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用温度场论方法计算了F-L模型在有限温度和密度下的状态方程,分析了压强对净重子数密度的等温线.结果表明,在平均场近似下,F-L模型所给出的退禁闭相变为一级相变. 相似文献
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用温度场论方法计算了F-L模型在有限温度和密度下的状态方程,分析了压强对净重子数密度的等温线.结果表明,在平均场近似下,F-L模型所给出的退禁闭相变为一级相变. 相似文献
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在Hartree平均场近似和高温近似下,本文建立了φ~4模型和非拓扑孤子袋模型的某些特解间确定的映射关系。从映射关系我们看到φ~4场的非球对称拓扑孤子和反孤子配对形成束缚态——孤子袋模型的非球对称非拓扑孤子解。当拓扑孤子和反孤子消失时,φ~4模型发生对称性恢复相交;当拓扑孤子和反孤子的束缚态非拓扑孤子消失时,孤子袋模型的退禁闭相变发生。 相似文献
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在具有非线性自相互作用gΦ4的可重正化标量场论中,本文研究了一类新的非拓扑孤子.耦合常数g有一个临界值gcrit,当g>gcrit时,不存在稳定的非拓扑孤子. 相似文献
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用有限温度场论中重整化群方法,研究了QCD的有效耦合常数的温度依赖性,发现高温时耦合常数在全动量区都很小,体现出了QCD的退禁闭特征. 相似文献
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计论了有限温度下非拓扑孤子模型中描写胶子凝聚程度的σvac和描写夸克囚禁的色介电常数Kvac的温度依赖性;分析了退囚禁机制. 相似文献
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在强耦合QED相的非拓扑孤子模型中,讨论了电子动力学质量的生成机制,得到了产生正、负电子对凝聚的临界耦合常数gcrit和临界核电荷数Zcrit,定性地解释了反常e+e-峰的性质.结果表明,正、负电子对凝聚在QED强耦合相中起着重要作用. 相似文献
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采用提拉法生长出了钕掺杂钽酸钆重闪烁单斜激光晶体(Nd3+:GdTaO4). 分别测试了该晶体a向、b向和c向的吸收光谱(波段为260-2000 nm), 对其中Nd3+ 的实验能级进行了分析指认. 确定了Nd3+:GdTaO4的102个实验Stark能级, 拟合了其自由离子参数和晶体场参数, 均方根误差(拟合精度) σ 为12.66 cm-1. 并将拟合得到的Nd3+:GdTaO4实验结果与文献中已报道的Nd3+:GdxLu1-xTaO4 (x=0.85)的自由离子参数和晶体场参数进行了比较. 结果表明, 参数化Stark能级的拟合结果与实验光谱符合得较好. 相似文献
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本文根据含复合场的Wark-Takahashi恒等式所得到的费米子质量谱,利用虚时温度场论计算了准确到1/N阶的费米子和σ介子的顶角修正,并讨论了顶角函数随温度的变化关系和退耦合相变.结果表明:退耦合相变的临界温度随着零下π介子和费米质量的增大而升高,由热涨落对顶角修正所引起的费米子质量的改变不能忽略. 相似文献
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采用射频磁控溅射方法制备了两种用于相变存储器的Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5相变薄膜材料,对其结构、电学输运性质和恒温下电阻随时间的变化关系进行了比较和分析.X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)的结果表明:随着退火温度的升高,Ge1Sb2Te4薄膜逐步晶化,由非晶态转变为多晶态,表面出现均匀的、
关键词:
硫系相变材料
1Sb2Te4')" href="#">Ge1Sb2Te4
2Sb2Te5')" href="#">Ge2Sb2Te5 相似文献
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