1×32硅基二氧化硅阵列波导光栅的研制

采用高精度光刻版、PECVD材料生长、反应离子刻蚀和端面8°角抛光等技术,设计并研制了1×32硅基二氧化硅阵列波导光栅.研制的AWG芯片,其相邻通道引起的通道串扰小于-28dB,非相邻通道引入的串扰小于-35dB.通道的插入损耗在进行光纤耦合封装后进一步提高,平均损耗约为4.9dB,不均匀性约为1.72dB.     

1×32硅基二氧化硅阵列波导光栅的研制

采用高精度光刻版、PECVD材料生长、反应离子刻蚀和端面8. 角抛光等技术,设计并研制了1×32硅基二氧化硅阵列波导光栅. 研制的AWG芯片,其相邻通道引起的通道串扰小于-28dB,非相邻通道引入的串扰小于-35dB. 通道的插入损耗在进行光纤耦合封装后进一步提高,平均损耗约为4.9dB,不均匀性约为1.72dB.     

结构紧凑的高均匀性硅波导阵列波导光栅

基于绝缘体上硅材料平台,设计并制作了一种结构紧凑的高均匀性硅波导阵列波导光栅,其拥有8个输出通道并且通道间隔为200 GHz。分析了绝缘体上硅材料平台中硅波导的弯曲半径对弯曲损耗和有效折射率的影响。测试结果表明,该器件的插入损耗为19.6 dB,串扰为-15 dB,非均匀性为0.87 dB,3 dB带宽为1.06 nm,结构尺寸仅为294μm×190μm。芯片的制作工艺与互补金属氧化物半导体工艺兼容,这使得阵列波导光栅的大批量、低成本生产成为可能,对集成波分复用网络的发展具有重要的意义。     

阵列波导光栅的最近研究进展

阵列波导光栅(AWG)是密集波分复用(DWDM)光网络中的关键器件。本文分析了AWG的原理及其性能参数，综述了一些改进其性能的方法，并阐述了AWG在波长路由器、光分插复用器(13ADM)和光交叉互连(OXC)等方面的应用。     

偏振不灵敏硅基二氧化硅阵列波导光栅设计

以深刻蚀和热氧化工艺为基础,提出了一种新的阵列波导光栅(AWG)制备技术.这一工艺可使AWG中的波导侧向留有一硅层.采用有限元法和有限差分束传播法分别计算了存在这一硅层时的波导应力分布和有效折射率.结果表明由于这一侧向硅层的存在,使AWG中波导在水平和垂直方向的应力趋于一致,AWG的偏振相关波长明显减小     

偏振不灵敏硅基二氧化硅阵列波导光栅设计

以深刻蚀和热氧化工艺为基础,提出了一种新的阵列波导光栅(AWG)制备技术.这一工艺可使AWG中的波导侧向留有一硅层.采用有限元法和有限差分束传播法分别计算了存在这一硅层时的波导应力分布和有效折射率.结果表明由于这一侧向硅层的存在,使AWG中波导在水平和垂直方向的应力趋于一致,AWG的偏振相关波长明显减小.     

基于阵列波导光栅的波分复用器件

阵列波导光栅波分复用／解复用器有N个输入端口和N个输出端口,能同时传输N^3路不同的光信号,除具有波分复用和解复用功能外,能灵活地与其它光器件组成多波长光源、光路分插复用器、光路交叉连接器、波长路由器等波分复用器件,在光通信网络中有广泛的应用前景。     

阵列波导光栅技术及其研究进展

分析了AWG器件的基本原理,并介绍了近年来人们在研制小尺寸AWG、增加器件信道数量,改善器件的损耗、串扰、偏振敏感性和温度相关性等性能,以及AWG与其他器件集成等方面的最新研究进展。     

基于阵列波导光栅的波分复用器件

阵列波导光栅波分复用 /解复用器有 N个输入端口和 N个输出端口 ,能同时传输 N2 路不同的光信号 ,除具有波分复用和解复用功能外 ,能灵活地与其它光器件组成多波长激光器、光路分插复用器、光路交叉连接器、波长路由器等波分复用器件 ,在光通信网络中有着广泛的应用前景。     

阵列波导光栅插入损耗的降低

阵列波导光栅（AWG Arrayed Waveguide Grating）是实现多通道密集波分复用（DWDM Dense Wavelength Division Multiplexing)光网络的理想器件,插入损耗是它的一个重要性能指标。本文介绍了多种减小AWG插入损耗的方法,并在此基础上,分析了如何使用楔形波导结构来降低模式失配所导致的耦合损耗。这种方法可以在不增加器件制作难度的同时大大降低AWG的插入损耗,并且适用于各种材料和结构的AWG器件设计。     

