋三重态正电子素即o-Ps的猝灭.     

正电子湮没与高温超导体

正电子是探测固体中电子密度、动量分布、缺陷和相变的灵敏探针．正电子湮没是研究高温超导体的电子结构和缺陷特性的有用工具．本文简要介绍了近年来用正电子湮没研究高温超导体的费米面、测量其电荷密度分布、缺陷特性及结构转变等方面的最新进展．     

明胶大分子中的正电子湮没行为

利用正电子湮没寿命谱 ,从分子尺度上对两种分别从深海鱼皮和牛骨提取的明胶大分子的微观结构性能进行了研究 .正电子湮没寿命谱的长寿命组分给出了关于明胶大分子中自由体积空穴的信息 .结果表明 ,鱼明胶大分子中自由体积空穴的尺度与数量均低于骨明胶大分子 .同时 ,用鱼明胶和骨明胶作为成核分散介质的乳剂试验表明 ,鱼明胶可以改善卤化银颗粒的单分散性并抑制晶核的生长和聚结 .由此认为 ,明胶作为保护性胶体的功能与其微结构特征相关 .鱼明胶在控制卤化银颗粒成核与生长中的功能强于骨明胶 .     

等离子体喷涂层的正电子湮没研究

本文用正电子湮没技术对等离子体喷涂铜基合金压缩形变的微观缺陷进行了测量。对等离子体喷涂合金，随着压缩量的增加，正电子寿命变短，这一现象与常规合金中观察到的情况相反。     

铝中氢-空位复合体的正电子湮没特性

本文从第一性原理出发,应用离散变分法、嵌入集团模型和三维数值弛豫技术计算了铝中一氢-空位复合体和多氢-空位复合体的正电子湮没特性,讨论了氢在铝单空位中可能的占据位置,表明正电子湮没技术是研究固体中缺陷的微观结构的有力工具。 关键词：     

高温超导体Y-Ba-Cu-O相变的正电子湮没研究

在相变温度附近同时测量了电阻、正电子寿命谱和多普勒增宽能谱.发现在相变区域正电子的平均寿命τ_m、多普勒增宽线形参数H、S无规振荡,估计与晶格的稳定性有关,似乎支持以双极化子理论为主的超导机制.     

用正电子湮没研究钙钛矿结构压电陶瓷中的点缺陷

用正电子湮没寿命谱技术对有意掺杂的或被杂质替代的钙钛矿结构压电陶瓷中的点缺陷进行了研究.掺杂了La³⁺的PbTiO₃，掺杂了Sr²⁺，Cd²⁺和La³⁺的Pb(Mg_1/3Nb_2/3)_0.375Ti_0.375Zr_0.25O₃，掺杂了Ca²⁺的BaT 关键词：     

高聚物正电子谱学的研究进展

简要介绍了近年来正电子谱学在聚合物微结构研究中的主要应用及进展,大量实验事实表明,正电子谱学是表征高聚物微结构的极灵敏方法。     

用正电子湮没寿命谱诊断微晶和非晶的结构

利用高校近工物理实验仪器－正电子湮没寿命谱仪，设计了一个固体物理中用于诊断微晶和非晶结构的教学实验。     

用正电子湮没多普勒增宽谱测量金属中电子的费变能级

高校中不少实验室具有半导体探头能谱仪,可扩展用作正电子湮没多普勒增宽谱仪,并测量金属中电子的费变能级。     

正电子湮没时间选择能谱仪的发展和应用

本文介绍了中国科学院高能物理研究所发展的正电子湮没时间选择能谱仪的技术及其在电子偶素物理研究方面的应用．实验表明，此种新式谱仪能够把正电子湮没物理和化学的研究向定量方向推进一步．     