阵列波导光栅器件的发展与应用

密集波分复用（ＤＷＤＭ）是光纤通信中的关键技术,而阵列波导光栅（ＡＷＧ）在波分复用系统中有 广泛的应用。本文综述了ＡＷＧ的原理以及它的发展和光纤通信系统中的应用。     

阵列波导光栅复用器的原理,设计及应用

介绍了阵列波导光栅复用器的原理，设计及在ＷＤＭ通信系统中的应用，并对其最新的研究成果作了介绍。     

A novel fabrication approach for an athermal arrayed-waveguide grating

A novel method for fabricating an athermal AWG is proposed, using a unique apparatus for ITU-T center wavelength adjustment and optical coupling of two cut-parts. UV adhesive or sticky gel is applied into the gap between the cut-elements and the alignment base substrate by capillary infiltration. The spectrum profiles are almost the same as those of the original chip state, and no deterioration is observed resulting from athermalization. Flat-top athermal AWG modules of 100 GHz×40 ch are fabricated. Over a temperature range of-40 to 85℃, the center wavelength shift is±22 pm, and the insertion loss change is less than ±0.11 dB.     

无热阵列波导光栅的新颖制作方法

提出了一种制作无热AWG的新颖方法,采用了专利设计的ITU-T中心波长调节装置、简单的方法来耦合被切开两部分、以及毛细渗透的点胶方式。波长调节精度达到1pm。这种无热实现方案没有带来任何光谱恶化,其光谱几乎同原始芯片一样。这种40通道100GHz通道间隔平顶型无热AWG,在-40 to 85℃范围内,中心波长漂移±22pm,插损变化小于±0.11dB。     

硅基光波导及光波导开关的研究进展

ＳｉＯ２ 光波导、重掺杂光波导、ＳＯＩ光波导、合金光波导及聚合物光波导等低损耗硅基光波导的研究已取得了很大的进展,随着这些波导的硅基光开关不断研制出来,各种光开关结构也不断提出来了。为了解决硅的线性电光系数为零的问题,采用了多种方法,以获得强的线性电光效应,实现高速光开关。文章回顾了近十年来硅基光波导及光开关的研究进展。     

SiO2 8×8阵列波导光栅的研制

在Si基SiO2材料上设计并制作了中心波长为1.55 μm、通道间隔为0.8 nm的8×8阵列波导光栅(AWG).详细介绍了器件的设计、制作和测试,并对测试结果及工艺误差进行了深入的分析讨论.封装后的测试结果显示,器件的3 dB带宽为0.22 nm;中央通道输入时,最小和最大插入损耗分别为4.01 dB和6.32 dB;边缘通道输入时,最小和最大插入损耗分别为6.24 dB和9.02 dB;对比不同通道输入时输出通道的中心波长,其偏移量低于0.039 nm;器件的通道间串扰小于-25 dB;偏振依赖损耗(PDL)小于0.3 dB.     

AWG插入损耗性能的分析和改善

阵列波导光栅(AWG)是实现密集波分复用(DWDM)光网络的理想器件，插入损耗是它的一个重要性能指标．文章在综述了多种减小AWG器件插入损耗方法的基础上，分析了如何使用楔形波导结构来降低模式失配所导致的耦合损耗．这种方法可以在不增加器件制作难度的同时大大降低AWG的插入损耗，并且适用于各种材料和结构的AWG器件设计。     

阵列波导光栅的研究进展

综述了阵列波导光栅的研究进展,分析了其多功能和多应用的特性,展示了它在未来波分复用通信网中巨大的应用前景。     

Recent progress in silicon-based solid-state solar cells

Silicon (Si)-based solar cells constitute about 90% of the photovoltaic (PV) market, and a drastic reduction in module cost and significant improvement in PV performance have been observed since its first inception in 1941. This article aims to present the comprehensive review of prominent advancements enacted in Si solar cells after the year 2000. Monocrystalline Si solar cell has been the matured technology with the record efficiency (η) of 26.6% achieved so far. As the drive to push η around 30% Schokley–Quiesser limit is foreseeable in the near future, PV community is actively striving to fabricate efficient yet cost-effective devices. Polycrystalline Si solar cells contain small-sized grains, and efforts are underway to enhance the η beyond 21.9% by controlling the recombination at grain boundaries, optimising the passivated interfaces and deposition process. Thin-film amorphous Si technology proffers low-cost fabrication process and η of 13.6% has been recorded for a multijunction solar cell. Employment of sophisticated nanowire-based light trapping schemes and dopant-free carrier-selective layers along with the development of hybrid solar cells of organic and Si materials are among the emerging research trends for Si solar cells.