MgB2超导体的正电子湮没研究

本文利用正电子湮没技术（PAT）对不同密度的MgB2样品分别进行了测定，结果发现正电子在MgB2中自由态的湮没时间（本征寿命τ1）和在捕获态的湮没时间（缺陷寿命τ2）比其他高温超导体都明显要高，这反映了MgB2的体电子浓度相对于其它超导体要低，可能归因于MgB2超导材料本身的晶体结构和化学组成，MgB2超导材料的正电子寿命不仅与晶体的结构缺陷，而且与样品的密度或孔隙度有关．     

正电子湮没技术在金属和合金研究中的应用进展

评述了正电子没技术（ＰＡＴ）在金属和合金研究中如下几个领域的应用进展：（１）金属间化合物空位形成的焓的测定;（２）淬火、辐照、形变及充氢等引起的缺陷及回复过程;（３）金属和合金的相变;（４）非晶、准晶及纳米晶的研究;（５）ＰＡＴ作为材料无损检测新技术的研究。     

用正电子湮没技术研究加强型交联聚乙烯热收缩制品

用正电子湮没寿命谱方法，对国内外几个主要厂家的加强型热收缩制品进行了对比测试，得到了一些有参考价值的结果． The positron lifetime technique has been used to study heat shrunk products of cross linking PE which came from different factories. Same valuabled results are obtained.     

高聚物正电子谱学的研究进展

简要介绍了近年来正电子谱学在聚合物微结构研究中的主要应用及进展.大量实验事实表明,正电子谱学是表征高聚物微结构的极灵敏方法.     

用正电子湮没技术研究USY沸石的“二次孔”结构

测量了NaY及USY沸石的正电子寿命谱．得到NaY沸石有四个寿命分量：两个短寿命分量和两个长寿命分量．两个长寿命分量中，τ₃，τ₄分别是o-Ps在β笼和超笼中的湮没．USY沸石有五个寿命分量：两个短寿命分量和三个长寿命分量，三个长寿命分量中，τ₃为o-Ps在笼中的湮没，τ₄，τ₅分别为o-Ps在“二次微孔”和“二次中孔”中的湮没．与NaY沸石相比，在真空中，USY的τ₄增加到 关键词：     

正电子湮没技术

 正电子湮没技术（ＰＡＴ）是一项较新的核技术．它是利用正电子与物质的相互作用来获得凝聚态物质的微观结构、电子动量分布及缺陷状态等信息的实验技术．正电子是电子的反粒子,这种粒子首先是狄拉克在１９３０年建立相对论量子力学时预言其存在的．两年以后安德逊（Ａｎｄｅｒｓｏｎ在宇宙射线中发现了它．它是人们发现的第一种反粒子．正电子与电子一样,同属于轻子．正电子和电子作为基本粒子的属性列于表１．从表中可以看出正电子与电子具有相同的静止质量和自旋,所带的电荷和电子的电量相等,不过是正的,因而也具有正的磁矩．但是,正电子和电子之间也有重要的区别．     

MgB2超导体的正电子湮没研究

本文利用正电子湮没技术(PAT)对不同密度的MgB2样品分别进行了测定,结果发现正电子在MgB2中自由态的湮没时间(本征寿命τ1)和在捕获态的湮没时间(缺陷寿命τ2)比其他高温超导体都明显要高,这反映了MgB2的体电子浓度相对于其它超导体要低,可能归因于MgB2超导材料本身的晶体结构和化学组成,MgB2超导材料的正电子寿命不仅与晶体的结构缺陷,而且与样品的密度或孔隙度有关.     

高效率的正电子湮没2γ和3γ寿命谱仪

用大体积BaF₂ (φ40mm×30mm)探测器组装正电子湮没的2γ和3γ寿命谱仪,在2γ方式下,两个BaF₂探测器构成双重符合,得到系统的时间分辨为FWHM=212ps,计数效率比塑料闪烁探测器组装的谱仪估计高10倍以上.在3γ方式下,NaI(Tl)探测器与两个BaF₂构成三重符合,合理安排三探头的几何及合理选择各能窗的位置以优化对3γ湮没事例的测量,实验表明,新系统可用于研究强度微弱的电子偶素在固体中湮没的3γ寿命谱.